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考虑热电池激活时间散布的引信发火能量精准控制方法
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作者 严秉谦 李豪杰 +2 位作者 陈志鹏 乔诗翔 原红伟 《探测与控制学报》 CSCD 北大核心 2024年第2期18-26,32,共10页
随着弹药威力的增加以及近距离作战的需求,迫切需要引信在弹药发射后由安全状态向待发状态快速转变,因此需要优化引信发火能量控制策略。针对引信热电池工作初期电能输出与带负载能力不足的问题,建立引信发火电能控制模型并展开分析,通... 随着弹药威力的增加以及近距离作战的需求,迫切需要引信在弹药发射后由安全状态向待发状态快速转变,因此需要优化引信发火能量控制策略。针对引信热电池工作初期电能输出与带负载能力不足的问题,建立引信发火电能控制模型并展开分析,通过增加发火电容充电延时,并进行延时参数优化,从发火能量控制角度来满足弹药在不同作战条件下安全距离及最小作战距离的双重约束要求。发射前根据弹丸初速、热电池上电时间散布特性、引信电路参数等条件解算充电延时时间参数值,利用武器平台与弹丸的信息交联,实时调整引信充电延时以实现引信发火电路安全与起爆条件精准控制。仿真分析了充电延时与电路参数、安全距离以及最小作战距离的关系,并通过试验验证了该方法的有效性。 展开更多
关键词 引信安全性设计 近距离作战 热电池 引信发火能量控制 充电延时 引信信息交联
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小尺寸SCB裸桥与涂LTNR时的电爆发火特性 被引量:1
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作者 樊志伟 严楠 +4 位作者 贺翔 张良 李朝振 张威 李宋 《兵器装备工程学报》 CAS 北大核心 2020年第9期29-35,共7页
为了研究小尺寸半导体桥(Semiconductor Bridge,SCB)裸桥和涂斯蒂芬酸铅(Lead Styphnate,LTNR)时的电爆发火特性,在22μF电容放电条件下,对小尺寸磷掺杂单晶硅SCB裸桥与涂LTNR时的电爆、后期放电(Late Time Discharge,LTD)过程的能量及... 为了研究小尺寸半导体桥(Semiconductor Bridge,SCB)裸桥和涂斯蒂芬酸铅(Lead Styphnate,LTNR)时的电爆发火特性,在22μF电容放电条件下,对小尺寸磷掺杂单晶硅SCB裸桥与涂LTNR时的电爆、后期放电(Late Time Discharge,LTD)过程的能量及时间数据进行了测试和对比分析。结果表明:裸桥和涂药SCB在8 V、12 V、16 V、20 V和24 V电压下电爆能量的平均值十分接近,裸桥和涂药SCB电爆能量值与电压大小无关。随着电压的提高,裸桥和涂药SCB的LTD能量及时间按照指数规律上升,发火之后的掺杂单晶硅层汽化的面积会不断扩大。裸桥和涂药SCB所有电爆发火样品的电爆能量平均值分别为34.29μJ和34.27μJ,LTNR涂药在电爆过程中吸收能量较少,对电爆能量的影响很小。 展开更多
关键词 半导体桥 电爆 斯蒂芬酸铅 发火能量 发火时间
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关于提高枪弹发火感度的研究 被引量:2
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作者 汪正胜 沈勇 《中国军转民》 2019年第11期57-60,共4页
提高枪弹发火感度的方法,通过调整枪弹底火内击发药组分及弹壳内火台高度提高枪弹发火感度。经过试验数据对比分析,证明方法合理可行。
关键词 最小发火能量 击发药组分 弹壳内火台高度
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低能爆炸箔点火器研究 被引量:5
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作者 杨振英 梁国英 +3 位作者 陈静 周智 张玉若 雷鸣 《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期419-422,共4页
为降低爆炸箔冲击片点燃B/KNO3点火药的发火能量,对B/KNO3药剂组分进行了细化处理,优化了压药密度。在压药密度为1.50~1.64g.cm-3、发火电容为0.12μF的条件下,采用升降法进行了发火试验,试验结果表明,爆炸箔冲击片点燃超细B/KNO3点火... 为降低爆炸箔冲击片点燃B/KNO3点火药的发火能量,对B/KNO3药剂组分进行了细化处理,优化了压药密度。在压药密度为1.50~1.64g.cm-3、发火电容为0.12μF的条件下,采用升降法进行了发火试验,试验结果表明,爆炸箔冲击片点燃超细B/KNO3点火药50%发火能量平均值约29mJ。在试验中监测了爆炸箔冲击点燃超细B/KNO3点火的爆发电流,测试表明:爆炸箔冲击片点燃超细B/KNO3点火药全发火爆发电流约500A。 展开更多
关键词 军事化学与烟火技术 爆炸箔点火器 B/KNO点火药 50%发火能量 爆发电流
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半导体桥(SCB)冲击片起爆技术研究 被引量:1
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作者 杨振英 杨树彬 +1 位作者 王新才 殷志南 《含能材料》 EI CAS CSCD 2007年第2期131-133,共3页
优化设计了硅半导体芯片及桥区参数,并对SCB冲击片起爆HNS-Ⅳ炸药及影响发火能量的因素进行了试验研究。结果表明,致密性好的SCB多晶硅,厚度为4μm时,50%发火能量低,起爆重现性好。
关键词 应用化学 起爆 半导体桥冲击片 发火能量 半导体芯片
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叠氮化铅驱动飞片起爆下级装药的试验研究 被引量:1
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作者 贺翔 杨立欣 +3 位作者 董海平 李朝振 严楠 樊志伟 《弹箭与制导学报》 北大核心 2023年第1期63-69,共7页
为了研究叠氮化铅驱动飞片的影响因素,采用钢凹法、锰铜压阻测爆压法研究了序列的发火能量、起爆药药量、隔爆元件的材料和厚度、点火药药量对序列传爆、隔爆能力的影响。结果表明:序列需同时满足最低发火能量和起爆药药量条件才能正常... 为了研究叠氮化铅驱动飞片的影响因素,采用钢凹法、锰铜压阻测爆压法研究了序列的发火能量、起爆药药量、隔爆元件的材料和厚度、点火药药量对序列传爆、隔爆能力的影响。结果表明:序列需同时满足最低发火能量和起爆药药量条件才能正常传爆,起爆所需的最低发火能量为3.4 mJ,叠氮化铅最小装药量4.7 mg;隔爆元件镍、硅材料的厚度在0.32~0.80 mm时,导爆药不发生爆轰反应,但产生了凹坑和烧蚀现象;点火药高度在0.25~1.25 mm时,起爆元件的爆压变化不显著。 展开更多
关键词 传爆序列 发火能量 点火药 起爆药 隔爆元件
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半导体桥上尖角、圆孔对其电爆性能的影响(英文) 被引量:1
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作者 周彬 毛国强 +4 位作者 秦志春 祝逢春 徐振相 陈飞 张文超 《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期349-352,共4页
设计了14种带有尖角和圆孔的半导体桥,研究了在电容放电发火条件下尖角、圆孔对其发火时间、发火所消耗的能量等性能参数的影响规律,并从半导体桥的作用机理方面对实验结果进行了分析。结果表明,SCB上V型尖角使得SCB发火时间和发火所消... 设计了14种带有尖角和圆孔的半导体桥,研究了在电容放电发火条件下尖角、圆孔对其发火时间、发火所消耗的能量等性能参数的影响规律,并从半导体桥的作用机理方面对实验结果进行了分析。结果表明,SCB上V型尖角使得SCB发火时间和发火所消耗的能量明显降低,而圆孔对SCB发火性能影响不明显。 展开更多
关键词 应用化学 火工品 半导体桥 发火时间 发火消耗能量
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