TN241 97042208InGaAs/GaAs应变层量子阱激光器深中心行为=Behaviourof deep centers in InGaAs/GaAsstrained layer quantum well lasers[刊,中]/卢励吾,封松林,周洁(中科院半导体所半导体超晶格国家重点实验室.北京(100083)),杨国文,...TN241 97042208InGaAs/GaAs应变层量子阱激光器深中心行为=Behaviourof deep centers in InGaAs/GaAsstrained layer quantum well lasers[刊,中]/卢励吾,封松林,周洁(中科院半导体所半导体超晶格国家重点实验室.北京(100083)),杨国文,徐俊英(中科院半导体所集成光电子学联合实验室半导体所实验区.北京(100083)),郭春伟(北京四通办公设备有限公司.北京(100091))//半导体学报.—1996,17(7).展开更多
文摘TN241 97042208InGaAs/GaAs应变层量子阱激光器深中心行为=Behaviourof deep centers in InGaAs/GaAsstrained layer quantum well lasers[刊,中]/卢励吾,封松林,周洁(中科院半导体所半导体超晶格国家重点实验室.北京(100083)),杨国文,徐俊英(中科院半导体所集成光电子学联合实验室半导体所实验区.北京(100083)),郭春伟(北京四通办公设备有限公司.北京(100091))//半导体学报.—1996,17(7).
