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SiO_2钝化提高CdSe/ZnS量子点的发光稳定性 被引量:4
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作者 宁平凡 刘宏伟 +4 位作者 牛萍娟 刘国旭 李晓云 韩丽丽 高轶群 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期109-114,共6页
光诱导功能退化是胶体量子点在应用中面临的主要挑战之一,本文针对这一问题研究了使用磁控溅射沉积SiO_2薄膜形成钝化层来提高CdSe/ZnS量子点发光稳定性的方法。首先,通过三正辛基膦辅助连续离子层吸附反应方法合成了615 nm发光的红色Cd... 光诱导功能退化是胶体量子点在应用中面临的主要挑战之一,本文针对这一问题研究了使用磁控溅射沉积SiO_2薄膜形成钝化层来提高CdSe/ZnS量子点发光稳定性的方法。首先,通过三正辛基膦辅助连续离子层吸附反应方法合成了615 nm发光的红色CdSe/ZnS量子点。然后将量子点旋涂在SiO_2/Si基片上,再通过磁控溅射方法在量子点上沉积了厚度为20 nm的SiO_2薄膜作为钝化层。使用连续波激光光源分别在空气气氛和真空条件下照射样品,研究了经过不同照射时间后钝化和未钝化量子点的稳态光致发光光谱。结果表明,随着照射时间的延长,没有SiO_2钝化的量子点的PL强度显著降低、PL峰值发生蓝移、FWHM不断增大。对比研究发现,由于SiO_2薄膜能够阻挡空气中的水和氧,减缓了量子点表面的光诱导氧化现象,因此显著提高了CdSe/ZnS量子点的稳定性。 展开更多
关键词 光致发光 量子点 CDSE/ZNS 发光稳定性 SiO2钝化
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改进(La、Ce、Tb)PO_4发光的热稳定性
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作者 邵奎甦 苏勉曾 《功能材料》 EI CAS CSCD 1992年第6期355-357,354,共4页
(La,Ce,Tb)PO_4发光的热稳定性较差,在材料中适当引入Li^+或BO_3^(3-)s后,室温下发光强度及发光的热稳定性都有了很大改善。Li^+或BO_3^(3-)的最佳掺入浓度分別为10.5mo1%及1.3mol%。通过测试激发及发射光谱的变化,分析了掺杂物在材料... (La,Ce,Tb)PO_4发光的热稳定性较差,在材料中适当引入Li^+或BO_3^(3-)s后,室温下发光强度及发光的热稳定性都有了很大改善。Li^+或BO_3^(3-)的最佳掺入浓度分別为10.5mo1%及1.3mol%。通过测试激发及发射光谱的变化,分析了掺杂物在材料发光过程中的作用。最后测试了掺杂前后样品的光衰情况。 展开更多
关键词 发光材料 磷酸稀土 发光稳定性
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掺钛化学腐蚀法制备发光稳定的多孔硅 被引量:5
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作者 梁二军 杜远东 +1 位作者 晁明举 王军 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期12-15,共4页
本文采用掺钛化学腐蚀法制备出了发光稳定性和均匀性都较好的多孔硅 (PS)。存放和退火试验表明 ,光致发光 (PL)谱峰位不蓝移 ,强度不衰减。多孔硅发光稳定性的提高归因于制备过程中样品表面原位氧和钛的钝化。钛的浓度和腐蚀时间对PL强... 本文采用掺钛化学腐蚀法制备出了发光稳定性和均匀性都较好的多孔硅 (PS)。存放和退火试验表明 ,光致发光 (PL)谱峰位不蓝移 ,强度不衰减。多孔硅发光稳定性的提高归因于制备过程中样品表面原位氧和钛的钝化。钛的浓度和腐蚀时间对PL强度有明显影响 ,最佳钛浓度约为 0 0 8mol·L- 1 ,最佳腐蚀时间约为 2 0min。掺钛化学腐蚀法制备的PS的光激发过程符合量子限域机制 ,而其PL过程却与量子限域模型不符 ,这表明其光发射过程不是带 带直接跃迁产生的 。 展开更多
关键词 多孔硅 发光稳定性 钛钝化 掺钛化学腐蚀法 发光均匀性 光致发光
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锗合金准二维钙钛矿发光二极管 被引量:2
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作者 谢光耀 王俊杰 +5 位作者 毛雨 陈丹 曾慕雪 欧家琦 钟睿 彭俊彪 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第8期1451-1462,共12页
钙钛矿由于其出色的光电特性,在显示和照明领域具有潜在的应用价值。为降低重金属Pb含量,本文采用锗离子(Ge^(2+))部分取代Pb^(2+)进行合金化,并探索提高其电致发光性能的途径。由于Ge合金化可以使钙钛矿容忍因子更趋近于1,有望提高器... 钙钛矿由于其出色的光电特性,在显示和照明领域具有潜在的应用价值。为降低重金属Pb含量,本文采用锗离子(Ge^(2+))部分取代Pb^(2+)进行合金化,并探索提高其电致发光性能的途径。由于Ge合金化可以使钙钛矿容忍因子更趋近于1,有望提高器件的发光稳定性。结果表明,Ge合金钙钛矿薄膜的光致发光性能在一定水氧条件下可以得到较大幅度提高,器件发光稳定性也同时得到提升。这主要归因于水氧共同作用使合金钙钛矿表面形成了GeO_(2),一定程度上钝化了钙钛矿薄膜表面缺陷,阻止了水氧的进一步渗透。得到的绿光PeLED器件最大外量子效率(EQE_(max))为11.8%,亮度为8×10^(3)cd/m^(2),较非合金化器件的发光寿命延长了3倍,在100 cd/m^(2)初始亮度下稳定性T50从~2 h提升至~6 h,这是目前文献报道Ge合金钙钛矿发光二极管最长的发光寿命。 展开更多
关键词 锗合金钙钛矿 水氧处理 发光二极管 发光稳定性
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Controllable Crystallization Optimizes Thermal Stability of A Novel Red-emitting Phosphor in Self-reduction System
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作者 LU Shiwei DONG Rui +5 位作者 BAI Yuxing DU Haihong ZHENG Lirong WU Li KONG Yongfa XU Jingjun 《发光学报》 北大核心 2025年第2期285-295,共11页
Thermal quenching(TQ)at elevated temperature is a major factor affecting the luminescent intensity and efficiency of phosphors.Improving the thermal stability of phosphors and weakening the TQ effect are of significan... Thermal quenching(TQ)at elevated temperature is a major factor affecting the luminescent intensity and efficiency of phosphors.Improving the thermal stability of phosphors and weakening the TQ effect are of significance for the high-quality illumination of phosphor-converted WLEDs.Here,a novel red-emitting phosphor K_(2)Zn(PO_(3))_(4)∶Mn^(2+)is synthesized by standard high temperature solid state reaction in ambient atmosphere,which is a new member of self-reduction system.An effective synthesis strategy is proposed to optimize its photoluminescent performances.Combined with X-ray photoelectron spectroscopy and X-ray absorption fine structure spectroscopy,oxygen vacancy defects introduced by Mn doping are proved to play an important role in the transition of Mn^(4+)→Mn^(2+).Thermoluminescence analysis reveals that the distribution of trap levels,especially the deep ones,is effectively regulated by the controllable crystallization and significantly affect the thermal stability of phosphors.Then a defect-assisted model is proposed to address the inner mechanism of the phenomenon.The carriers trapped by deep trap levels can be released under the high-temperature stimulus,which return back to the luminescent centers and participate in the radiative recombination to improve thermal stability.This study provides a new crystallographic idea and theoretical support for obtaining luminescent materials with high thermal stability. 展开更多
关键词 photoluminescence lattice defects self-reduction thermal stability
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