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痕量镉的水溶性碳纳米管增敏方波溶出伏安法测定 被引量：5
1
作者 杨学娟 狄晓威 +1 位作者 姜冉 张军 《分析测试学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期260-262,共3页
研究了以羧基化的水溶性碳纳米管（CNT）作为增敏剂，经吸附富集，用方波溶出伏安法测定痕量镉。讨论了吸附溶出的机理，对富集时间、富集电位、镉浓度、HCl加入量的影响及部分离子干扰等进行实验，并对含镉水样进行测定。实验结果发现... 研究了以羧基化的水溶性碳纳米管（CNT）作为增敏剂，经吸附富集，用方波溶出伏安法测定痕量镉。讨论了吸附溶出的机理，对富集时间、富集电位、镉浓度、HCl加入量的影响及部分离子干扰等进行实验，并对含镉水样进行测定。实验结果发现：Cd^2＋在-0．65V左右出现灵敏的溶出峰，峰电流在Cd^2＋浓度为2．0-10nmol／L时呈现良好的线性关系，检出限为0.1nmol／L，回收率为94％-103％。 展开更多
关键词 羧基化的水溶性碳纳米管 玻碳电极 吸附方波溶出伏安法 镉
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方波吸附溶出伏安法同时测定水中痕量铜和镉 被引量：4
2
作者 张海民 任守信 《理化检验（化学分册）》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期198-201,共4页
报道了应用方波吸附溶出伏安法 (OSWSV)同时测定Cu(Ⅱ )和Cd(Ⅱ )。在 0 .0 1mol·L- 1酒石酸钾钠 2 .0× 10 - 4mol·L- 1水杨醛肟溶液中 (pH 11.75 ) ,Cu(Ⅱ )和Cd(Ⅱ )分别与水杨醛肟形成的络合物均产生非常灵敏的还原... 报道了应用方波吸附溶出伏安法 (OSWSV)同时测定Cu(Ⅱ )和Cd(Ⅱ )。在 0 .0 1mol·L- 1酒石酸钾钠 2 .0× 10 - 4mol·L- 1水杨醛肟溶液中 (pH 11.75 ) ,Cu(Ⅱ )和Cd(Ⅱ )分别与水杨醛肟形成的络合物均产生非常灵敏的还原波 ,峰电位分别为 - 0 .5 5 6V和 - 0 .70 4V (vs.Ag/AgCl以下均同 )。峰电流与Cu(Ⅱ )、Cd(Ⅱ )浓度分别在 9.0× 10 - 74 .0× 10 - 8mol·L- 1和 2 .0× 10 - 6 6 .0×10 - 8mol·L- 1范围内呈线性关系 ,检出限均为 1.0× 10 - 8mol·L- 1。该法用于同时测定水样中痕量Cu(Ⅱ )和Cd(Ⅱ ) ,所得结果满意。通过对该体系的初步研究 ,Cu(Ⅱ )、Cd(Ⅱ )与水杨醛肟形成的络合物的还原峰具有明显的吸附性。 展开更多
关键词 方波吸附溶出伏安法 同时测定 水 痕量分析 铜 镉 水杨醛肟
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铋膜电极方波吸附溶出伏安法测定纺织品中痕量钴和镍
3
作者 王坤 李刚 +2 位作者 崔萍 靳艾平 刘慧宏 《分析科学学报》 CSCD 北大核心 2017年第3期395-398,共4页
本文建立了在铋膜修饰电极上采用方波吸附溶出伏安法同时测定纺织品中痕量Co^(2+)和Ni^(2+)的方法。以NH_3-NH_4Cl作为缓冲液,在丁二酮肟浓度为10μmol/L的体系中,Co^(2+)和Ni^(2+)的还原峰电位分别为-1.13V和-1.03V。当缓冲溶液pH为9.2... 本文建立了在铋膜修饰电极上采用方波吸附溶出伏安法同时测定纺织品中痕量Co^(2+)和Ni^(2+)的方法。以NH_3-NH_4Cl作为缓冲液,在丁二酮肟浓度为10μmol/L的体系中,Co^(2+)和Ni^(2+)的还原峰电位分别为-1.13V和-1.03V。当缓冲溶液pH为9.2,富集电位为-0.7V,富集时间为200s时,Co^(2+)和Ni^(2+)在0.5~50μg/L范围呈现良好的线性关系,相关系数R^2>0.99,其检出限分别为0.79μg/L和0.96μg/L,其它金属离子的干扰较小。采用标准加入法测定纺织品中Co^(2+)和Ni^(2+),回收率在94.88%~104.14%之间。 展开更多
关键词 方波吸附溶出伏安法 铋膜电极 钴 镍
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