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玻璃中CdSeS量子点的PLE谱研究
被引量：
2
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作者
刘炳灿
吴正龙
田强
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第5期636-639,共4页
用光致发光激发光 (PLE)谱与光吸收谱和光致发光 (PL)谱相结合 ,对半导体CdSeS量子点的电子能级和电子跃迁发光的弛豫过程进行了深入分析 .PLE谱表明带边激子发光的主要来源是 1S3/2 - 1se和 2S3/2 - 1se能态的电子弛豫 ,而缺陷态发光...
用光致发光激发光 (PLE)谱与光吸收谱和光致发光 (PL)谱相结合 ,对半导体CdSeS量子点的电子能级和电子跃迁发光的弛豫过程进行了深入分析 .PLE谱表明带边激子发光的主要来源是 1S3/2 - 1se和 2S3/2 - 1se能态的电子弛豫 ,而缺陷态发光的来源除了 1S3/2 - 1se和 2S3/2 - 1se能态的电子弛豫外 。
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关键词
玻璃
CdSeS
PLE
谱
半导体量子点
光致发光
激
发光
谱
光致发光
谱
光
吸收
谱
纳米材料
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职称材料
非掺杂GaN薄膜的黄光发射机理研究
2
作者
赖天树
林位株
莫党
《中山大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第1期116-118,共3页
提出了一种新的光谱———吸收归一化光致发光激发谱 ,并用这种光谱研究了非掺杂GaN薄膜的黄光发射。实验上首次直接测出了黄光发射的初始态的共振吸收峰位 。
关键词
GAN薄膜
黄光发射
吸收归一化光致发光激发谱
发光
机理
非掺杂氮化钙薄膜
发光
强度
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职称材料
题名
玻璃中CdSeS量子点的PLE谱研究
被引量：
2
1
作者
刘炳灿
吴正龙
田强
机构
北京师范大学物理学系
北京师范大学分析测试中心
出处
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第5期636-639,共4页
基金
教育部高等学校骨干教师资助计划项目
文摘
用光致发光激发光 (PLE)谱与光吸收谱和光致发光 (PL)谱相结合 ,对半导体CdSeS量子点的电子能级和电子跃迁发光的弛豫过程进行了深入分析 .PLE谱表明带边激子发光的主要来源是 1S3/2 - 1se和 2S3/2 - 1se能态的电子弛豫 ,而缺陷态发光的来源除了 1S3/2 - 1se和 2S3/2 - 1se能态的电子弛豫外 。
关键词
玻璃
CdSeS
PLE
谱
半导体量子点
光致发光
激
发光
谱
光致发光
谱
光
吸收
谱
纳米材料
Keywords
semiconductor quantum dots
PLE spectrum
PL spectrum
absorption spectrum
CdSeS
分类号
TN304.81 [电子电信—物理电子学]
O471.1 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
非掺杂GaN薄膜的黄光发射机理研究
2
作者
赖天树
林位株
莫党
机构
中山大学超快速激光光谱学国家重点实验室∥物理学系
出处
《中山大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第1期116-118,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目 (6 98880 0 5 )
广东省自然科学基金资助项目 (970 148)
文摘
提出了一种新的光谱———吸收归一化光致发光激发谱 ,并用这种光谱研究了非掺杂GaN薄膜的黄光发射。实验上首次直接测出了黄光发射的初始态的共振吸收峰位 。
关键词
GAN薄膜
黄光发射
吸收归一化光致发光激发谱
发光
机理
非掺杂氮化钙薄膜
发光
强度
Keywords
GaN film
yellow luminescence
absorption-normalized photoluminescence excitation spectroscopy
分类号
O484.41 [理学—固体物理]
O472.3 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
玻璃中CdSeS量子点的PLE谱研究
刘炳灿
吴正龙
田强
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2003
2
在线阅读
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职称材料
2
非掺杂GaN薄膜的黄光发射机理研究
赖天树
林位株
莫党
《中山大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2002
0
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职称材料
已选择
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参考文献
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