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柔性H_(f)O_(2)/Ta_(2)O_(5)叠层栅介质ZnO薄膜晶体管
被引量：
1
1
作者
胡伟涛
杨帆
+3 位作者
杨小天
王超
王艳杰
孙名扬
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第10期1310-1316,共7页
为了有效提高柔性薄膜晶体管的电学性能,室温条件下,在聚酰亚胺(PI)衬底上使用H_(f)O_(2)/Ta_(2)O_(5)两种高介电常数材料相结合的叠层结构代替单层Ta_(2)O_(5)作为栅电介质,探究其对器件电学性能的影响。采用磁控溅射法制备薄膜,研究...
为了有效提高柔性薄膜晶体管的电学性能,室温条件下,在聚酰亚胺(PI)衬底上使用H_(f)O_(2)/Ta_(2)O_(5)两种高介电常数材料相结合的叠层结构代替单层Ta_(2)O_(5)作为栅电介质,探究其对器件电学性能的影响。采用磁控溅射法制备薄膜,研究了叠层栅电介质结构中Ta_(2)O_(5)层在不同溅射时长、不同氧氩比条件下对于器件电学性能的影响,并进行H_(f)O_(2)/Ta_(2)O_(5)叠层栅电介质器件与Ta_(2)O_(5)单层栅电介质器件的比较。结果表明,Ta_(2)O_(5)栅电介质层在溅射时长为1 h、氧氩比为10∶90时,器件电学性能达到最佳。叠层栅电介质结构的引入显著提高了器件电学性能,电流开关比为1.27×10^(6),阈值电压为9.1 V,亚阈值摆幅为0.54 V/decade,载流子迁移率为7.03 cm^(2)/(V·s)。
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关键词
PI
叠层栅电介质
磁控溅射法
溅射时长
氧氩比
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职称材料
题名
柔性H_(f)O_(2)/Ta_(2)O_(5)叠层栅介质ZnO薄膜晶体管
被引量：
1
1
作者
胡伟涛
杨帆
杨小天
王超
王艳杰
孙名扬
机构
吉林建筑大学电气与计算机学院
吉林建筑大学寒地建筑综合节能教育部重点实验室
吉林师范大学
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第10期1310-1316,共7页
基金
吉林省科技发展计划(No.20200201177JC,No.20210203021SF)
吉林省科技厅中央引导地方科研项目(No.202002012JC)
吉林省教育厅科学技术研究项目(No.JJKH20210256KJ,No.JJKH20210277KJ,No.JJKH20210276KJ)。
文摘
为了有效提高柔性薄膜晶体管的电学性能,室温条件下,在聚酰亚胺(PI)衬底上使用H_(f)O_(2)/Ta_(2)O_(5)两种高介电常数材料相结合的叠层结构代替单层Ta_(2)O_(5)作为栅电介质,探究其对器件电学性能的影响。采用磁控溅射法制备薄膜,研究了叠层栅电介质结构中Ta_(2)O_(5)层在不同溅射时长、不同氧氩比条件下对于器件电学性能的影响,并进行H_(f)O_(2)/Ta_(2)O_(5)叠层栅电介质器件与Ta_(2)O_(5)单层栅电介质器件的比较。结果表明,Ta_(2)O_(5)栅电介质层在溅射时长为1 h、氧氩比为10∶90时,器件电学性能达到最佳。叠层栅电介质结构的引入显著提高了器件电学性能,电流开关比为1.27×10^(6),阈值电压为9.1 V,亚阈值摆幅为0.54 V/decade,载流子迁移率为7.03 cm^(2)/(V·s)。
关键词
PI
叠层栅电介质
磁控溅射法
溅射时长
氧氩比
Keywords
PI
stacking gate dielectric
magnetron sputtering
sputtering time
oxygen-argon ratio
分类号
TN321.5 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
柔性H_(f)O_(2)/Ta_(2)O_(5)叠层栅介质ZnO薄膜晶体管
胡伟涛
杨帆
杨小天
王超
王艳杰
孙名扬
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2022
1
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