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题名酸性镀铜层晶体生长机理研究
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作者
张鹏华
黄元盛
温立哲
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机构
鹤山市精工制版有限公司
江门职业技术学院材料与食品学院
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出处
《电镀与精饰》
北大核心
2025年第8期29-33,共5页
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基金
广东省科技创新战略专项([2018]352)。
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文摘
为了研究电镀铜层晶体生长机制和工艺参数对晶粒形态的影响,配制了由硫酸铜、硫酸组成的电镀液,在赫尔槽中进行了镀层的制备,并采用扫描电子显微镜、超景深显微镜对镀层进行了分析。研究结果表明,镀层晶粒生长是通过晶面台阶生长机制和晶界形成的二次晶核再生长机制进行,新台阶自八面体晶粒向上凸出的顶角位置形成,并以此为中心沿着向下倾斜的(111)晶面生长;新台阶开始形成时的生长速度最大,向下生长速度逐渐变慢,在下凹晶界处生长速度达到最小值,最大与最小生长速度相差越大,晶界下凹深度越大。此外,基底表面的粗糙化可促进镀层晶粒的粗大化;当电流密度较小,阴极极化作用小时,形核率低,所得晶粒尺寸较大。本文所获得的生长机理的相关研究结果可以为采用酸性镀铜工艺制备不同要求的铜镀层提供理论指导。
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关键词
电镀铜
台阶生长机制
晶粒
晶界
二次形核
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Keywords
copper plating
step growth mechanism
grain
grain boundary
second nucleating
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分类号
TQ153.14
[化学工程—电化学工业]
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