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光通信用InGaAs/InP雪崩光电二极管被引量：1: 1; 作者尹顺政齐利芳 +3 位作者赵永林张豫黔车向辉张宇《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第10期759-763,共5页; 针对InGaAs/InP雪崩光电二极管（APD）器件结构,介绍了本地电场模型在器件设计上的应用。采用数值计算的方法,导出了吸收区、渐变区、电荷区和倍增区分离的（SAGCM）APD的电场分布。基于本地电场模型讨论了不同器件结构参数对器件穿通... 展开更多; 关键词 InP 吸收、渐变、电荷、倍增层分离结构的雪崩二极管(sagcm APD) 雪崩本地电场模型光通信; 在线阅读下载PDF 职称材料

10 Gbit/s InGaAs/InP雪崩光电二极管被引量：1: 2; 作者尹顺政郝文嘉 +4 位作者张宇于浩李庆伟赵润车相辉《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第7期516-520,共5页; 基于InGaAs/InP吸收区、渐变区、电荷区和倍增区分离雪崩光电二极管(SAGCM APD)器件结构,利用数值计算方法,模拟了各层参数对器件频率响应特性的影响。模拟结果表明,吸收层、倍增层厚度及电荷层面电荷密度可影响器件的-3dB带宽;随增益... 展开更多; 关键词 INGAAS/INP 吸收区、渐变区、电荷区和倍增区分离雪崩光电二极管(sagcm APD) 雪崩频率响应光通信; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于Matlab的APD器件模拟: 3; 作者程涛周金运李文静《现代电子技术》 2006年第13期146-148,共3页; 为了迅速了解雪崩光电二极管(APD)的特性以确保量子保密通信系统的质量,在适当的假设前提下,依据经验公式并借助于Matlab的矩阵运算功能计算吸收渐变电荷倍增分离型雪崩光电二极管(SAGCM APD)的电场分布,然后以此得出电子、空穴倍增系数... 展开更多; 关键词 MATLAB 吸收渐变电荷倍增分离型雪崩光电二极管(sagcm—APD) 传递函数量子保密通信; 在线阅读下载PDF 职称材料