设计并制作了基于绝缘体上硅（SOI）材料的16通道光功率可调波分复用/解复用器（VMUX/DEMUX）,其信道间隔为200 GHz。该VMUX/DEMUX器件为阵列波导光栅和电吸收型可调光衰减器的单片集成。给出了器件的基本工作原理、基本结构以及器件的...设计并制作了基于绝缘体上硅（SOI）材料的16通道光功率可调波分复用/解复用器（VMUX/DEMUX）,其信道间隔为200 GHz。该VMUX/DEMUX器件为阵列波导光栅和电吸收型可调光衰减器的单片集成。给出了器件的基本工作原理、基本结构以及器件的结构参数值,并对器件进行了测试,且对测试结果进行了简单分析。测试结果显示,该VMUX/DEMUX器件的片上损耗为9.324～10.048 d B,串扰为6.5～8.2 d B;在20 d B衰减下,单通道最大功耗为87.98 m W;16通道中最快响应上升时间为34.5 ns,下降时间为37.0 ns,响应时间为71.5 ns,所有通道的响应时间均在100 ns以下。该器件整体尺寸为2.9 mm×1 mm,能够实现良好的波分复用/解复用及信道功率均衡的功能。展开更多
文摘设计并制作了基于绝缘体上硅（SOI）材料的16通道光功率可调波分复用/解复用器（VMUX/DEMUX）,其信道间隔为200 GHz。该VMUX/DEMUX器件为阵列波导光栅和电吸收型可调光衰减器的单片集成。给出了器件的基本工作原理、基本结构以及器件的结构参数值,并对器件进行了测试,且对测试结果进行了简单分析。测试结果显示,该VMUX/DEMUX器件的片上损耗为9.324～10.048 d B,串扰为6.5～8.2 d B;在20 d B衰减下,单通道最大功耗为87.98 m W;16通道中最快响应上升时间为34.5 ns,下降时间为37.0 ns,响应时间为71.5 ns,所有通道的响应时间均在100 ns以下。该器件整体尺寸为2.9 mm×1 mm,能够实现良好的波分复用/解复用及信道功率均衡的功能。
