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半导体侧泵模块激光晶体内吸收光场分析 被引量:4
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作者 闫立华 任浩 +7 位作者 刘小文 袁春生 王媛媛 房玉锁 任永学 王英顺 徐会武 安振峰 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2014年第7期720-724,共5页
建立了半导体侧面泵浦模块中激光晶体的吸收光场分布模型,利用Matlab软件计算了吸收光场的归一化分布形貌,提出了两个重要参数:阵列切向位移量与径向角度偏离度。结果表明:当阵列切向位移量为0~0.5 mm时,晶体相对吸收强度、光场均匀... 建立了半导体侧面泵浦模块中激光晶体的吸收光场分布模型,利用Matlab软件计算了吸收光场的归一化分布形貌,提出了两个重要参数:阵列切向位移量与径向角度偏离度。结果表明:当阵列切向位移量为0~0.5 mm时,晶体相对吸收强度、光场均匀性等参数基本不变;当该数值大于0.5 mm时,吸收强度急剧下降、光场不均匀性急剧增加;相比而言,径向角度偏移对晶体吸收光场分布的影响较小,总体上呈现随着该数值的增加,吸收强度减小、光场不均匀性增加。以上研究结论为目前半导体侧泵模块的研制生产提供了理论指导。 展开更多
关键词 侧面泵浦 吸收 Nd∶YAG晶体 输出光斑
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[111]方向电场诱导的硅的倍频效应
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作者 刘秀环 陈占国 贾刚 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第z1期382-386,共5页
理论上研究了硅晶体在[111]方向电场的作用下等效二阶极化率张量与C3V点群晶体的二阶极化率张量的形式相同;在此基础上研究了硅的[111]方向电场诱导的倍频效应,可以使入射光垂直于{110}面入射,从而研究硅的场致倍频效应随基频光偏振方... 理论上研究了硅晶体在[111]方向电场的作用下等效二阶极化率张量与C3V点群晶体的二阶极化率张量的形式相同;在此基础上研究了硅的[111]方向电场诱导的倍频效应,可以使入射光垂直于{110}面入射,从而研究硅的场致倍频效应随基频光偏振方向的变化。设计了底面为(110)面的半球形硅样品,为从实验上研究[111]方向电场诱导的硅的倍频效应,提出了一种实验方案。 展开更多
关键词 硅晶体 致等效二阶极化率 致倍频吸收 双光子响应
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射线方程及最大熵图像重建方法的应用研究
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作者 魏明果 刘润泽 《武汉水利电力大学(宜昌)学报》 1997年第2期94-99,共6页
为了探测电磁波在地层中传播时吸收场的变化,采用程函方程计算弯曲射线的曲率,用最大熵算法作为反演方法。计算实例表明这种方法效果是明显的。
关键词 电磁波 层析成像 最大熵 射线方程 吸收场
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