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题名PROM器件中Ni-Cr熔丝的设计
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作者
孙承松
张丽娟
陈桂梅
袁凯
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机构
沈阳工业大学信息科学与工程学院
东北微电子研究所
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出处
《沈阳工业大学学报》
EI
CAS
2006年第3期315-317,共3页
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文摘
介绍了应用在PROM器件中的Ni-Cr熔丝电阻的设计.熔丝是决定PROM器件稳定性的关键元件.Ni-Cr薄膜材料有良好的半导体加工特性和温度稳定性.通过热学分析和测试实验,得到相关数据,设计出熔丝形状以及三维尺寸.再根据此集成电路器件的整体版图布局设计出可应用到PROM中的Ni-Cr熔丝.采用磁控溅射方法,通过控制工艺条件得到所需的薄膜厚度,经光刻形成所需图形.通过产品的读取测试实验,取得了良好的效果.
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关键词
Ni—Cr电阻
熔丝
可编程只读存储器
集成电路
设计
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Keywords
Ni-Cr resistor
fuse
PROM
IC
design
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分类号
TN710
[电子电信—电路与系统]
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题名三维数字沙盘标准模块的设计与实现
被引量：3
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作者
杨奇
车明
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机构
天津大学计算机科学与技术学院天津市认知计算与应用重点实验室
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出处
《计算机工程》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第3期51-56,共6页
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基金
"十二五"国家科技支撑计划项目(2012BAJ24B04-4)
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文摘
为完成对三维数字沙盘机械装置的控制,设计基于嵌入式的三维数字沙盘标准模块,并针对机械装置自身硬件误差导致的行程中断异常以及突发性断电后数据丢失等问题,提出从软件角度弥补硬件行程中断误差以及预防断电的数据保护方案。硬件行程中断误差的弥补方案通过模拟中断过滤层,设计消抖机制和中断合法性机制,过滤杂波并判断中断的合法性,保留正确的中断脉冲,从而保证中断模块的准确响应。防断电的数据保护方案是基于EEPROM对目标数据、数据状态及模块状态的存储,通过模块状态判断是否对装置进行恢复,根据数据状态判定目标数据的有效性,为装置的恢复提供有效数据。理论分析及实验结果表明,与原始方法相比,该方案机械装置出错率降至0.5%,并在供电异常时可进行有效恢复,提高了机械装置的稳定性和可靠性。
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关键词
三维数字沙盘
硬件误差
电擦除可编程只读存储器
可靠控制
数据保护
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Keywords
3 D digital sandbox
hardware error
Electrically Erasable Programmable Read-only Memory （EEPROM）
reliable control
data protection
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分类号
TP368.1
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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题名基于栅氧化层损伤EEPROM的失效分析
被引量：3
- 3
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作者
赵扬
陈燕宁
单书珊
赵明敏
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机构
北京智芯微电子科技有限公司
北京智芯微电子科技有限公司
中国电力科学研究院
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第1期72-76,共5页
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基金
国家电网公司科技项目(GYB17201700325)
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文摘
随着超大规模集成(VLSI)电路的发展,芯片结构及工艺变得日益复杂,同时给失效分析工作带来了挑战。内嵌式存储器作为片上系统(SOC)内部模块的重要组成部分,其具有结构复杂、密度高等特点,常规的失效分析手段难以准确定位其失效模式和机理。介绍了红外发光显微镜(EMMI)、电压衬度(VC)、去层、聚焦离子束(FIB)的分析原理及组合失效分析技术。针对传统分析手段的不足及局限性,提出了采用一种选择性刻蚀方法对栅氧化层的微小缺陷进行定位与分析。研究结果表明,该方法对分析栅氧化层击穿等缺陷损伤具有明显的优势,可以减少分析时间并提高失效分析成功率。
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关键词
电可擦可编程只读存储器(EEPROM)
失效分析
电压衬度(VC)
聚焦离子束(FIB)
栅氧化层
缺陷
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Keywords
electrically erasable programmable read-only memory(EEPROM)
failure analysis
voltage contrast(VC)
focused ion beam(FIB)
gate-oxide layer
defect
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分类号
TN406
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名一种用于TCOCXO的数据修调电路
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作者
徐润
张春雷
胡锦龙
梁科
李国峰
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机构
南开大学电子信息与光学工程学院天津市光电传感器与传感网络重点实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第7期508-513,共6页
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文摘
采用VIS 0.15μm BCD工艺设计了一款应用于温度补偿恒温晶体振荡器(TCOCXO)专用集成电路(ASIC)的数据修调电路。该数据修调电路由逻辑控制电路和一种电可擦可编程只读存储器(EEPROM)构成,主要功能是完成TCOCXO ASIC中温度补偿的控制及实现芯片的多模式工作。与通过模拟函数发生器实现的补偿方式相比,使用该数据修调电路实现的温度补偿方法可以实现更高的补偿精度和更小的芯片面积。通过该电路对TCOCXO ASIC进行调试与配置,搭载该ASIC的晶体振荡器在温度为-40~85℃时频率-温度稳定度可达SymbolqB@5×10^(-9)。TCOCXO ASIC的测试结果表明,这种修调方法在减小芯片面积的同时可以实现更高精度的频率-温度补偿。
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关键词
温度补偿恒温晶体振荡器(TCOCXO)
数据修调
电可擦可编程只读存储器(EEPROM)
频率-温度稳定度
专用集成电路(ASIC)
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Keywords
temperature-compensated oven-controlled crystal oscillator(TCOCXO)
data trimming
electrically erasable programmable read only memory(EEPROM)
frequency-temperature stability
application specific integrated circuit(ASIC)
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分类号
TN492
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名电子式计数器停电记忆功能电路分析
被引量：1
- 5
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作者
钱宁
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机构
奥托尼克斯电子(嘉兴)有限公司
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出处
《机电工程》
CAS
2014年第4期532-536,共5页
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文摘
针对电子式计数器类仪器仪表在突然断电或欠压时,如何才能实现保存断电之前的计数数据,并在供电恢复后从停电之前的数据状态开始继续工作的问题,在分析了工业控制领域实现停电记忆的各种方法及各自的优、缺点的基础上,着重分析了CT系列电子式计数器停电记忆功能的实现方法,通过对CT系列电子式计数器的集成电路芯片工作电压分别为5 V和3.3 V两种情况下的停电记忆部分的电路进行比较,建立起了在这两种不同的工作电压下,因断电时电压变化不同而导致停电记忆信号具有差异的关系。接着从功耗上对使用这两种不同工作电压的集成电路的优劣进行了评价。研究结果表明,CT系列电子式计数器的停电记忆装置简单实用,使用工作电压为3.3 V的集成电路芯片能获得更稳定的停电记忆效果。
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关键词
电子计数器
停电记忆功能
稳压二极管
电可擦可编程只读存储器
断电电压变化
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Keywords
electronic counter
power-off memory function
zener diode
electrically-erasable programmable read-only memory
change of voltage after switch off
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分类号
TH724
[机械工程—精密仪器及机械]
TM133
[电气工程—电工理论与新技术]
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