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基于可动电荷的SiGe HBT势垒电容
被引量：
1
1
作者
吕懿
张鹤鸣
+2 位作者
戴显英
胡辉勇
舒斌
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期837-840,共4页
当SiGeHBT处于交流放大状态时,发射结空间电荷区和集电结空间电荷区存在可动电荷,因此,在考虑它们的势垒电容时,应采用微分电容.另外,集电结势垒区宽度与电流密度密切相关,依据电流密度该电容有3种情况.在SiGeHBT载流子输运基础上,建立...
当SiGeHBT处于交流放大状态时,发射结空间电荷区和集电结空间电荷区存在可动电荷,因此,在考虑它们的势垒电容时,应采用微分电容.另外,集电结势垒区宽度与电流密度密切相关,依据电流密度该电容有3种情况.在SiGeHBT载流子输运基础上,建立了考虑发射势垒区载流子分布的势垒电容模型和不同电流密度下的集电结势垒电容模型.
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关键词
SIGE
HBT
势垒电容
微分电容
可动电荷
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职称材料
不同栅氧退火工艺下的SiC MOS电容及其界面电学特性
2
作者
付兴中
刘俊哲
+4 位作者
薛建红
尉升升
谭永亮
王德君
张力江
《半导体技术》
CAS
北大核心
2025年第1期32-38,共7页
SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性是评价和改进SiC MOS器件制造工艺的重要依据。通过依次测试SiC MOS器件的氧化物绝缘特性、界面态密度、偏压温度应力不稳定性(偏压温度应力条件下的平带电压漂移)、氧化物陷阱电荷密度和可动电荷...
SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性是评价和改进SiC MOS器件制造工艺的重要依据。通过依次测试SiC MOS器件的氧化物绝缘特性、界面态密度、偏压温度应力不稳定性(偏压温度应力条件下的平带电压漂移)、氧化物陷阱电荷密度和可动电荷密度的方法,对分别经过氮等离子体氧化后退火(POA)处理、氮氢混合等离子体POA处理、氮氢氧混合等离子体POA处理、氮氢氯混合等离子体POA处理的SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性进行了分析。结果表明,该方法可以系统地评价SiC MOS电容电学特性和栅氧界面特性,经过氮氢氯混合等离子体POA处理的SiC MOS电容可以满足高温、大场强下长期运行的性能指标。
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关键词
SiC
MOS电容
氧化后退火(POA)
平带电压漂移
氧化物陷阱
电荷
可动电荷
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职称材料
栅氧化层及界面电荷对SiC MOSFET阈值电压稳定性的影响
被引量：
1
3
作者
刘兆慧
尉升升
+2 位作者
于洪权
尹志鹏
王德君
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第6期463-469,共7页
阈值电压不稳定是SiC MOSFET的一个主要问题,而栅氧化层及界面电荷是引起器件阈值电压不稳定的关键因素。结合三角波电压扫描法和中带电压法提取了SiC MOSFET中的栅氧化层陷阱电荷面密度、界面陷阱电荷面密度和可动电荷面密度随应力时...
阈值电压不稳定是SiC MOSFET的一个主要问题,而栅氧化层及界面电荷是引起器件阈值电压不稳定的关键因素。结合三角波电压扫描法和中带电压法提取了SiC MOSFET中的栅氧化层陷阱电荷面密度、界面陷阱电荷面密度和可动电荷面密度随应力时间的变化量,总结了三种电荷面密度变化量在不同应力时间下的变化规律,分析了其对器件阈值电压不稳定性的影响,同时推测了长时间偏压作用下SiC MOSFET阈值电压稳定性的劣化机制。测试结果表明,栅氧化层陷阱电荷面密度、界面陷阱电荷面密度和可动电荷面密度在不同偏压温度下随应力时间的变化规律不同,常温应力下器件阈值电压稳定性劣化主要与栅氧化层陷阱电荷有关,而高温下,则主要与界面陷阱电荷有关。
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关键词
SiC
MOSFET
阈值电压不稳定性
栅氧化层陷阱
电荷
界面陷阱
电荷
可动电荷
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职称材料
题名
基于可动电荷的SiGe HBT势垒电容
被引量：
1
1
作者
吕懿
张鹤鸣
戴显英
胡辉勇
舒斌
机构
西安电子科技大学微电子所
出处
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期837-840,共4页
基金
国家部委预研基金资助项目(51408010301DZ0131)
文摘
当SiGeHBT处于交流放大状态时,发射结空间电荷区和集电结空间电荷区存在可动电荷,因此,在考虑它们的势垒电容时,应采用微分电容.另外,集电结势垒区宽度与电流密度密切相关,依据电流密度该电容有3种情况.在SiGeHBT载流子输运基础上,建立了考虑发射势垒区载流子分布的势垒电容模型和不同电流密度下的集电结势垒电容模型.
关键词
SIGE
HBT
势垒电容
微分电容
可动电荷
Keywords
Capacitance measurement
Charge carriers
Gates (transistor)
Junction gate field effect transistors
Semiconductor junctions
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
TN323.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
不同栅氧退火工艺下的SiC MOS电容及其界面电学特性
2
作者
付兴中
刘俊哲
薛建红
尉升升
谭永亮
王德君
张力江
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
大连理工大学控制科学与工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2025年第1期32-38,共7页
文摘
SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性是评价和改进SiC MOS器件制造工艺的重要依据。通过依次测试SiC MOS器件的氧化物绝缘特性、界面态密度、偏压温度应力不稳定性(偏压温度应力条件下的平带电压漂移)、氧化物陷阱电荷密度和可动电荷密度的方法,对分别经过氮等离子体氧化后退火(POA)处理、氮氢混合等离子体POA处理、氮氢氧混合等离子体POA处理、氮氢氯混合等离子体POA处理的SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性进行了分析。结果表明,该方法可以系统地评价SiC MOS电容电学特性和栅氧界面特性,经过氮氢氯混合等离子体POA处理的SiC MOS电容可以满足高温、大场强下长期运行的性能指标。
关键词
SiC
MOS电容
氧化后退火(POA)
平带电压漂移
氧化物陷阱
电荷
可动电荷
Keywords
SiC MOS capacitor
post-oxidation annealing(POA)
flat-band voltage shift
oxide trap charge
mobile charge
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
栅氧化层及界面电荷对SiC MOSFET阈值电压稳定性的影响
被引量：
1
3
作者
刘兆慧
尉升升
于洪权
尹志鹏
王德君
机构
大连理工大学电子信息与电气工程学部控制科学与工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第6期463-469,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(61874017)。
文摘
阈值电压不稳定是SiC MOSFET的一个主要问题,而栅氧化层及界面电荷是引起器件阈值电压不稳定的关键因素。结合三角波电压扫描法和中带电压法提取了SiC MOSFET中的栅氧化层陷阱电荷面密度、界面陷阱电荷面密度和可动电荷面密度随应力时间的变化量,总结了三种电荷面密度变化量在不同应力时间下的变化规律,分析了其对器件阈值电压不稳定性的影响,同时推测了长时间偏压作用下SiC MOSFET阈值电压稳定性的劣化机制。测试结果表明,栅氧化层陷阱电荷面密度、界面陷阱电荷面密度和可动电荷面密度在不同偏压温度下随应力时间的变化规律不同,常温应力下器件阈值电压稳定性劣化主要与栅氧化层陷阱电荷有关,而高温下,则主要与界面陷阱电荷有关。
关键词
SiC
MOSFET
阈值电压不稳定性
栅氧化层陷阱
电荷
界面陷阱
电荷
可动电荷
Keywords
SiC MOSFET
threshold voltage instability
gate⁃oxide layer trap charge
interface trap charge
mobile charge
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于可动电荷的SiGe HBT势垒电容
吕懿
张鹤鸣
戴显英
胡辉勇
舒斌
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
不同栅氧退火工艺下的SiC MOS电容及其界面电学特性
付兴中
刘俊哲
薛建红
尉升升
谭永亮
王德君
张力江
《半导体技术》
CAS
北大核心
2025
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
栅氧化层及界面电荷对SiC MOSFET阈值电压稳定性的影响
刘兆慧
尉升升
于洪权
尹志鹏
王德君
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023
1
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职称材料
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