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深亚微米CMOS运算放大器的综合
被引量：
8
1
作者
易婷
洪志良
《计算机辅助设计与图形学学报》
EI
CSCD
北大核心
2004年第12期1631-1639,共9页
利用一种计算电路直流工作点的技术 ,并采用基于BSIM 3v3MOS模型的MOS管评估器来提高基于公式法进行电路综合的精度 ;同时提出一种综合策略 ,使得综合后得出的运算放大器在工艺波动和工作条件 (如电源电压和温度 )变化时 ,仍能满足性能...
利用一种计算电路直流工作点的技术 ,并采用基于BSIM 3v3MOS模型的MOS管评估器来提高基于公式法进行电路综合的精度 ;同时提出一种综合策略 ,使得综合后得出的运算放大器在工艺波动和工作条件 (如电源电压和温度 )变化时 ,仍能满足性能要求 大量的实验结果表明 :文中方法可以快速综合出可制造的深亚微米CMOS运算放大器。
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关键词
CMOS运算放大器
模拟
电路
综合
直流工作点
可制造性电路设计
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职称材料
题名
深亚微米CMOS运算放大器的综合
被引量：
8
1
作者
易婷
洪志良
机构
复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室
出处
《计算机辅助设计与图形学学报》
EI
CSCD
北大核心
2004年第12期1631-1639,共9页
文摘
利用一种计算电路直流工作点的技术 ,并采用基于BSIM 3v3MOS模型的MOS管评估器来提高基于公式法进行电路综合的精度 ;同时提出一种综合策略 ,使得综合后得出的运算放大器在工艺波动和工作条件 (如电源电压和温度 )变化时 ,仍能满足性能要求 大量的实验结果表明 :文中方法可以快速综合出可制造的深亚微米CMOS运算放大器。
关键词
CMOS运算放大器
模拟
电路
综合
直流工作点
可制造性电路设计
Keywords
CMOS operational amplifier
analog circuit synthesis
operating point
manufacturable circuit design
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
深亚微米CMOS运算放大器的综合
易婷
洪志良
《计算机辅助设计与图形学学报》
EI
CSCD
北大核心
2004
8
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