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Cu(In,Ga)Se2薄膜表面镓(Ga)含量分布对太阳电池性能的影响
被引量：
4
1
作者
王赫
刘芳芳
+3 位作者
孙云
何青
张毅
李长健
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期52-56,共5页
本文利用三步法共蒸发制备Cu(In,Ga)Se2多晶薄膜吸收层,通过改变第三步Ga的蒸发温度控制薄膜表面Ga的含量及其分布。随着吸收层表面Ga含量的增大,空间电荷区带隙变宽,电池的开路电压Voc明显增大。同时,Ga的梯度分布有效地扩宽了吸收层...
本文利用三步法共蒸发制备Cu(In,Ga)Se2多晶薄膜吸收层,通过改变第三步Ga的蒸发温度控制薄膜表面Ga的含量及其分布。随着吸收层表面Ga含量的增大,空间电荷区带隙变宽,电池的开路电压Voc明显增大。同时,Ga的梯度分布有效地扩宽了吸收层的光谱响应范围,减小了由于禁带宽度增大所引起的短路电流Jsc的损失,从而有效地提高了电池的转换效率。
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关键词
Ga梯度分布
吸收层表面
开路电压Voc
短路电流Jsc
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职称材料
题名
Cu(In,Ga)Se2薄膜表面镓(Ga)含量分布对太阳电池性能的影响
被引量：
4
1
作者
王赫
刘芳芳
孙云
何青
张毅
李长健
机构
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期52-56,共5页
基金
天津市重大科技攻关项目(05YFGZGX03400)
国家高技术发展计划(863)项目(2004AA513020)
天津市科技创新专项资金项目(06FZZDGX01200)
文摘
本文利用三步法共蒸发制备Cu(In,Ga)Se2多晶薄膜吸收层,通过改变第三步Ga的蒸发温度控制薄膜表面Ga的含量及其分布。随着吸收层表面Ga含量的增大,空间电荷区带隙变宽,电池的开路电压Voc明显增大。同时,Ga的梯度分布有效地扩宽了吸收层的光谱响应范围,减小了由于禁带宽度增大所引起的短路电流Jsc的损失,从而有效地提高了电池的转换效率。
关键词
Ga梯度分布
吸收层表面
开路电压Voc
短路电流Jsc
Keywords
gallium grading
the surface of absorbers
open circuit voltage Voc
short circuit current Jsc
分类号
TM615 [电气工程—电力系统及自动化]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
Cu(In,Ga)Se2薄膜表面镓(Ga)含量分布对太阳电池性能的影响
王赫
刘芳芳
孙云
何青
张毅
李长健
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
4
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