检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

TMAH溶液中的(110)硅各向异性湿法腐蚀及其在不同添加剂下的腐蚀特性研究被引量：6: 1; 作者陈骄董培涛 +1 位作者邸荻吴学忠《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期185-189,共5页; 研究了TMAH溶液中(110)硅片在不同几何形状掩膜窗口下的各向异性湿法腐蚀行为,探讨了(110)硅在TMAH与不同添加剂(过硫酸铵、异丙醇等)构成的腐蚀系统下的腐蚀特性。利用场发射扫描电子显微镜(SEM)观测(110)硅的腐蚀坑腔结构,利用扫描探... 展开更多; 关键词湿法各向异性腐蚀 (110)硅 TMAH 过硫酸铵异丙醇; 在线阅读下载PDF 职称材料

体硅湿法加工中凸角切削现象的分析被引量：2: 2; 作者张涵李伟华《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期944-950,共7页; 以硅(100)衬底为基础,详细介绍了一种针对体硅湿法加工中各向异性腐蚀带来的凸角切削现象的理论分析方法,指出了凸角切削现象具有唯一性和方向性的结论。该方法首先对凸角侧边类型进行划分,再利用现有理论资源,对凸角侧边和切削方向在... 展开更多; 关键词凸角切削理论分析各向异性湿法腐蚀实验验证; 在线阅读下载PDF 职称材料

MEMS矢量水听器敏感结构的后CMOS释放工艺研究被引量：1: 3; 作者谭皓宇刘国昌 +3 位作者张文栋张国军杨玉华王任鑫《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第4期33-36,共4页; 纤毛式微机电系统(MEMS)矢量水听器可探测水下质点振速等矢量信息,与互补金属氧化物半导体(CMOS)集成能够很大程度地提升其性能。针对纤毛式MEMS矢量水听器的CMOS集成提出了一种方案,该方案在MEMS后处理工艺中,利用侧墙保护和各向异性... 展开更多; 关键词矢量水听器互补金属氧化物半导体集成各向异性湿法腐蚀侧墙保护结构释放; 在线阅读下载PDF 职称材料

自支撑氮化硅膜结构制备工艺优化被引量：1: 4; 作者王付雄谢婉谊《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第12期2358-2364,共7页; 自支撑氮化硅膜结构一般是基于微纳加工技术来制备的。为了提高膜结构的品质,本文分别对自支撑氮化硅膜结构制备中的干法刻蚀参数和各向异性湿法腐蚀参数进行了研究和优化,其中干法刻蚀参数主要包括反应气体配比和刻蚀时间,各向异性湿... 展开更多; 关键词氮化硅干法刻蚀各向异性湿法腐蚀单晶硅自支撑膜结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名TMAH溶液中的(110)硅各向异性湿法腐蚀及其在不同添加剂下的腐蚀特性研究被引量：6: 1; 作者陈骄董培涛邸荻吴学忠; 机构国防科技大学机电工程与自动化学院; 出处《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期185-189,共5页; 基金国家自然科学基金(91023028); 文摘研究了TMAH溶液中(110)硅片在不同几何形状掩膜窗口下的各向异性湿法腐蚀行为,探讨了(110)硅在TMAH与不同添加剂(过硫酸铵、异丙醇等)构成的腐蚀系统下的腐蚀特性。利用场发射扫描电子显微镜(SEM)观测(110)硅的腐蚀坑腔结构,利用扫描探针显微镜(SPM)测量(110)硅腐蚀的表面粗糙度。结果表明:(110)硅片腐蚀的坑腔结构与掩膜窗口的大小和腐蚀时间有关;在充分腐蚀的情况下,(110)硅片腐蚀的坑腔结构是由四个与表面垂直的(111)面和另外两个与表面成35.26°夹角的(111)面围成的结构;过硫酸铵和异丙醇能显著改善腐蚀表面质量。; 关键词湿法各向异性腐蚀 (110)硅 TMAH 过硫酸铵异丙醇; Keywords anisotropic wet etching （110）-oriented silicon TMAH ammonium persulfate IPA; 分类号 TN304.5 [电子电信—物理电子学] TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名体硅湿法加工中凸角切削现象的分析被引量：2: 2; 作者张涵李伟华; 机构东南大学MEMS教育部重点实验室; 出处《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期944-950,共7页; 基金国家863计划(2007AA04Z342)资助项目; 文摘以硅(100)衬底为基础,详细介绍了一种针对体硅湿法加工中各向异性腐蚀带来的凸角切削现象的理论分析方法,指出了凸角切削现象具有唯一性和方向性的结论。该方法首先对凸角侧边类型进行划分,再利用现有理论资源,对凸角侧边和切削方向在凸角顶点的折算速率进行严格的数学计算和比较,最终确定腐蚀结束后的形变结构。选择了正五边形以及不规则六边形为代表,展示了该方法的实现过程,最后给出的模拟和实验结果都证实了该方法的正确有效。; 关键词凸角切削理论分析各向异性湿法腐蚀实验验证; Keywords convex corner undercutting theoretical analysis wet anisotropic etching experimental verification; 分类号 TG760.6 [金属学及工艺—刀具与模具]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MEMS矢量水听器敏感结构的后CMOS释放工艺研究被引量：1: 3; 作者谭皓宇刘国昌张文栋张国军杨玉华王任鑫; 机构中北大学省部共建动态测试技术国家重点实验室; 出处《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第4期33-36,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(U23A20362,52275578) 山西省基础研究计划资助项目(20210302123027,202103021224203) 山西省“1331工程”重点学科建设计划资助项目(1331KSC)。; 文摘纤毛式微机电系统(MEMS)矢量水听器可探测水下质点振速等矢量信息,与互补金属氧化物半导体(CMOS)集成能够很大程度地提升其性能。针对纤毛式MEMS矢量水听器的CMOS集成提出了一种方案,该方案在MEMS后处理工艺中,利用侧墙保护和各向异性湿法腐蚀从正面释放水听器的十字梁敏感结构。整个后处理过程不需要光刻,降低加工难度的同时,保证了加工结构的精确性。设计出了一种验证性的工艺流程,具体分析了4种不同结构的湿法腐蚀过程。最终完成了这4种结构的工艺流片,对实验结果进行了分析。实验验证了该方案的可行性,为纤毛式MEMS矢量水听器的CMOS集成奠定了基础。; 关键词矢量水听器互补金属氧化物半导体集成各向异性湿法腐蚀侧墙保护结构释放; Keywords vector hydrophone complementary metal oxide semiconductor(CMOS)integration anisotropic wet etching sidewall protection structure release; 分类号 TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名自支撑氮化硅膜结构制备工艺优化被引量：1: 4; 作者王付雄谢婉谊; 机构重庆中科精微科技有限公司中国科学院重庆绿色智能技术研究院中国科学院大学重庆学院; 出处《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第12期2358-2364,共7页; 基金重庆市基础研究与前沿探索项目(cstc2018jcyjAX0308)。; 文摘自支撑氮化硅膜结构一般是基于微纳加工技术来制备的。为了提高膜结构的品质,本文分别对自支撑氮化硅膜结构制备中的干法刻蚀参数和各向异性湿法腐蚀参数进行了研究和优化,其中干法刻蚀参数主要包括反应气体配比和刻蚀时间,各向异性湿法腐蚀参数主要包括腐蚀剂浓度和腐蚀温度。在不同的参数组合下进行实验,使用光学显微镜观察并比较不同样品的表面形貌,得到了较理想的参数组合。在干法刻蚀的反应气体中加入少量O 2可改善刻蚀效果,反应气体配比V(SF 6)∶V(CHF 3)∶V(O 2)=6∶37∶3,刻蚀时间2 min。湿法腐蚀中腐蚀剂在质量分数25%处达到最大的硅腐蚀速率,同时氮化硅表面形貌也较理想。; 关键词氮化硅干法刻蚀各向异性湿法腐蚀单晶硅自支撑膜结构; Keywords silicon nitride dry etching anisotropic wet etching single-crystal silicon self-supporting film structure; 分类号 TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	TMAH溶液中的(110)硅各向异性湿法腐蚀及其在不同添加剂下的腐蚀特性研究	陈骄董培涛邸荻吴学忠	《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心	2011	6	在线阅读下载PDF 职称材料
2	体硅湿法加工中凸角切削现象的分析	张涵李伟华	《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2010	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	MEMS矢量水听器敏感结构的后CMOS释放工艺研究	谭皓宇刘国昌张文栋张国军杨玉华王任鑫	《传感器与微系统》 CSCD 北大核心	2024	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	自支撑氮化硅膜结构制备工艺优化	王付雄谢婉谊	《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心	2020	1	在线阅读下载PDF 职称材料