同步辐射背反射白光形貌术观察6H-SiC单晶中的小角晶界和微管

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作者 姜守振 黄先荣 +6 位作者 胡小波 李娟 陈秀芳 王英民 宁丽娜 徐现刚 蒋民华 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期1985-1987,1990,共4页

利用同步辐射X射线形貌术对升华法生长的6H-SiC(0001)晶片中的小角晶界与微管缺陷进行了研究。小角晶界在同步辐射中的形貌成直线沿〈11-00〉方向分布。根据螺位错附近的应变场和衍射几何,模拟了基本Burgers矢量大小的螺位错在同步辐射... 利用同步辐射X射线形貌术对升华法生长的6H-SiC(0001)晶片中的小角晶界与微管缺陷进行了研究。小角晶界在同步辐射中的形貌成直线沿〈11-00〉方向分布。根据螺位错附近的应变场和衍射几何,模拟了基本Burgers矢量大小的螺位错在同步辐射形貌像中的衍衬像,模拟结果与实验结果符合较好。据此指认了基本螺位错,并确定了微管Burgers矢量的大小。 展开更多

关键词 同步辐射背反射白光形貌术 小角度晶界 微管 SIC 升华法

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同步辐射白光形貌术定量计算晶体的残余应力 被引量：4

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作者 宋生 崔潆心 +4 位作者 杨昆 徐现刚 胡小波 黄万霞 袁清习 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期2515-2519,2531,共6页

提出了一种利用同步辐射白光形貌术定量计算晶体残余应力的方法。晶体的残余应力与晶格畸变之间存在定量关系,衍射斑点的畸变程度可以反映晶格的畸变量,据此可以计算晶体中的残余应力。文中以碳化硅单晶样品残余应力的定量计算作为实例... 提出了一种利用同步辐射白光形貌术定量计算晶体残余应力的方法。晶体的残余应力与晶格畸变之间存在定量关系,衍射斑点的畸变程度可以反映晶格的畸变量,据此可以计算晶体中的残余应力。文中以碳化硅单晶样品残余应力的定量计算作为实例,展示了实验方法和计算过程。结果表明该样品的残余应力以正应力为主。 展开更多

关键词 同步辐射 白光形貌术 残余应力 碳化硅

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同步辐射白光形貌术观察SiC单晶中的微小多型结构

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作者 李现祥 董捷 +10 位作者 胡小波 李娟 姜守振 王丽 陈秀芳 徐现刚 王继扬 蒋民华 田玉莲 黄万霞 朱佩平 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期591-593,共3页

采用同步辐射白光形貌术观察了6H和4H-SiC单晶片中的微小多型结构。基于透射同步辐射形貌术的衍射几何和晶片的取向,计算了SiC晶体中3种主要多型在Lane像中对应不同反射的成像位置,并与实际结果进行了比较。鉴别出6H和4H-SiC单晶中分别... 采用同步辐射白光形貌术观察了6H和4H-SiC单晶片中的微小多型结构。基于透射同步辐射形貌术的衍射几何和晶片的取向,计算了SiC晶体中3种主要多型在Lane像中对应不同反射的成像位置,并与实际结果进行了比较。鉴别出6H和4H-SiC单晶中分别存在着少量的4H-SiC和15R-SiC多型的寄生生长。 展开更多

关键词 多型夹杂 同步辐射白光形貌术 SIC单晶

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同步辐射白光形貌术表征RbTiOAsO_4晶体中的生长缺陷

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作者 胡小波 魏景谦 +3 位作者 王继扬 刘宏 崔伟红 刘耀岗 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期-,共1页

KTiOPO4(KTP)是著名的非线性光学晶体 ,它有许多优良的物理性质 ,如 :高非线性光学系数 ,宽光学透明范围 ,高激光损伤阈值。因此KTP晶体十分适合于制作小型蓝绿激光器和光参量振荡器。最近一些研究者试图把KTP晶体的应用范围扩大到中红... KTiOPO4(KTP)是著名的非线性光学晶体 ,它有许多优良的物理性质 ,如 :高非线性光学系数 ,宽光学透明范围 ,高激光损伤阈值。因此KTP晶体十分适合于制作小型蓝绿激光器和光参量振荡器。最近一些研究者试图把KTP晶体的应用范围扩大到中红外波段的光参量振荡器 ,但KTP晶体在 4.3μm和 3.5 μm处的光吸收严重降低振荡器的输出功率。对比之下 ,RbTiOAsO4(RTA)晶体在 3～ 5 μm波段无任何光吸收。从这个意义上来说 ,RTA晶体是制作红外光参量振荡器的理想材料。在这里我们主要报道利用同步辐射白光形貌术结合化学腐蚀法检测RTA晶体中缺陷的一些结果。为了解籽晶对晶体生长质量的影响 ,采用同步辐射白光形貌观察一片包含籽晶在内的( 0 0 1 )晶片。结果表明 :生长扇界是该晶片中的主要缺陷 ,它在形貌像中显示很强的X射线运动学衬度 ,而生长条纹的衬度很弱。此外 ,一些位错在籽晶的成帽区和生长扇界上成核。大部分位错沿 [1 0 0 ]方向 ,根据位错在不同衍射形貌像中的衬度 ,其Burgers矢量被确定为 [0 0 1 ],因此位错具有典型的刃型特征。从能量角度考虑 :Burgers矢量沿 [0 0 1 ]方向 ,位错线具有较低的能量 ,因为该方向的矢量长度要低于 [1 0 0 ]和 [0 1 0 ]方向。( 1 0 0 )晶片远离籽晶 ,该晶片几乎是无位错的 。 展开更多

关键词 KTP晶体 同步辐射白光形貌术 位错线 非线性光学晶体

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基于同步辐射白光形貌术和X射线迹线法的6H-SiC单晶结构缺陷研究

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作者 胡小波 《广西科学》 CAS 2015年第5期457-461,共5页

[目的]SiC材料结构缺陷的检测和控制是实现材料应用的关键环节,因此本文对6H-SiC单晶中的结构缺陷进行研究。[方法]采用同步辐射白光形貌术观察6H-SiC单晶中的基本螺位错和基平面弯曲,并利用X射线迹线法模拟基本螺位错的形貌和基平面弯... [目的]SiC材料结构缺陷的检测和控制是实现材料应用的关键环节,因此本文对6H-SiC单晶中的结构缺陷进行研究。[方法]采用同步辐射白光形貌术观察6H-SiC单晶中的基本螺位错和基平面弯曲,并利用X射线迹线法模拟基本螺位错的形貌和基平面弯曲后衍射斑点的形状。[结果]6H-SiC单晶中的典型结构缺陷之一为基本螺位错,它的形貌特征为白色的圆斑;由于热弹应力的存在,6H-SiC单晶在生长过程中容易发生基平面弯曲,结果导致衍射斑点的形状发生改变。[结论]同步辐射白光形貌术和X射线迹线法可以用于检测6H-SiC单晶结构缺陷;样品的基本螺位错密度为1.56×10~4/cm^2,基平面弯曲半径近似为1m。 展开更多

关键词 基本螺位错 基平面弯曲 6H-SiC单晶 同步辐射白光形貌术 X射线迹线法

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金刚石晶体缺陷的同步辐射白光形貌术研究 被引量：2

6

作者 郭起志 李兰杰 刘雅静 《东北大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1995年第4期410-413,共4页

利用同步辐射的荧光分析和白光形貌术对天然金刚石晶体进行了观察与分析．结果发现，金刚石晶体中存在有多种杂质元素和许多微缺陷，如位错、亚结构和孪晶界等．本文重点分析位错的类型及其特征量，并对实验结果进行了讨论．

关键词 金刚石 同步辐射 位错 白光形貌术 晶体 缺陷

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天然金刚石晶体缺陷的同步辐射形貌研究 被引量：1

7

作者 郭起志 李兰杰 刘雅静 《功能材料》 EI CAS CSCD 1995年第1期56-57,27,共3页

本文利用北京同步辐射白光形貌术研究了辽宁天然金刚石晶体的缺陷问题。实验结果表明，金刚石晶体中存在有位错、生长带和孪晶等缺陷。文中对位错进行了详细讨论，并确定其特征量。

关键词 天然金刚石晶体 晶体缺陷 白光形貌术 同步辐射

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天然金刚石包体的同步辐射研究 被引量：1

8

作者 李兰杰 郭起志 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期655-656,共2页

利用北京同步辐射白光形貌术和同步辐射荧光分析对天然金刚石包体进行了研究，结果发现，晶体中存在有很多极细小的包体及大量位错，文中对包体进行分析，并确定出因其产生的位错的特征量。

关键词 天然金刚石 同步辐射 白光形貌术 荧光分析 包体 位错

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激光晶体Nd:YVO_4的形貌及生长缺陷 被引量：2

9

作者 肖敬忠 王毅 +6 位作者 黄朝红 王爱华 殷绍唐 邵曼君 田玉莲 黄万霞 杭寅 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期496-498,共3页

本文报道了应用环境扫描电镜（ESEM）和同步辐射X射线白光形貌术对采用提拉法生长出的Nd:YVO4晶体进行的形貌及生长缺陷的分析,获得了该晶体的开裂表面的ESEM形貌像以及取自晶体肩部和中间部位的（001）面的同步辐射白光形貌像,观察到... 本文报道了应用环境扫描电镜（ESEM）和同步辐射X射线白光形貌术对采用提拉法生长出的Nd:YVO4晶体进行的形貌及生长缺陷的分析,获得了该晶体的开裂表面的ESEM形貌像以及取自晶体肩部和中间部位的（001）面的同步辐射白光形貌像,观察到了位错、包裹物等缺陷,可为生长高质量的Nd:YVO4晶体提供重要的启示. 展开更多

关键词 激光晶体 生长缺陷 ND:YVO4晶体 环境扫描电镜 同步辐射白光形貌术 晶体开裂 晶体缺陷

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非线性光学晶体CBO的缺陷形貌分析 被引量：1

10

作者 徐子颉 吴以成 +3 位作者 傅佩珍 王俊新 蒋建华 田玉莲 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期379-382,共4页

以碳酸铯和硼酸为原料采用泡生法生长出三硼酸铯 (化学式CsB3 O5,简称CBO)晶体 ,首次报道了利用同步辐射白光X射线形貌术对CBO晶体的 (0 0 1)面、(0 10 )面和 (10 0 )面进行了观察。观察结果表明 ,CBO晶体的主要缺陷是生长层。缺陷形成... 以碳酸铯和硼酸为原料采用泡生法生长出三硼酸铯 (化学式CsB3 O5,简称CBO)晶体 ,首次报道了利用同步辐射白光X射线形貌术对CBO晶体的 (0 0 1)面、(0 10 )面和 (10 0 )面进行了观察。观察结果表明 ,CBO晶体的主要缺陷是生长层。缺陷形成的原因是晶体生长炉内热流的非稳态对流和温度振荡导致晶体的微观生长率随时间变化 。 展开更多

关键词 CsB3O5晶体 同步辐射白光X射线形貌术 缺陷 非线性光学晶体 CBO晶体 三硼酸铯

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快速生长KH_2PO_4晶体的缺陷和{100}生长表面形貌研究(英文)

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作者 滕冰 于正河 +6 位作者 钟德高 李建宏 马江涛 庄树杰 张世明 张炳涛 黄万霞 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第S1期260-263,269,共5页

利用原子力显微镜和光学显微镜观测了快速生长KH2PO4晶体的表面形貌。发现在较高生长温度下的{100}生长表面容易出现二维成核生长机制,在本文的实验条件下,{100}生长表面上的宏观台阶平均高度为2.34nm,而宏观台阶平台宽度的尺寸各不相... 利用原子力显微镜和光学显微镜观测了快速生长KH2PO4晶体的表面形貌。发现在较高生长温度下的{100}生长表面容易出现二维成核生长机制,在本文的实验条件下,{100}生长表面上的宏观台阶平均高度为2.34nm,而宏观台阶平台宽度的尺寸各不相同。在{100}生长表面上观察到了由杂质阻碍作用引起的台阶聚并和台阶弯曲,并讨论了杂质和生长台阶之间的相互作用机理。利用同步辐射白光形貌术分析了快速生长KDP晶体内部的位错缺陷。 展开更多

关键词 表面结构 溶液法生长 同步辐射白光形貌术

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DKDP晶体的柱面形貌与缺陷分析

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作者 郝秀红 常新安 +2 位作者 臧和贵 陈学安 田玉莲 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期894-897,共4页

采用原子力显微镜观测全方位生长的DKDP晶体的{100}面形貌,发现有螺旋位错,由此推断DKDP晶体{100}面以螺旋位错机制生长;利用同步辐射X射线白光形貌术观测了DKDP晶体缺陷,探讨了不同生长条件及生长阶段对晶体完整性的影响。

关键词 DKDP晶体 螺旋位错 同步辐射白光形貌术

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YVO_4晶体缺陷分析 被引量：4

13

作者 邹宇琦 李新军 +3 位作者 徐军 干福熹 田玉莲 黄万霞 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期14-17,共4页

运用同步辐射白光X射线形貌术分析了YVO4 的结构和缺陷行为 ,也观测了YVO4 晶体 (0 0 1)、(10 0 )面的缺陷。发现在 (0 0 1)面出现应力生长区、沿 [10 0 ]方向的位错线以及晶体中镶嵌结构。运用白光形貌术拍摄到的劳埃斑 ,证明晶体为四... 运用同步辐射白光X射线形貌术分析了YVO4 的结构和缺陷行为 ,也观测了YVO4 晶体 (0 0 1)、(10 0 )面的缺陷。发现在 (0 0 1)面出现应力生长区、沿 [10 0 ]方向的位错线以及晶体中镶嵌结构。运用白光形貌术拍摄到的劳埃斑 ,证明晶体为四方晶系。确定了小角晶界是引起多晶的主要原因。 展开更多

关键词 YVO4晶体 晶体缺陷 同步辐射白光X射线形貌术 电子探针仪 钒酸钇晶体

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Nd:LuVO_4晶体缺陷的研究 被引量：2

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作者 马丽丽 胡小波 +4 位作者 张怀金 王继扬 赵守仁 田玉莲 朱佩平 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期238-241,共4页

采用提拉法生长的Nd:LuVO4 晶体是一种适合二极管泵浦的新型激光晶体,运用化学腐蚀结合光学显微术和同步辐射白光X射线形貌术对Nd:LuVO4 晶体缺陷进行观察,结果表明:晶体的主要缺陷为位错和小角晶界。利用高分辨X射线衍射仪进一步验证... 采用提拉法生长的Nd:LuVO4 晶体是一种适合二极管泵浦的新型激光晶体,运用化学腐蚀结合光学显微术和同步辐射白光X射线形貌术对Nd:LuVO4 晶体缺陷进行观察,结果表明:晶体的主要缺陷为位错和小角晶界。利用高分辨X射线衍射仪进一步验证了这一结果。并初步讨论了缺陷形成的原因。 展开更多

关键词 Nd:LuVO4晶体 缺陷分析 同步辐射白光X射线形貌术 小角晶界 激光性质 化学腐蚀法

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高温相偏硼酸钡(α-BaB_2O_4)晶体的缺陷行为分析 被引量：1

15

作者 李新军 邹宇琦 +4 位作者 陈杏达 徐军 杨秋红 田玉莲 黄万霞 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期114-116,共3页

运用同步辐射X射线白光形貌研究了α BaB2 O4 晶体内部的完整性 ,并分析了α BaB2 O4 晶体的缺陷行为及缺陷形成原因。在 (0 0 1)面发现生长扇界和亚晶界 ,而在 (10 0 )面和 (12 0 )面分别观察到了位错、位错簇以及针状包裹体。使用双... 运用同步辐射X射线白光形貌研究了α BaB2 O4 晶体内部的完整性 ,并分析了α BaB2 O4 晶体的缺陷行为及缺陷形成原因。在 (0 0 1)面发现生长扇界和亚晶界 ,而在 (10 0 )面和 (12 0 )面分别观察到了位错、位错簇以及针状包裹体。使用双晶衍射实验发现在 (0 0 1)面有生长条纹 ,这些生长条纹呈环形 ,该条纹与熔体中温度波动而导致的生长速率波动有关。运用白光形貌拍摄到高清晰的劳埃斑 。 展开更多

关键词 高温相 偏硼酸钡 α-BaB2O4晶体 同步辐射白光X射线形貌术 双晶衍射 缺陷

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BiB3O6晶体的褐色缺陷

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作者 滕冰 王继扬 +1 位作者 董胜明 王正平 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期312-314,共3页

利用同步辐射白光形貌术和透射电子显微镜,对BiB3O6晶体的缺陷进行研究.靠近籽晶部位,可以观察到包藏、位错和生长扇面边界,而远离籽晶的位置,没有发现任何微观的缺陷.通过实验观察,孪晶和生长扇面边界可能是导致晶体中褐色区域的形成原... 利用同步辐射白光形貌术和透射电子显微镜,对BiB3O6晶体的缺陷进行研究.靠近籽晶部位,可以观察到包藏、位错和生长扇面边界,而远离籽晶的位置,没有发现任何微观的缺陷.通过实验观察,孪晶和生长扇面边界可能是导致晶体中褐色区域的形成原因.提出了消除缺陷的方法. 展开更多

关键词 BIB3O6晶体 缺陷 同步辐射白光形貌术

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非线性光学晶体BaAlBO3F2的生长与缺陷研究 被引量：2

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作者 王佳诺 岳银超 +3 位作者 李小矛 张建秀 胡章贵 黄万霞 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期291-295,共5页

采用B2O3-LiF-NaF助熔剂体系、中部籽晶法生长出BaAlBO3F2(BABF)晶体,对该晶体的弱吸收性能进行了表征。利用同步辐射白光X射线形貌术和化学腐蚀法研究了BABF晶体的缺陷,观察到BABF晶体中的主要缺陷是生长条纹和位错,并根据形貌和结构... 采用B2O3-LiF-NaF助熔剂体系、中部籽晶法生长出BaAlBO3F2(BABF)晶体,对该晶体的弱吸收性能进行了表征。利用同步辐射白光X射线形貌术和化学腐蚀法研究了BABF晶体的缺陷,观察到BABF晶体中的主要缺陷是生长条纹和位错,并根据形貌和结构特点对生长条纹产生的原因进行了分析讨论,提出了一些减少缺陷和提高晶体质量的措施和方法。 展开更多

关键词 BaAlBO3F2晶体 弱吸收 同步辐射白光X射线形貌术 化学腐蚀法 缺陷

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Na_5[B_2P_3O_(13)]晶体双晶结构的研究 被引量：3

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作者 李志华 傅佩珍 +1 位作者 吴以成 陈创天 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期644-647,共4页

采用泡生法和b向籽晶生长出尺寸为22mm×24mm×20mm的透明Na_5[B_2P_3O_(13)]晶体。晶体定向中发现(100)和(001)晶面的一级衍射出现双峰;正交偏光显微镜下观察晶体的(010)切片,看到清晰的明暗条纹;当一束激光正入射(010)切片时... 采用泡生法和b向籽晶生长出尺寸为22mm×24mm×20mm的透明Na_5[B_2P_3O_(13)]晶体。晶体定向中发现(100)和(001)晶面的一级衍射出现双峰;正交偏光显微镜下观察晶体的(010)切片,看到清晰的明暗条纹;当一束激光正入射(010)切片时,产生衍射现象;用同步辐射白光X射线形貌术拍摄了(100)、(010)和(001)切片的Laue像,观察到了晶体的孪晶结构,再借助(010)切片的化学腐蚀研究,推出该晶体为规则的聚片双晶,其结合面为(001)。 展开更多

关键词 Na5[B2P3O13]晶体 双晶结构 正交偏光显微镜 光栅衍射 同步辐射X白光形貌术

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光学加工及设备

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《中国光学》 EI CAS 1995年第2期90-91,共2页

O723 95021325磨抛工艺中HgCdTe晶片的表面损伤=Surfacedamage of HgCdTe wafers in lapping andpolishing[刊,中]/姚英,蔡毅,欧明娣,梁宏林,朱惜辰(昆明物理所.云南,昆明(650223))//红外技术.—1994,16(5).

关键词 光学加工 磨抛工艺 布里奇曼法 红外技术 表面损伤 射线反射 溶剂法 形貌术 晶片 同步辐射光束线

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