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题名发光二极管电子辐照后缺陷行为的DLTS研究
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作者
鲍桂珍
张若愚
刘春香
刘全民
李浩
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机构
机电部
天津技术物理所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第4期52-56,共5页
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文摘
采用DLTS(深能级瞬态谱)与光功率测量方法,研究了发光二极管(GaP:N)经1MeV电子辐照后,其输出光功率的变化情况。实验发现,只在近乎不发光处于失效状态的二极管中进行DLTS测量时,才观察到深能级,数量不少于五个(E_1～E_5),这些深能级在热处理中的变化行为是:浓度随退火温度升高和退火时间延长而降低,500k退火后,除E_5能级外,其余深能级基本消失。另外还发现在正向注入电流的情况下,E_1和E_4能级均很快消失。
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关键词
发光二析管
电辐照
缺陷
DLTS
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分类号
TN383
[电子电信—物理电子学]
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