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S波段低相噪同轴介质压控振荡器设计 被引量:1
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作者 苏坪 唐宗熙 +2 位作者 吴韵秋 赵世巍 张彪 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期45-49,共5页
运用串联反馈振荡器理论设计了一个工作于S波段的低相噪同轴介质压控振荡器。首先分析了同轴介质谐振器的理论以及串联反馈振荡器的工作原理,然后在高频电磁仿真软件HFSS和ADS中进行仿真和设计。为了实现电调谐,将变容管合理地加入振荡... 运用串联反馈振荡器理论设计了一个工作于S波段的低相噪同轴介质压控振荡器。首先分析了同轴介质谐振器的理论以及串联反馈振荡器的工作原理,然后在高频电磁仿真软件HFSS和ADS中进行仿真和设计。为了实现电调谐,将变容管合理地加入振荡器,最终设计完成了一个S波段的低相噪同轴介质压控振荡器。通过对实物成品的测量和调试表明,此压控振荡器达到了预定的技术指标,各项性能良好。测试结果:工作频率为2.075~2.250 GHz,调谐范围为1.75 GHz,输出功率≥11 dBm,谐波抑制度≥23 dBc,相位噪声优于-133 dBc/Hz@100kHz。 展开更多
关键词 低相噪 同轴介质谐振 振荡器
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声体波谐振器压控振荡器 被引量:3
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作者 王宗富 郑泽渔 +2 位作者 杨正兵 朱昌安 田亚睿 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2011年第5期683-686,共4页
声体波谐振器(FBAR)压控振荡器(VCO)技术探讨了高品质因数Q谐振器并实现宽频率调谐难题,完成了声体波谐振器MBVD模型参数建立、电路的选择与布局,以及最优化的设计与制作,尽量消除了FBAR与IC之间的引线产生的影响,克服了频率调整问题。... 声体波谐振器(FBAR)压控振荡器(VCO)技术探讨了高品质因数Q谐振器并实现宽频率调谐难题,完成了声体波谐振器MBVD模型参数建立、电路的选择与布局,以及最优化的设计与制作,尽量消除了FBAR与IC之间的引线产生的影响,克服了频率调整问题。研制了中心频率2.1GHz的VCO振荡器,研究结果表明,其输出功率为5~10dBm,调谐范围为2.044‰,边带相噪为-143dBc/1Hz@1MHz。 展开更多
关键词 声体波 振荡器(VCO) 谐振
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0.18μm CMOS工艺全集成LC谐振压控振荡器的优化设计 被引量:1
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作者 李智群 王志功 +3 位作者 张立国 徐勇 章丽 熊明珍 《中国集成电路》 2004年第1期61-64,共4页
本文介绍了用0.18μm六层金属混合信号/射频CMOS工艺设计的两个LC谐振压控振荡器,给出了优化设计的方法、步骤和测试结果。两个振荡器均使用片上元件实现。第一个振荡器采用混合信号晶体管设计,振荡频率为2.64GHz,相位噪声为-93.5dBc/Hz... 本文介绍了用0.18μm六层金属混合信号/射频CMOS工艺设计的两个LC谐振压控振荡器,给出了优化设计的方法、步骤和测试结果。两个振荡器均使用片上元件实现。第一个振荡器采用混合信号晶体管设计,振荡频率为2.64GHz,相位噪声为-93.5dBc/Hz@500kHz。第二个振荡器使用相同的电路结构,但采用射频晶体管设计,振荡频率为2.61GHz,相位噪声为-95.8dBc/Hz@500kHz。在2V电源下,它们的功耗均为8 mW,最大输出功率分别为-7dBm和-5.4dBm。 展开更多
关键词 CMOS LC谐振振荡器 优化设计 片上元件 混合信号晶体管 射频晶体管
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采用分布式谐振回路的毫米波CMOS压控振荡器 被引量:1
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作者 孙凯 张健 +2 位作者 刘昱 李志强 陈延湖 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2015年第11期129-132,136,共5页
设计了一款应用于毫米波频率综合器的压控振荡器(Voltage Controlled Oscillator,VCO).振荡器谐振回路采用分布式电感电容结构,相比传统结构可以提高振荡频率,降低振荡所需的环路增益;优化谐振网络中电容的设计,提高调谐范围;电磁仿... 设计了一款应用于毫米波频率综合器的压控振荡器(Voltage Controlled Oscillator,VCO).振荡器谐振回路采用分布式电感电容结构,相比传统结构可以提高振荡频率,降低振荡所需的环路增益;优化谐振网络中电容的设计,提高调谐范围;电磁仿真毫米波段电感,提高品质因数,降低相位噪声.电路设计采用SMIC 40nm 1P6M RF CMOS工艺.仿真结果表明,频率调谐范围为56.1~61.2GHz(5.1GHz,8.7%),振荡中心频率处的相位噪声为-88dBc/Hz@1 MHz.电源电压0.8V下,电路功耗为3.3mW.芯片核心面积为0.013 5mm^2. 展开更多
关键词 振荡器 分布式谐振回路 调谐范围 相位噪声 毫米波 电感建模
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基于基片集成波导谐振器的压控振荡器设计
5
作者 苏坪 唐宗熙 +2 位作者 张彪 吴韵秋 赵世巍 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第12期910-914,共5页
设计了一种基于基片集成波导谐振器的X波段压控振荡器。首先分析了串联反馈式振荡器以及基片集成波导谐振器的理论,然后在高频电磁仿真软件ADS中进行仿真和设计,并通过将变容管合理地引入谐振器,实现了电调谐的目的。最终设计完成了一... 设计了一种基于基片集成波导谐振器的X波段压控振荡器。首先分析了串联反馈式振荡器以及基片集成波导谐振器的理论,然后在高频电磁仿真软件ADS中进行仿真和设计,并通过将变容管合理地引入谐振器,实现了电调谐的目的。最终设计完成了一个工作于X波段的基片集成波导压控振荡器。此压控振荡器与传统的介质压控振荡器(DRO)相比,具有稳定性高、平面化以及成本低的优点。由于采用了ADS中的联合仿真功能进行振荡器的设计,仿真结果的准确性得到了提高,减小了实物的调试工作量。测试结果为:工作频率为7 GHz,调谐范围为30 MHz,输出功率≥7 dBm,谐波抑制度≥22 dBc,相位噪声优于-106 dBc/Hz@100 kHz。 展开更多
关键词 先进设计系统 介质振荡器 串联反馈 基片集成波导 振荡器
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低功耗低相位噪声4.8GHz CMOS压控振荡器芯片设计 被引量:1
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作者 樊祥宁 曾军 +1 位作者 李斌 朱薇薇 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2011年第12期1285-1290,共6页
采用TSMC0.181μm RFCMOS工艺设计并实现了一个应用于无线传感器网络射频前端频率综合器的低功耗、低相位噪声4.8GHz电感电容压控振荡器。此振荡器的核心电路采用电流源偏置的互补差分负阻结构,降低了电路对电源电压变化的灵敏度和... 采用TSMC0.181μm RFCMOS工艺设计并实现了一个应用于无线传感器网络射频前端频率综合器的低功耗、低相位噪声4.8GHz电感电容压控振荡器。此振荡器的核心电路采用电流源偏置的互补差分负阻结构,降低了电路对电源电压变化的灵敏度和功耗。电感电容谐振腔采用了降低相位噪声的设计方法。在不恶化相位噪声性能的前提下,核心电路还采用3比特的开关电容阵列提高了振荡器的频率调谐范围。测试结果表明,在电源电压为1.8V时,此振荡器的频率调谐范围可达20%,可有效克服因电源波动、工艺角偏差以及温度变化等而引起的偏差;振荡频率为4.8GHz时,频偏为3MHz处的相位噪声为-121.68dBc/Hz。芯片带焊盘面积为700μm×900μm。核心电路仅消耗1.5mA电流。 展开更多
关键词 振荡器(VCO) 低功耗 低相位噪声 谐振腔设计 无线传感器网络(WSN)
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小型化低相噪FBAR压控振荡器的研制
7
作者 袁彪 郭文胜 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期347-351,共5页
利用薄膜声体波谐振器(FBAR),结合GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺研制了一款小型化低相噪FBAR压控振荡器。将振荡三极管、偏置电路及隔离缓冲放大器集成到一个GaAs单片微波集成电路(MMIC)中,振荡管基极接薄膜电感形成负阻,发射极通过键... 利用薄膜声体波谐振器(FBAR),结合GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺研制了一款小型化低相噪FBAR压控振荡器。将振荡三极管、偏置电路及隔离缓冲放大器集成到一个GaAs单片微波集成电路(MMIC)中,振荡管基极接薄膜电感形成负阻,发射极通过键合线与FBAR进行互连。将GaAs单片集成电路的大信号模型作为一个非线性器件,用探针台测试FBAR谐振器的单端口S参数,导入ADS软件进行谐波平衡法仿真和优化;通过电路制作和调试,达到了预期设计目标。该FBAR压控振荡器中心频率为2.44 GHz,调谐带宽15 MHz,单边带相位噪声达-110 dBc/Hz@10 kHz,与同频段同轴介质压控振荡器指标相当,但其尺寸更小,仅为5 mm×7 mm×2.35 mm。 展开更多
关键词 小型化 低相位噪声 单片微波集成电路(MMIC) 薄膜声体波谐振器(FBAR) 振荡器(VCO)
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一种用于铷原子钟的低相位噪声压控振荡器 被引量:2
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作者 鞠青云 汤亮 +2 位作者 栗新伟 乔东海 季磊 《电子技术应用》 北大核心 2016年第11期84-87,共4页
基于相干布局囚禁(CPT)现象研制的原子钟与传统原子钟相比,能够提供更高的时间精度,且有利于原子钟向微型化、低功耗方向发展。在不同种类的CPT原子钟中,铷原子钟应用最为广泛,而其性能的优劣很大一部分取决于自身内部的用于提供微波信... 基于相干布局囚禁(CPT)现象研制的原子钟与传统原子钟相比,能够提供更高的时间精度,且有利于原子钟向微型化、低功耗方向发展。在不同种类的CPT原子钟中,铷原子钟应用最为广泛,而其性能的优劣很大一部分取决于自身内部的用于提供微波信号源的压控振荡器(VCO)。基于此,利用高品质因数的同轴谐振器和Clapp振荡电路,首先根据负阻分析法使电路快速起振,并结合虚拟地技术对电路参数进行优化,完成了一个小体积、低相位噪声的3.035 GHz压控振荡器的设计。其相位噪声为-60.49 d Bc/Hz@300 Hz、-73.08 d Bc/Hz@1 k Hz和-97.48 d Bc/Hz@10 k Hz,压控调节灵敏度为12 MHz/V,输出信号的功率为-1.13 d Bm,满足铷原子钟的应用需求。 展开更多
关键词 相干布局数囚禁 铷原子钟 同轴谐振 振荡器 低相位噪声
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一种新型的双端加载宽带压控振荡器 被引量:1
9
作者 杨茂清 李民权 秦坤 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期294-297,共4页
基于某测试系统宽带本振的指标要求,设计了一种双端加载可变电容的宽带压控振荡器(VCO),采取负阻分析法对电路结构进行分析设计,采用ADS对电路进行仿真设计,并通过实物验证设计结果的真实性和有效性。设计指标:频率为2.00~3.30GHz,相... 基于某测试系统宽带本振的指标要求,设计了一种双端加载可变电容的宽带压控振荡器(VCO),采取负阻分析法对电路结构进行分析设计,采用ADS对电路进行仿真设计,并通过实物验证设计结果的真实性和有效性。设计指标:频率为2.00~3.30GHz,相位噪声指标小于-80dBc/Hz@10kHz,输出功率大于5dBm。 展开更多
关键词 宽带振荡器 微带谐振 相位噪声
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126.6~128.1 GHz基波压控振荡器设计 被引量:1
10
作者 苏国东 孙玲玲 +3 位作者 王翔 王尊峰 张胜洲 雷宇超 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期1788-1795,共8页
采用65 nm CMOS工艺,设计一款基波压控振荡器(VCO).采用负阻单元的寄生电容与用户自定义电感形成VCO的电感-电容(LC)谐振网络.采用交叉耦合对管作为VCO的负阻单元,维持VCO的稳定输出信号.通过控制尾电流管的偏置电压大小调节交叉耦合管... 采用65 nm CMOS工艺,设计一款基波压控振荡器(VCO).采用负阻单元的寄生电容与用户自定义电感形成VCO的电感-电容(LC)谐振网络.采用交叉耦合对管作为VCO的负阻单元,维持VCO的稳定输出信号.通过控制尾电流管的偏置电压大小调节交叉耦合管的寄生电容,从而实现输出频率的调谐. VCO输出缓冲器(buffer)采用共源-共栅(Cascode)结构以减小负载电阻对电路振荡的影响.所设计的片上变压器实现了差分信号转单端信号功能,并与传输线、地-信号-地(GSG)焊盘实现了VCO输出匹配.测试结果表明,电路的输出频率范围为126.6~128.1 GHz,调谐范围为1.5 GHz.当电路工作频率为127.2 GHz时,输出功率为–26.8 dBm,偏频为1 MHz处相位噪声的仿真值为–86.3 dBc/Hz.该电路的芯片面积为405μm×440μm. 展开更多
关键词 振荡器(VCO) LC谐振 交叉耦合对管 共源共栅结构 片上变 传输线 GSG焊盘
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全集成低功耗低相位噪声差分LC压控振荡器设计(英文)
11
作者 姚志健 马成炎 +1 位作者 叶甜春 乐建连 《电子器件》 CAS 2008年第6期1797-1800,共4页
介绍了一个针对全球定位系统接收机的全集成差分LC压控振荡器设计。该设计采用互补交叉耦合晶体管对结构,去掉了尾电流源以消除其热噪声对相位噪声的影响。考虑到低功耗低相位噪声表现,文中给出设计步骤。该设计经台积电0.18μm射频CMO... 介绍了一个针对全球定位系统接收机的全集成差分LC压控振荡器设计。该设计采用互补交叉耦合晶体管对结构,去掉了尾电流源以消除其热噪声对相位噪声的影响。考虑到低功耗低相位噪声表现,文中给出设计步骤。该设计经台积电0.18μm射频CMOS工艺进行流片验证。在1.5 V的供电电压下,VCO振荡于3.14 GHz,仅消耗1.2 mA。在频偏600 kHz和1 MHz的情况下,其相位噪声分别为-113 dBc/Hz和-118 dBc/Hz。 展开更多
关键词 LC谐振 相位噪声 振荡器 GPS接收机
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一种面向5G通信的宽带压控振荡器设计 被引量:3
12
作者 张博 王三路 +1 位作者 孙景业 吴昊谦 《西安邮电大学学报》 2019年第1期47-51,共5页
基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计并实现了一款宽带压控振荡器。该压控振荡器采用互补型交叉耦合结构,应用6位开关电容阵列实现宽调谐范围。通过选取高品质因子值电感、应用二次谐波谐振滤波技术、改进开关电容阵列结构,实现对相位噪声... 基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计并实现了一款宽带压控振荡器。该压控振荡器采用互补型交叉耦合结构,应用6位开关电容阵列实现宽调谐范围。通过选取高品质因子值电感、应用二次谐波谐振滤波技术、改进开关电容阵列结构,实现对相位噪声性能的优化。测试结果表明,在温度为27℃、电源电压为1.8V条件下,该压控振荡器频率调谐范围为3.26GHz~5.27GHz,在偏离中心频率1MHz处的相位噪声为-121.3dBc/Hz。 展开更多
关键词 振荡器 宽调谐范围 二次谐波谐振滤波
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低噪声微波压控振荡器
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作者 孟奎旭 刘振君 《无线电工程》 1997年第4期19-21,共3页
利用振荡器的相位噪声模型,详细论述了低噪声微波压控振荡器的设计方法,并给出了实验结果。该振荡器具有嗓声低、频率稳定度高、电调线性好等特点。
关键词 相位噪声 振荡器 同轴 振荡器
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Sirenza优质压控振荡器(VCO)介绍
14
《电视技术》 北大核心 2007年第6期48-49,共2页
作为世界优秀的射频器件供应商,压控振荡器(VCO)也是Sirenza的看家产品之一。其共有8类,近300个品种。即:1)865~2850MHz 5V窄带CRO190系列超低噪声同轴谐振器;2)2688MHz 3V窄带CRO191系列超低噪声同轴谐振器;3)875-2048MHz 8... 作为世界优秀的射频器件供应商,压控振荡器(VCO)也是Sirenza的看家产品之一。其共有8类,近300个品种。即:1)865~2850MHz 5V窄带CRO190系列超低噪声同轴谐振器;2)2688MHz 3V窄带CRO191系列超低噪声同轴谐振器;3)875-2048MHz 8V窄带CRO193系列超低噪声同轴谐振器;4)51-3900MHz 5V窄带VCO190系列压控振荡器; 展开更多
关键词 振荡器 同轴谐振 优质 超低噪声 射频器件 窄带 供应商
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免调节压控振荡器
15
作者 Chris O.Connor 《无线电工程》 2001年第2期29-31,共3页
本文介绍一类新型集成电路,它们使应用于中频(IF)的固定频率压控振荡器(VCO)的设计更为紧凑、更为简单。
关键词 振荡器 中频 集成电路 VCO 谐振
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一种低相噪压控振荡器的设计与实现
16
作者 张振宇 索瑞隆 +1 位作者 杨爱军 赵凡 《无线电工程》 2017年第2期74-77,82,共5页
基于短波通信系统低噪声、小型化需求,提出了一种低相噪压控振荡器(VCO),其频率范围46~76 MHz,调谐电压2.5~9.5 V,采用表面贴的封装结构,体积12.7 mm×12.7 mm×4.3 mm。设计采用改进型电容三点式克拉泼振荡器电路,与LC调谐带... 基于短波通信系统低噪声、小型化需求,提出了一种低相噪压控振荡器(VCO),其频率范围46~76 MHz,调谐电压2.5~9.5 V,采用表面贴的封装结构,体积12.7 mm×12.7 mm×4.3 mm。设计采用改进型电容三点式克拉泼振荡器电路,与LC调谐带宽电路共同产生正弦波频率信号的设计方法,通过线路设计、高Q元器件的应用及精细的工艺加工,逐步提高性能指标,实现了低噪声压控振荡器(VCO)制造的目的。测试结果表明,振荡器单边带相位噪声10 k Hz、100 k Hz处分别达到了-125 d Bc/Hz、-145 d Bc/Hz,较同类压控振荡器产品降低了-15 d Bc/Hz左右。 展开更多
关键词 振荡器(VCO) 相位噪声 LC谐振电路 电阻衰减网络 输出匹配网络
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XD~C波段频率合成器方式直接分频锁相介质振荡器 被引量:2
17
作者 樊永军 《微波与卫星通信》 1997年第4期32-36,共5页
本文介绍了微波通信领域的新技术——频率合成器方式直接分频锁相介质振荡器在XD~C波段电路的设计方法。通过对其工作原理的分析讨论,给出了采用微波CAD辅助设计软件完成的6.1~8.5GHz频段该电路的设计和测试结果。
关键词 频率合成器 直接分频锁相 介质振荡器
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UCx86x系列谐振型电源控制器 被引量:1
18
作者 尚修香 胡晓清 《国外电子元器件》 2006年第8期66-68,共3页
关键词 电源制器 x系列 谐振 零电零电流开关 工作温度范围 谐振变换器 CS系统 单次脉冲 振荡器 误差放大器
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一种L波段陶瓷振荡器的设计 被引量:2
19
作者 王培培 田立卿 刘德喜 《遥测遥控》 2012年第4期46-49,共4页
对负阻振荡器的基本理论进行分析,仿真并设计一个高稳定性、低相位噪声的陶瓷谐振器振荡器CRO。CRO在正常工作状态下通过频谱仪测得的相位噪声为-109.4dBc/Hz@10kHz、-130.3dBc/Hz@100kHz,输出信号功率平坦度好,负载牵引小。
关键词 振荡器 相位噪声 陶瓷谐振 CRO
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基于新颖调谐谐振器的低相噪VCO设计 被引量:1
20
作者 吕俊材 鲍景富 《太赫兹科学与电子信息学报》 北大核心 2018年第2期290-293,共4页
介绍了一种采用新颖谐振器的低相位噪声窄带压控振荡器(VCO)的设计方法。该谐振器采用源与负载横向交叉耦合结构,形成一个传输零点,提高了谐振器的Q值。该谐振器通过弱耦合与变容二极管连接,从而实现电压控制滤波器通带中心频率调谐。... 介绍了一种采用新颖谐振器的低相位噪声窄带压控振荡器(VCO)的设计方法。该谐振器采用源与负载横向交叉耦合结构,形成一个传输零点,提高了谐振器的Q值。该谐振器通过弱耦合与变容二极管连接,从而实现电压控制滤波器通带中心频率调谐。利用该谐振器设计了一个窄带VCO,并在先进设计系统(ADS)软件里仿真验证。该VCO中心频率6.15 GHz,在调谐电压从0到15 V的范围内调谐带宽60 MHz,相位噪声在整个调谐范围内优于-132 dBc/Hz@1MHz,输出功率为8.4 dBm,功率平坦度±0.1 dBm。 展开更多
关键词 可调谐谐振 相位噪声 振荡器 交叉耦合
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