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叠层高k栅介质中远程界面粗糙散射的理论模型
被引量：
2
1
作者
张雪锋
邱云贞
+4 位作者
张振娟
陈云
黄静
王志亮
徐静平
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期180-183,217,共5页
利用双子带近似,从理论上研究了远程界面粗糙散射对叠层高k栅介质MOSFET反型载流子迁移率的退化作用,模拟了叠层高k栅介质结构参数和材料参数对远程界面粗糙散射的影响。结果表明,对于精确的迁移率模型,远程界面粗糙散射必须加以考虑,另...
利用双子带近似,从理论上研究了远程界面粗糙散射对叠层高k栅介质MOSFET反型载流子迁移率的退化作用,模拟了叠层高k栅介质结构参数和材料参数对远程界面粗糙散射的影响。结果表明,对于精确的迁移率模型,远程界面粗糙散射必须加以考虑,另外,在设计叠层高k栅介质MOSFET时,在EOT得到满足的条件下,尽可能利用具有较高介电常数的界面层和具有较低介电常数的高k栅介质,可以减小迁移率退化。
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关键词
叠层高k栅介质
远程界面粗糙散射迁移率
金属-氧化物-半导体场效应晶体管
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职称材料
题名
叠层高k栅介质中远程界面粗糙散射的理论模型
被引量：
2
1
作者
张雪锋
邱云贞
张振娟
陈云
黄静
王志亮
徐静平
机构
南通大学电子信息学院
华中科技大学电子科学与技术系
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期180-183,217,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(60776016)
江苏省高校自然科学研究基金(09KJD510003)
南通大学科研启动基金(09R08)
文摘
利用双子带近似,从理论上研究了远程界面粗糙散射对叠层高k栅介质MOSFET反型载流子迁移率的退化作用,模拟了叠层高k栅介质结构参数和材料参数对远程界面粗糙散射的影响。结果表明,对于精确的迁移率模型,远程界面粗糙散射必须加以考虑,另外,在设计叠层高k栅介质MOSFET时,在EOT得到满足的条件下,尽可能利用具有较高介电常数的界面层和具有较低介电常数的高k栅介质,可以减小迁移率退化。
关键词
叠层高k栅介质
远程界面粗糙散射迁移率
金属-氧化物-半导体场效应晶体管
Keywords
stac
k
ed high-
k
dielectric
remote-interface-roughness-scattering
MOSFET
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
TN301.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
叠层高k栅介质中远程界面粗糙散射的理论模型
张雪锋
邱云贞
张振娟
陈云
黄静
王志亮
徐静平
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2010
2
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