检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

继电保护可靠性及其风险评估研究被引量：2: 1; 作者音成《通讯世界》 2016年第7期205-206,共2页; 目前,电力系统故障的含义正在日益扩大,倘若无法及时地对电力风险故障加以妥善的解决,则必定会给发展社会经济造成诸多的影响。所以为了确保社会经济以及电力能源的更好发展,必须对继电保护系统进行适当的风险评估,还必须切实做好继电... 展开更多; 关键词继电保护可靠性:风险评估; 在线阅读下载PDF 职称材料

封装级电迁移可靠性截尾测试: 2; 作者简维廷赵永杨斯元《中国集成电路》 2008年第10期65-68,共4页; 电迁移(ElectroMigration)效应是集成电路中重要的可靠性项目。本文提出了测试思想从传统的"测试到失效"(Test to Fail)到"测试到目的"(Test to Target)的转变,详细讨论了定数与定时截尾(Censored)测试在封装级电... 展开更多; 关键词电迁移截尾测试对数标准差置信区间可靠性风险评估; 在线阅读下载PDF 职称材料

耐擦写能力测试评估中的样本数选取方法: 3; 作者简维廷张启华《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1114-1117,共4页; 介绍了非挥发性记忆体产品在进行耐擦写能力测试评估时如何合理地选取样本数的方法。在集成电路的可靠性测试中,样本数通常被理解为样品数,即芯片的颗数。对样本数进行了新的定义,将样本数定义为"芯片颗数×扇区数"。这... 展开更多; 关键词非挥发性记忆体耐擦写能力测试可靠性风险评估样本数; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种异常V_(ramp)I-V曲线分析及其应用探讨被引量：1: 4; 作者简维廷何俊明 +1 位作者张荣哲赵永《中国集成电路》 2009年第10期59-63,共5页; 讨论分析了Vramp测试方法,说明了I-V曲线的特性。就一个异常案例中测得的I-V曲线展开了分析,说明了曲线异常背后的原因,揭示了Vramp测试结果和等离子所致损伤之间的关联。结合其它可靠性测试项目的结果,成功地进行了氧化层性能快速评估... 展开更多; 关键词 Vramp测试 I—V曲线栅氧化层性能可靠性风险评估; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名继电保护可靠性及其风险评估研究被引量：2: 1; 作者音成; 机构国网安徽肥东县供电有限责任公司运检部; 出处《通讯世界》 2016年第7期205-206,共2页; 文摘目前,电力系统故障的含义正在日益扩大,倘若无法及时地对电力风险故障加以妥善的解决,则必定会给发展社会经济造成诸多的影响。所以为了确保社会经济以及电力能源的更好发展,必须对继电保护系统进行适当的风险评估,还必须切实做好继电保护装置的保护工作。本文对继电保护的可靠性及评估继电保护可靠性的指标进行了介绍,对影响继电保护可靠性的原因进行了分析,并探讨了相关的继电保护系统风险评估。; 关键词继电保护可靠性:风险评估; 分类号 TM774 [电气工程—电力系统及自动化]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名封装级电迁移可靠性截尾测试: 2; 作者简维廷赵永杨斯元; 机构中芯国际; 出处《中国集成电路》 2008年第10期65-68,共4页; 文摘电迁移(ElectroMigration)效应是集成电路中重要的可靠性项目。本文提出了测试思想从传统的"测试到失效"(Test to Fail)到"测试到目的"(Test to Target)的转变,详细讨论了定数与定时截尾(Censored)测试在封装级电迁移测试中的应用,分析了实际测试当中可能碰到的各种情况并提出了处理方法,总结了一个完整的截尾测试处理流程。; 关键词电迁移截尾测试对数标准差置信区间可靠性风险评估; Keywords EM Censored data test Sigma Confidence interval Reliability risk assessment; 分类号 TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名耐擦写能力测试评估中的样本数选取方法: 3; 作者简维廷张启华; 机构中芯国际集成电路制造(上海)有限公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1114-1117,共4页; 文摘介绍了非挥发性记忆体产品在进行耐擦写能力测试评估时如何合理地选取样本数的方法。在集成电路的可靠性测试中,样本数通常被理解为样品数,即芯片的颗数。对样本数进行了新的定义,将样本数定义为"芯片颗数×扇区数"。这种定义吻合产品可靠性测试对样本的基本定义,可以适用于所有的集成电路可靠性测试,尤其适用于非挥发性记忆体的耐擦写能力测试评估。为了保证相同的测试信心度,考虑到在耐擦写能力测试中周边电路对耐擦写能力测试结果的影响,依照对样本数新的定义,在进行样本数等值选取计算的时候,引入了一个全新的补偿因子f,并且给出了样本数等值计算的公式。实验结果表明,在引入补偿因子f后,样本数等值计算结果更加可靠。; 关键词非挥发性记忆体耐擦写能力测试可靠性风险评估样本数; Keywords NVM（non-volatile memory） endurance test reliability risk assessment sample size; 分类号 TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学] TN306 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种异常V_(ramp)I-V曲线分析及其应用探讨被引量：1: 4; 作者简维廷何俊明张荣哲赵永; 机构中芯国际; 出处《中国集成电路》 2009年第10期59-63,共5页; 文摘讨论分析了Vramp测试方法,说明了I-V曲线的特性。就一个异常案例中测得的I-V曲线展开了分析,说明了曲线异常背后的原因,揭示了Vramp测试结果和等离子所致损伤之间的关联。结合其它可靠性测试项目的结果,成功地进行了氧化层性能快速评估,丰富了Vramp测试的应用。; 关键词 Vramp测试 I—V曲线栅氧化层性能可靠性风险评估; Keywords Vramp Test I-V Curve GOX Performance Reliability Risk Assessment descried. with the （ GOX ）; 分类号 TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料