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铟离子冷却用跃迁频率与同位素移动的精密测量
被引量：
4
1
作者
王延辉
Dumke R
+6 位作者
张洁
刘涛
Stejskal A
赵燕宁
陆泽晃
王力军
董太乾
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期129-134,共6页
利用囚禁在Paul型离子阱中的铟单离子和飞秒光频梳实现了铟离子5s^2 ~1S_0(F=9/2)-5s5p ~3p_1 (F=11/2)230.6nm冷却用跃迁频率的精密测量,准确度有超过两个量级的提高。一台基于半导体激光器的四倍频系统作为光源,飞秒激光光频梳作为光...
利用囚禁在Paul型离子阱中的铟单离子和飞秒光频梳实现了铟离子5s^2 ~1S_0(F=9/2)-5s5p ~3p_1 (F=11/2)230.6nm冷却用跃迁频率的精密测量,准确度有超过两个量级的提高。一台基于半导体激光器的四倍频系统作为光源,飞秒激光光频梳作为光频测量的工具,它的参考源为一台铯原子钟。铟离子^(115)In^+与^(113)In^+的跃迁频率分别为1299648 954.54(10)MHz和1299649 585.36(16)MHz。该跃迁对应的纯同位素移动为630.82(19)MHz,考虑超精细相互作用后,同位素移动为695.76(1.68)MHz。
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关键词
光谱学
同位素移动
光频测量
单离子
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职称材料
中性硅3s^23P^2 ~3P_2,~1D_2→3s3p^3 ~3D_3~o跃迁能量,超精细结构常数与同位素移动的MCDHF计算
2
作者
华心仲
蒋刚
+1 位作者
王潇
邓邦林
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期19-25,共7页
本文使用多组态Dirac-Hartree-Fock方法计算了^(29)Si的3s^23p^2 ~3P_2,~1D_2→3s3p^3D_3~0跃迁能量和~3P_2,~3D_3~0超精细结构A常数以及Si同位素^(29)Si,^(30)Si和^(31)Si相对于^(28)Si在3s^23p^2 ~3P_2→3s3p^3 ~3D_3~0跃迁的同位素移...
本文使用多组态Dirac-Hartree-Fock方法计算了^(29)Si的3s^23p^2 ~3P_2,~1D_2→3s3p^3D_3~0跃迁能量和~3P_2,~3D_3~0超精细结构A常数以及Si同位素^(29)Si,^(30)Si和^(31)Si相对于^(28)Si在3s^23p^2 ~3P_2→3s3p^3 ~3D_3~0跃迁的同位素移动.通过尝试双电子激发(SD)和三电子激发(SDT),分别考虑VV相关,CV相关和CC相关产生各种不同的扩展组态波函数得到的计算结果和实验值的比较,推测了对于中性硅原子这两个组态,内壳层2p2s,1s电子活动到外壳层的概率较小,而3s3p壳层中的电子都比较活跃,但主要是在n=3,4的壳层内活动,活动到更高n壳层的概率则比较小.
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关键词
跃迁能量
超精细结构常数
同位素移动
组态相互作用
电子关联
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职称材料
题名
铟离子冷却用跃迁频率与同位素移动的精密测量
被引量：
4
1
作者
王延辉
Dumke R
张洁
刘涛
Stejskal A
赵燕宁
陆泽晃
王力军
董太乾
机构
北京大学信息科学技术学院
Max-Planck Research Group
Nanyang Technological University
出处
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期129-134,共6页
文摘
利用囚禁在Paul型离子阱中的铟单离子和飞秒光频梳实现了铟离子5s^2 ~1S_0(F=9/2)-5s5p ~3p_1 (F=11/2)230.6nm冷却用跃迁频率的精密测量,准确度有超过两个量级的提高。一台基于半导体激光器的四倍频系统作为光源,飞秒激光光频梳作为光频测量的工具,它的参考源为一台铯原子钟。铟离子^(115)In^+与^(113)In^+的跃迁频率分别为1299648 954.54(10)MHz和1299649 585.36(16)MHz。该跃迁对应的纯同位素移动为630.82(19)MHz,考虑超精细相互作用后,同位素移动为695.76(1.68)MHz。
关键词
光谱学
同位素移动
光频测量
单离子
Keywords
spectroscopy
isotope shift
optical frequency measurement
single ion
分类号
O433 [机械工程—光学工程]
TH714.1 [机械工程—测试计量技术及仪器]
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职称材料
题名
中性硅3s^23P^2 ~3P_2,~1D_2→3s3p^3 ~3D_3~o跃迁能量,超精细结构常数与同位素移动的MCDHF计算
2
作者
华心仲
蒋刚
王潇
邓邦林
机构
四川大学原子与分子物理研究所
出处
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期19-25,共7页
基金
国家自然科学基金(1117421 3)
文摘
本文使用多组态Dirac-Hartree-Fock方法计算了^(29)Si的3s^23p^2 ~3P_2,~1D_2→3s3p^3D_3~0跃迁能量和~3P_2,~3D_3~0超精细结构A常数以及Si同位素^(29)Si,^(30)Si和^(31)Si相对于^(28)Si在3s^23p^2 ~3P_2→3s3p^3 ~3D_3~0跃迁的同位素移动.通过尝试双电子激发(SD)和三电子激发(SDT),分别考虑VV相关,CV相关和CC相关产生各种不同的扩展组态波函数得到的计算结果和实验值的比较,推测了对于中性硅原子这两个组态,内壳层2p2s,1s电子活动到外壳层的概率较小,而3s3p壳层中的电子都比较活跃,但主要是在n=3,4的壳层内活动,活动到更高n壳层的概率则比较小.
关键词
跃迁能量
超精细结构常数
同位素移动
组态相互作用
电子关联
Keywords
transition energy, hyperfine structure constant, isotope shift, electron correlation
分类号
O562 [理学—原子与分子物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
铟离子冷却用跃迁频率与同位素移动的精密测量
王延辉
Dumke R
张洁
刘涛
Stejskal A
赵燕宁
陆泽晃
王力军
董太乾
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2008
4
在线阅读
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职称材料
2
中性硅3s^23P^2 ~3P_2,~1D_2→3s3p^3 ~3D_3~o跃迁能量,超精细结构常数与同位素移动的MCDHF计算
华心仲
蒋刚
王潇
邓邦林
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2013
0
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职称材料
已选择
0
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参考文献
引证文献
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