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不同厚度WS_(2)光学性质
1
作者
吴春林
杨明明
+5 位作者
谭丽
穆轩宇
郑洪
王佳乐
兰飞飞
李晓莉
《河北大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2024年第6期612-618,共7页
利用光学手段对蓝宝石衬底上生长的大面积单层、少层、块体WS_(2)的物理性质进行研究.首先利用原子力显微镜测量样品的厚度估算样品层数,并利用X线衍射测量样品的晶相判断其单晶特性.然后通过拉曼光谱和光致发光光谱技术研究样品的质量...
利用光学手段对蓝宝石衬底上生长的大面积单层、少层、块体WS_(2)的物理性质进行研究.首先利用原子力显微镜测量样品的厚度估算样品层数,并利用X线衍射测量样品的晶相判断其单晶特性.然后通过拉曼光谱和光致发光光谱技术研究样品的质量和光学特性,发现E_(2g)^(1)模和A_(1g)模明显且尖锐,说明晶格结构比较完整,2个模式随着层数增加发生频移;单层和多层WS_(2)的直接激子跃迁峰均存在不对称性,说明都存在电荷掺杂,其光致发光强度随着层数增加发生减弱.进一步通过测试变激发功率拉曼光谱和变激发功率光致发光光谱,发现少层、块体WS_(2)中的E_(2g)^(1)模随着激发功率的增加未发生频移,说明激光热效应可以忽略;少层、块体WS_(2)中的直接激子跃迁峰随激发功率的增加发生频移,说明存在载流子的相互作用;少层WS_(2)光致发光强度的变化幅度大于块体,这与层间相互作用强弱有关.
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关键词
WS_(2)
蓝宝石
化学气相沉积
拉曼光谱
光致发光光谱
变激发功率
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职称材料
InPBi禁带下红外光致发光效率的Bi组分依赖研究
2
作者
杨自力
王嫚
+3 位作者
余灯广
朱亮清
邵军
陈熙仁
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CSCD
北大核心
2023年第6期731-736,共6页
稀Bi半导体InPBi的光致发光(Photoluminescence,PL)主要来自缺陷能级跃迁过程,具有红外长波长、大线宽和高辐射强度等特点,因而引发广泛兴趣。针对InPBi的红外发光效率问题,本文研究了不同Bi组分InPBi的激发功率依赖红外PL光谱演化规律...
稀Bi半导体InPBi的光致发光(Photoluminescence,PL)主要来自缺陷能级跃迁过程,具有红外长波长、大线宽和高辐射强度等特点,因而引发广泛兴趣。针对InPBi的红外发光效率问题,本文研究了不同Bi组分InPBi的激发功率依赖红外PL光谱演化规律。实验发现,随着Bi组分增大,PL线型发生显著变化,导致发光波长总体红移;同时激发功率依赖的PL积分强度演化分析表明,发光效率随Bi组分先增大然后下降,在0.5%组分时发光效率达到峰值。发光效率增大一方面归因于Bi捕获空穴降低非辐射复合,另一方面来自Bi的表面活性剂效应;而高Bi组分引入过多缺陷从而抑制了Bi的优势,导致发光效率下降。这些结果或有助于理解InPBi的红外发射性能,表明InPBi具有红外光电子应用前景。
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关键词
变激发功率
InPBi
光致发光效率
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职称材料
题名
不同厚度WS_(2)光学性质
1
作者
吴春林
杨明明
谭丽
穆轩宇
郑洪
王佳乐
兰飞飞
李晓莉
机构
河北大学物理科学与技术学院
中国电子科技集团公司第四十六研究所
出处
《河北大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2024年第6期612-618,共7页
基金
河北省自然科学基金面上项目(A2024201029)。
文摘
利用光学手段对蓝宝石衬底上生长的大面积单层、少层、块体WS_(2)的物理性质进行研究.首先利用原子力显微镜测量样品的厚度估算样品层数,并利用X线衍射测量样品的晶相判断其单晶特性.然后通过拉曼光谱和光致发光光谱技术研究样品的质量和光学特性,发现E_(2g)^(1)模和A_(1g)模明显且尖锐,说明晶格结构比较完整,2个模式随着层数增加发生频移;单层和多层WS_(2)的直接激子跃迁峰均存在不对称性,说明都存在电荷掺杂,其光致发光强度随着层数增加发生减弱.进一步通过测试变激发功率拉曼光谱和变激发功率光致发光光谱,发现少层、块体WS_(2)中的E_(2g)^(1)模随着激发功率的增加未发生频移,说明激光热效应可以忽略;少层、块体WS_(2)中的直接激子跃迁峰随激发功率的增加发生频移,说明存在载流子的相互作用;少层WS_(2)光致发光强度的变化幅度大于块体,这与层间相互作用强弱有关.
关键词
WS_(2)
蓝宝石
化学气相沉积
拉曼光谱
光致发光光谱
变激发功率
Keywords
WS_(2)
sapphire
chemical vapor deposition(CVD)
Raman spectra
photoluminescence spectroscopy
variable excitation power
分类号
O433 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
InPBi禁带下红外光致发光效率的Bi组分依赖研究
2
作者
杨自力
王嫚
余灯广
朱亮清
邵军
陈熙仁
机构
上海理工大学材料与化学学院
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
华东师范大学物理与电子科学学院
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CSCD
北大核心
2023年第6期731-736,共6页
基金
国家自然科学基金(11974368,12274429)
上海市科学技术委员会(22QA1410600,20142201000)
中国科学院青年创新促进会(2019242)。
文摘
稀Bi半导体InPBi的光致发光(Photoluminescence,PL)主要来自缺陷能级跃迁过程,具有红外长波长、大线宽和高辐射强度等特点,因而引发广泛兴趣。针对InPBi的红外发光效率问题,本文研究了不同Bi组分InPBi的激发功率依赖红外PL光谱演化规律。实验发现,随着Bi组分增大,PL线型发生显著变化,导致发光波长总体红移;同时激发功率依赖的PL积分强度演化分析表明,发光效率随Bi组分先增大然后下降,在0.5%组分时发光效率达到峰值。发光效率增大一方面归因于Bi捕获空穴降低非辐射复合,另一方面来自Bi的表面活性剂效应;而高Bi组分引入过多缺陷从而抑制了Bi的优势,导致发光效率下降。这些结果或有助于理解InPBi的红外发射性能,表明InPBi具有红外光电子应用前景。
关键词
变激发功率
InPBi
光致发光效率
Keywords
excitation power dependence
InPBi
photoluminescence efficiency
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
在线阅读
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
不同厚度WS_(2)光学性质
吴春林
杨明明
谭丽
穆轩宇
郑洪
王佳乐
兰飞飞
李晓莉
《河北大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2024
0
在线阅读
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职称材料
2
InPBi禁带下红外光致发光效率的Bi组分依赖研究
杨自力
王嫚
余灯广
朱亮清
邵军
陈熙仁
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CSCD
北大核心
2023
0
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职称材料
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
统计分析
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