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基于HICUM模型的高速锗硅异质结双极性晶体管可缩放模型研究(英文) 被引量：1: 1; 作者周伟坚程知群刘军《电子器件》 CAS 2010年第5期561-564,共4页; 针对高速锗硅异质结双极性晶体管,在基于HICUM模型的基础上,建立了HICUM可缩放模型,并且在ADS和Hspice中都得到了很好的应用。可缩放模型是基于不同的尺寸的器件而建立的,所有可缩放模型中的参数都是直接从不同尺寸器件的测量数据中取得... 展开更多; 关键词可缩放模型锗硅HBT HICUM模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

一个适用于RFIC设计的RF MOSFET源漏电阻可缩放模型(英文): 2; 作者余裕宁孙玲玲刘军《电子器件》 CAS 2010年第4期428-432,共5页; 提出了一个可用于0.18μmCMOS工艺RF-MOSFET的源漏电阻的可缩放模型。采用了一种直接基于S参数测量的方法来准确提取端口的寄生电阻,该模型充分考虑了各种版图尺寸,如沟道长度,沟道宽度和栅极指头数目等参数的可缩放性。此后,该模型通... 展开更多; 关键词射频场效应晶体管串联电阻可缩放模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

硅基毫米波共面波导可缩放神经网络模型: 3; 作者程知群靳立伟张齐军《微波学报》 CSCD 北大核心 2012年第1期1-4,共4页; 随着微电子工艺技术的发展,硅基CMOS器件的截止频率已经达到毫米波频段,使硅基微波单片集成电路实现成为可能。因此,建立硅基毫米波频段共面波导结构模型使准确设计硅基微波单片集成电路成为必要。文章提出了一种基于神经网络技术的共... 展开更多; 关键词硅基毫米波共面波导神经网络可缩放模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于PSO⁃BP神经网络的可缩放微波晶体管非线性电流建模: 4; 作者戴鹏飞戚军军吕红亮《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第3期219-223,共5页; 提出了一种基于人工神经网络的InP异质结双极晶体管(Heterojunction bipolar transistor,HBT)可缩放非线性电流模型,准确地表征了不同尺寸、不同温度下的直流特性。该模型采用了具有良好泛化能力的反向传播(Back⁃propagation,BP)神经网... 展开更多; 关键词粒子群算法反向传播神经网络可缩放模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

碳化硅基片上螺旋电感建模: 5; 作者曹泽华徐锐敏《微波学报》 CSCD 北大核心 2016年第S1期306-309,共4页; 在射频集成电路设计中,片上螺旋电感应用非常广泛。对于GaN器件,由于其单晶制备困难,无法进行同质外延,选用SiC作为GaN器件衬底是较为理想的选择。本文将针对SiC衬底进行片上螺旋电感建模,基于Enhance 1-p等效电路模型,可缩放模型中所... 展开更多; 关键词 GaN工艺螺旋电感等效电路模型可缩放模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于HICUM模型的高速锗硅异质结双极性晶体管可缩放模型研究(英文) 被引量：1: 1; 作者周伟坚程知群刘军; 机构杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室; 出处《电子器件》 CAS 2010年第5期561-564,共4页; 基金国家科技重大专项资助(2009ZX02303-005); 文摘针对高速锗硅异质结双极性晶体管,在基于HICUM模型的基础上,建立了HICUM可缩放模型,并且在ADS和Hspice中都得到了很好的应用。可缩放模型是基于不同的尺寸的器件而建立的,所有可缩放模型中的参数都是直接从不同尺寸器件的测量数据中取得的,并且通过比较直流、电压电容关系、截止频率和S参数的测量和仿真数据,可以看出拟合结果比较好,HICUM可缩放模型得到了很好的验证。; 关键词可缩放模型锗硅HBT HICUM模型; Keywords scalable model SiGe HBT HICUM model; 分类号 TN325.1 [电子电信—物理电子学] TN325.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一个适用于RFIC设计的RF MOSFET源漏电阻可缩放模型(英文): 2; 作者余裕宁孙玲玲刘军; 机构杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室; 出处《电子器件》 CAS 2010年第4期428-432,共5页; 基金国家自然科学基金资助(60706002); 文摘提出了一个可用于0.18μmCMOS工艺RF-MOSFET的源漏电阻的可缩放模型。采用了一种直接基于S参数测量的方法来准确提取端口的寄生电阻,该模型充分考虑了各种版图尺寸,如沟道长度,沟道宽度和栅极指头数目等参数的可缩放性。此后,该模型通过不同尺寸的共源连接RFMOSFET的测量和仿真的直流、小信号S参数特性比对,曲线达到了较好的吻合,表明我们的模型是精确而且有效的。; 关键词射频场效应晶体管串联电阻可缩放模型; Keywords RF MOSFETs source and drain resistances scalable model; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学] TN926 [电子电信—通信与信息系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名硅基毫米波共面波导可缩放神经网络模型: 3; 作者程知群靳立伟张齐军; 机构杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室卡尔顿大学电子工程系; 出处《微波学报》 CSCD 北大核心 2012年第1期1-4,共4页; 基金国家973项目(2010CB327400) 浙江省自然科学基金重点项目(Z1110937); 文摘随着微电子工艺技术的发展,硅基CMOS器件的截止频率已经达到毫米波频段,使硅基微波单片集成电路实现成为可能。因此,建立硅基毫米波频段共面波导结构模型使准确设计硅基微波单片集成电路成为必要。文章提出了一种基于神经网络技术的共面波导结构(CPW)毫米波可缩放模型,采用3层神经网络结构,根据共面波导的测试结果,用神经网络来学习其物理变量和测试的相应S参数空间映射关系。仿真与测试结果比较表明:基于神经网络方法建立的毫米波共面波导可缩放模型对不同几何参数CPW能够快速和准确地给出对应的CPW的S参数结果。; 关键词硅基毫米波共面波导神经网络可缩放模型; Keywords silicon-based, millimeter-wave, coplanar waveguide（ CPW）, neural networks, scalable model; 分类号 TP183 [自动化与计算机技术—控制理论与控制工程] TN814 [电子电信—信息与通信工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于PSO⁃BP神经网络的可缩放微波晶体管非线性电流建模: 4; 作者戴鹏飞戚军军吕红亮; 机构南京电子器件研究所西安电子科技大学微电子学院; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第3期219-223,共5页; 文摘提出了一种基于人工神经网络的InP异质结双极晶体管(Heterojunction bipolar transistor,HBT)可缩放非线性电流模型,准确地表征了不同尺寸、不同温度下的直流特性。该模型采用了具有良好泛化能力的反向传播(Back⁃propagation,BP)神经网络,并使用粒子群优化(Particle swarm algorithm,PSO)算法找到最佳的网络权重和偏置来规避其容易陷入局部最小值的问题。对不同尺寸、不同温度和不同偏置下的器件非线性直流特性测试数据,将其分为训练数据集和测试数据集,基于PSO⁃BP神经网络进行训练。最终,通过对比收敛迭代次数、不同温度下的可缩放非线性电流精度以及建模结果,验证了PSO⁃BP神经网络能够很好地表征InP HBT器件在不同温度下的可缩放非线性电流特性,证实了该模型具有较快的收敛速度、建模精度和泛化能力。; 关键词粒子群算法反向传播神经网络可缩放模型; Keywords particle swarm algorithm back-propagation neural network scalable model; 分类号 TN385 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名碳化硅基片上螺旋电感建模: 5; 作者曹泽华徐锐敏; 机构电子科技大学极高频复杂系统国防重点学科实验室; 出处《微波学报》 CSCD 北大核心 2016年第S1期306-309,共4页; 文摘在射频集成电路设计中,片上螺旋电感应用非常广泛。对于GaN器件,由于其单晶制备困难,无法进行同质外延,选用SiC作为GaN器件衬底是较为理想的选择。本文将针对SiC衬底进行片上螺旋电感建模,基于Enhance 1-p等效电路模型,可缩放模型中所有集总元件均用与电感的物理尺寸相关联的方程表示,并能准确表征使用同一工艺制造但不同尺寸射频螺旋电感的电性能。对一批具有不同电感值、圈数、线宽、间距、内径的方形螺旋电感进行仿真验证,结果表明,在谐振频率或20GHz以下,等效电路模型的S参数计算值可以很好的吻合电磁仿真结果,幅度相对误差小于10%,相位绝对误差小于5度。; 关键词 GaN工艺螺旋电感等效电路模型可缩放模型; Keywords GaN process sprial inductors equivalent circuit model scalable model; 分类号 TM55 [电气工程—电器] TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于HICUM模型的高速锗硅异质结双极性晶体管可缩放模型研究(英文)	周伟坚程知群刘军	《电子器件》 CAS	2010	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	一个适用于RFIC设计的RF MOSFET源漏电阻可缩放模型(英文)	余裕宁孙玲玲刘军	《电子器件》 CAS	2010	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	硅基毫米波共面波导可缩放神经网络模型	程知群靳立伟张齐军	《微波学报》 CSCD 北大核心	2012	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基于PSO⁃BP神经网络的可缩放微波晶体管非线性电流建模	戴鹏飞戚军军吕红亮	《固体电子学研究与进展》 CAS	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	碳化硅基片上螺旋电感建模	曹泽华徐锐敏	《微波学报》 CSCD 北大核心	2016	0	在线阅读下载PDF 职称材料