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静态存储器同一字节多位翻转实验研究
被引量：
4
1
作者
张庆祥
杨兆铭
+2 位作者
李志常
李淑媛
江华
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
2001年第6期485-489,共5页
对两种大容量静态存储器 (SRAM )HM62 812 8、HM 62 85 12进行了同一字节多位翻转 (SMU)实验研究。HI 13串列加速器提供的F、Cl及Br离子轰击样品时 ,采用网络控制的 6116 62 85 12全系列SRAM单粒子效应测试系统进行动态检测 ,得到了两...
对两种大容量静态存储器 (SRAM )HM62 812 8、HM 62 85 12进行了同一字节多位翻转 (SMU)实验研究。HI 13串列加速器提供的F、Cl及Br离子轰击样品时 ,采用网络控制的 6116 62 85 12全系列SRAM单粒子效应测试系统进行动态检测 ,得到了两种器件的单粒子翻转 (SEU )以及SMU的σ LET曲线 ,分析了LET值以及测试图形对截面的影响。
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关键词
静态存储器
单粒子
翻转
同一字节多位翻转
航天器
抗辐射
设计
半导体器件
空间辐射
单粒子效应
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职称材料
题名
静态存储器同一字节多位翻转实验研究
被引量：
4
1
作者
张庆祥
杨兆铭
李志常
李淑媛
江华
机构
兰州物理研究所真空低温技术与物理国家重点实验室
中国原子能科学研究院核物理研究所
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
2001年第6期485-489,共5页
文摘
对两种大容量静态存储器 (SRAM )HM62 812 8、HM 62 85 12进行了同一字节多位翻转 (SMU)实验研究。HI 13串列加速器提供的F、Cl及Br离子轰击样品时 ,采用网络控制的 6116 62 85 12全系列SRAM单粒子效应测试系统进行动态检测 ,得到了两种器件的单粒子翻转 (SEU )以及SMU的σ LET曲线 ,分析了LET值以及测试图形对截面的影响。
关键词
静态存储器
单粒子
翻转
同一字节多位翻转
航天器
抗辐射
设计
半导体器件
空间辐射
单粒子效应
Keywords
static RAM
single event multiple upset (SEMU)
single word multiple upset (SMU)
test pattern
分类号
V423 [航空宇航科学与技术—飞行器设计]
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
静态存储器同一字节多位翻转实验研究
张庆祥
杨兆铭
李志常
李淑媛
江华
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
2001
4
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职称材料
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参考文献
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