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锡基金属卤化物钙钛矿:合成、发光性能与LED应用
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作者 黄大誉 刘冬杰 +2 位作者 党佩佩 连洪洲 林君 《发光学报》 北大核心 2025年第4期665-682,共18页
发光二极管是新型显示技术的核心部件,更是新一代信息技术产业之首。钙钛矿发光二极管作为最新兴起的显示技术,具有高色纯度、广色域、加工工艺简单、低成本等优势,是国内外光电器件领域的研究热点。然而,需要使用对环境有害的卤化铅钙... 发光二极管是新型显示技术的核心部件,更是新一代信息技术产业之首。钙钛矿发光二极管作为最新兴起的显示技术,具有高色纯度、广色域、加工工艺简单、低成本等优势,是国内外光电器件领域的研究热点。然而,需要使用对环境有害的卤化铅钙钛矿才能实现高功率转换效率。目前,卤化锡钙钛矿因具有低的激子结合能和良好的电荷载流子迁移率成为最有前途的替代品。由于具有相似的离子半径与价态,锡(Sn)可以部分或完全替换有毒的铅(Pb)来实现卤化铅钙钛矿的低铅化或无毒化;同时,Sn部分或完全替换Pb会产生新的发光性质。尽管锡基金属卤化物钙钛矿在提升光电性能方面取得了较大的进展,但其制备的发光器件参数仍低于铅基卤化物钙钛矿。本文旨在详细综述锡基金属卤化物钙钛矿的合成制备和光电特性方面的研究进展及其面临的挑战,探讨晶体结构与光电性能之间的构效关系,回顾锡基钙钛矿在电致发光器件应用方面的研究进展,主要集中在采取策略来改善锡基钙钛矿材料的薄膜特性,以提高器件性能。该综述为锡基金属卤化物钙钛矿的合成、发光性能与LED应用提供了参考。 展开更多
关键词 金属卤化物钙钛矿 锡基 电致发光器件 发光二极管(led)
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发光二极管调控芽苗菜品质的研究进展
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作者 郭水欢 袁思洁 +4 位作者 郭楠楠 陈贤 樊亚敏 高晗 詹丽娟 《轻工学报》 北大核心 2025年第1期49-57,共9页
芽苗菜正逐渐成为一类具有广阔发展前景和巨大市场潜力的新兴健康植物源食品。发光二极管(Light Emitting Diode,LED)作为一种高效、节能、环保的固态光源,已被广泛应用于芽苗菜的栽培和品质调控。基于芽苗菜的营养价值和LED光照技术,综... 芽苗菜正逐渐成为一类具有广阔发展前景和巨大市场潜力的新兴健康植物源食品。发光二极管(Light Emitting Diode,LED)作为一种高效、节能、环保的固态光源,已被广泛应用于芽苗菜的栽培和品质调控。基于芽苗菜的营养价值和LED光照技术,综述LED光照对芽苗菜色泽(叶绿素、β-胡萝卜素)、营养物质(可溶性糖、可溶性蛋白质)、抗氧化物质(酚类物质、维生素C)及抗氧化活性的调控作用,并解析其调控机制。认为,与同种成熟蔬菜相比,芽苗菜含有更多的β-胡萝卜素、叶绿素、酚类物质、维生素C等生物活性物质,具有更高的营养价值及更强的抗氧化活性。LED能够提供与植物体内光感受器和光合色素(如叶绿素、类胡萝卜素)吸收谱相匹配的最优光波长,对植物生长发育、光合作用、次生代谢产物合成等具有重要促进作用,可实现植物生产效率的最大化。红光、蓝光、红蓝复合光和绿光均能促进芽苗菜中营养物质和抗氧化物质的合成,并提高其抗氧化活性。未来研究将集中在LED光质配比、LED光照协同其他因素、LED光照对采后芽苗菜贮藏保鲜的调控作用及机制等方面,为芽苗菜生产、加工、贮藏保鲜全产业链发展提供理论依据和技术参考。 展开更多
关键词 芽苗菜 发光二极管(led) 品质调控 色泽 营养物质 抗氧化活性
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基于锥形超晶格p-AlInGaN层的AlGaN基深紫外发光二极管性能优化
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作者 许愿 张傲翔 +3 位作者 张鹏飞 王芳 刘俊杰 刘玉怀 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2025年第1期101-107,共7页
为了解决AlGaN基深紫外(DUV)发光二极管(LED)中的严重电子溢出和低空穴注入的问题,本文提出了一种新型锥形超晶格p-AlInGaN层,它大幅改善了基于AlGaN的DUV LED的光电特性.与传统结构相比,所提出结构的输出功率提高了337.8%;同时它的内... 为了解决AlGaN基深紫外(DUV)发光二极管(LED)中的严重电子溢出和低空穴注入的问题,本文提出了一种新型锥形超晶格p-AlInGaN层,它大幅改善了基于AlGaN的DUV LED的光电特性.与传统结构相比,所提出结构的输出功率提高了337.8%;同时它的内部量子效率(IQE)也高达96%,并且没有效率下降现象.仿真计算结果表明,锥形超晶格p-AlInGaN层的引入明显增加了多量子阱(MQWs)内载流子的浓度并降低了量子阱(QWs)内的电场,导致了更高的辐射复合率,为改善DUV LED的性能提供了一个有吸引力的解决方案. 展开更多
关键词 深紫外发光二极管 ALINGAN 锥形超晶格 内部量子效率 辐射复合
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利用叠层结构提高近紫外有机发光二极管的电致发光效率与稳定性
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作者 于宏宇 张宝文 +1 位作者 陈平 张勇 《发光学报》 北大核心 2025年第2期315-325,共11页
在过去十年中,近紫外有机发光二极管(NUV-OLEDs)因其具有近紫外光子发射能力而受到研究者的广泛关注。然而,当器件的电致发光波长降至400 nm以下时,如何提升器件的辐射功率成为技术挑战。本研究采用BCPO和TAZ作为NUV发光材料,制备了单... 在过去十年中,近紫外有机发光二极管(NUV-OLEDs)因其具有近紫外光子发射能力而受到研究者的广泛关注。然而,当器件的电致发光波长降至400 nm以下时,如何提升器件的辐射功率成为技术挑战。本研究采用BCPO和TAZ作为NUV发光材料,制备了单层和叠层NUV-OLEDs,并比较了它们的电致发光性能。结果表明,叠层器件的性能显著优于单层器件。其中,BCPO单层器件的发光峰位波长为384 nm,近紫外光占比56.9%,外量子效率2.91%,辐射功率34.2 mW/cm^(2);而BCPO叠层器件的近紫外光占比提高到60.5%,外量子效率提高到5.73%,辐射功率达到52.8 mW/cm^(2)。TAZ单层器件的发光峰位波长为377 nm,近紫外光占比79.1%,外量子效率3.65%,辐射功率15.7 mW/cm^(2);而TAZ叠层器件的近紫外光占比略增至79.6%,外量子效率提高到7.21%,辐射功率达到29.4 mW/cm^(2)。此外,叠层器件在相同辐射功率下所需电流密度更低,这使得叠层器件能够展现出比单层器件更好的发光稳定性。 展开更多
关键词 有机发光二极管 近紫外光 叠层结构 电荷生成层
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紫外发光二极管(UV-LED)技术对食品微生物灭活应用的研究进展
5
作者 李金东 张忠杰 +3 位作者 祁智慧 尹君 金毅 唐芳 《粮油食品科技》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期151-158,共8页
紫外辐照是一种非热杀菌技术,汞蒸气紫外灯是现阶段用于食品卫生处理的主要设备,但受某些因素影响,汞灯的生产使用将逐渐变少,被环保节能的紫外发光二极管(UV-LED)取代是一种不可避免的趋势。本文根据UV-LED发光原理和多波长耦合应用的... 紫外辐照是一种非热杀菌技术,汞蒸气紫外灯是现阶段用于食品卫生处理的主要设备,但受某些因素影响,汞灯的生产使用将逐渐变少,被环保节能的紫外发光二极管(UV-LED)取代是一种不可避免的趋势。本文根据UV-LED发光原理和多波长耦合应用的特点,综述了对微生物灭活的机理、探究了影响灭活效果的因素(波长、紫外剂量和物料特性)、处理食品的灭菌效果以及对部分食品品质的影响,为UV-LED在食品领域的杀菌处理工艺和设备参数优化提供参考。 展开更多
关键词 紫外发光二极管(UV-led) 微生物灭活 食品行业 非热杀菌技术
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NaYSiO_(4)∶Ce^(3+)蓝色荧光粉的发光性质及其在白光发光二极管上的应用 被引量:2
6
作者 陈蕾 杨星宇 +2 位作者 张瀚月 宋芳 冷稚华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期745-752,共8页
采用高温固相法合成了NaYSiO_(4)∶xCe^(3+)(0.01≤x≤0.05)系列蓝色荧光粉。NaYSiO_(4)∶xCe^(3+)荧光粉在250~360 nm之间的宽带吸收能与紫外LED芯片很好地匹配。NaYSiO_(4)∶xCe^(3+)荧光粉中存在多个Ce^(3+)离子荧光中心,且在紫外光... 采用高温固相法合成了NaYSiO_(4)∶xCe^(3+)(0.01≤x≤0.05)系列蓝色荧光粉。NaYSiO_(4)∶xCe^(3+)荧光粉在250~360 nm之间的宽带吸收能与紫外LED芯片很好地匹配。NaYSiO_(4)∶xCe^(3+)荧光粉中存在多个Ce^(3+)离子荧光中心,且在紫外光激发下表现出峰值波长位于414 nm附近的宽带蓝光发射。NaYSiO_(4)∶0.02Ce^(3+)荧光粉在300~350 nm紫外光激发下量子效率在25%以上。NaYSiO_(4)∶0.02Ce^(3+)荧光粉表现出优良的化学稳定性,在水中浸泡14 d后荧光强度和量子效率几乎不变。将NaYSiO_(4)∶0.02Ce^(3+)蓝色荧光粉、商用(Sr,Ba)_2SiO_(4)∶Eu^(2+)绿色荧光粉和商用(Ca,Sr)AlSiN_(3)∶Eu^(2+)红色荧光粉涂覆于310 nm紫外LED芯片上制备得到了显色指数高达95的LED器件。当驱动电流从50 mA逐渐增大到300 mA时,制备的LED器件表现出稳定的暖白光发射,其色坐标几乎不变。上述结果说明,本研究报道的NaYSiO_(4)∶0.02Ce^(3+)蓝色荧光粉在紫外LED芯片驱动的白光发光二极管照明上有着潜在应用价值。 展开更多
关键词 NaYSiO_(4):Ce^(3+) 高温固相 蓝色荧光粉 白光发光二极管 高显色指数
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发光二极管(LED)封装用高折射率有机硅树脂的合成 被引量:14
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作者 陈智栋 邓雪爽 +2 位作者 彭银波 金小凤 许娟 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第11期49-52,共4页
采用水解-缩聚的方法,以甲基、乙烯基和苯基氯硅烷为原料合成了具有高折射率的有机硅树脂,研究了各种硅烷的配比以及水解-缩聚过程的各类实验条件对有机硅树脂性能的影响。实验结果表明,在原料一甲基三氯硅烷、甲基乙烯基二氯硅烷和一... 采用水解-缩聚的方法,以甲基、乙烯基和苯基氯硅烷为原料合成了具有高折射率的有机硅树脂,研究了各种硅烷的配比以及水解-缩聚过程的各类实验条件对有机硅树脂性能的影响。实验结果表明,在原料一甲基三氯硅烷、甲基乙烯基二氯硅烷和一苯基三氯硅烷的质量比为1∶3.57∶9.71,水和硅烷的质量比为3.76∶1,乙醇和硅烷的质量比为0.21∶1,水解温度为30℃,扩链剂二苯基二甲氧基硅烷的比例为22%,催化剂异辛酸锌的比例为0.04%的条件下,可以合成出能够用于封装发光二极管(LED)的具有高折射率(1.5421)和优异透光率(>99%)的有机硅树脂。 展开更多
关键词 有机硅树脂 折射率 透光率 发光二极管
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氢氟酸处理InP/GaP/ZnS量子点的光学性能及其发光二极管应用
8
作者 陈晓丽 陈佩丽 +3 位作者 卢思 朱艳青 徐雪青 苏秋成 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期69-77,共9页
采用氢氟酸(HF)原位注入法制备了InP/GaP/ZnS量子点。通过紫外/可见/近红外光谱、光致发光光谱、透射电镜、球差校正透射电镜、X射线衍射、X射线光电子能谱等测试手段分析了HF对InP量子点的发光性能影响。实验结果表明,HF刻蚀减少了量... 采用氢氟酸(HF)原位注入法制备了InP/GaP/ZnS量子点。通过紫外/可见/近红外光谱、光致发光光谱、透射电镜、球差校正透射电镜、X射线衍射、X射线光电子能谱等测试手段分析了HF对InP量子点的发光性能影响。实验结果表明,HF刻蚀减少了量子点表面氧化缺陷状态,有效控制了InP核表面的氧化,并且原子配体形式的F-钝化了量子点表面的悬挂键,显著提升了量子点的光学性能。HF处理的InP/GaP/ZnS量子点具有最佳的发光性能,PLQY高达96%。此外,用HF处理InP/GaP/ZnS量子点制备的发光二极管,其发光的电流效率为6.63 cd/A,最佳外量子效率(EQE)为3.83%。 展开更多
关键词 HF InP/GaP/ZnS量子点 光学性能 发光二极管
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微腔结构对铕配合物有机电致发光二极管(OLEDs)性能的提高 被引量:5
9
作者 孙小燕 李文连 +6 位作者 洪自若 陈莉丽 初蓓 吕少哲 李斌 张志强 胡知之 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期262-264,共3页
成功制备了铕配合物的微腔结构有机发光二极管(OLEDs), 其发射层采用质量比为1∶3的空穴传输材料(TPD)和电子传输材料(Eu(DBM)3bath)的混合层。该器件实现了Eu3+高色纯度红光发射,其色坐标为(x=0. 651, y=0. 338);并克服了微腔器件的发... 成功制备了铕配合物的微腔结构有机发光二极管(OLEDs), 其发射层采用质量比为1∶3的空穴传输材料(TPD)和电子传输材料(Eu(DBM)3bath)的混合层。该器件实现了Eu3+高色纯度红光发射,其色坐标为(x=0. 651, y=0. 338);并克服了微腔器件的发光颜色随探测角度增大而变化的缺点。在微腔器件中,最大亮度在19V时达到1 160cd/m2;在高电流密度时的EL效率得到明显提高。 展开更多
关键词 铕配合物 微腔结构 有机发光二极管 空穴传输材料
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LED发光二极管特性测试 被引量:10
10
作者 王悦 李泽深 刘维 《物理实验》 2013年第2期21-24,28,共5页
使用常规实验仪器搭建了LED特性测试系统,测试了LED的伏安特性、光强分布特性、光谱特性、光功率与电流关系特性和发光效率与电流关系特性,得到了LED的阈值电压、正常电压、发光波长、半值角与指向性、峰值波长和光通量等参量.
关键词 半导体发光二极管 指向性 峰值波长 光通量 发光效率
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高亮度发光二极管(HB—LED)及应用概况 被引量:3
11
作者 刘一兵 刘慧荧 《湖南理工学院学报(自然科学版)》 CAS 2007年第2期42-45,共4页
概述了HB—LED的发展,分析其优点并对HB—LED的国际进展作了简要的评述,同时对HB—LED在半导体照明领域的应用作了叙述。
关键词 高亮度发光二极管 半导体照明 汽车照明
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有机发光二极管诱人的应用前景·OLED显示技术之三· 被引量:1
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作者 朱旭明 黄元 《电视技术》 北大核心 2000年第9期87-87,共1页
关键词 有机发光二极管 平面显示器 应用
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含氟膦氧衍生物修饰的纯蓝光钙钛矿发光二极管 被引量:1
13
作者 张润 战宏梅 +2 位作者 赵晨阳 程延祥 秦川江 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期830-838,共9页
实现高效蓝色电致发光是钙钛矿发光二极管(PeLEDs)商业应用的关键挑战,特别是波长为465~475 nm的纯蓝光。蓝光PeLEDs的低效率主要源于混合卤素策略导致的高缺陷密度和降维策略导致的载流子注入困难。本文以氯/溴混合卤素准二维钙钛矿为... 实现高效蓝色电致发光是钙钛矿发光二极管(PeLEDs)商业应用的关键挑战,特别是波长为465~475 nm的纯蓝光。蓝光PeLEDs的低效率主要源于混合卤素策略导致的高缺陷密度和降维策略导致的载流子注入困难。本文以氯/溴混合卤素准二维钙钛矿为研究对象,探究了小分子添加剂膦氧衍生物((五氟苯基)甲基)二苯基氧化膦(PFPO)在钙钛矿前驱体溶液中的作用机理及其对钙钛矿薄膜形貌、光学和器件性能的影响。实验结果显示,PFPO修饰后的钙钛矿薄膜光致发光强度和寿命均有增加,说明PFPO具有良好的缺陷钝化能力。紫外-可见光吸收光谱证实修饰后薄膜中小n相吸收强度明显降低,说明小n相得到了显著抑制,减少了非辐射复合路径,同时有利于激子能量转移。器件结果表明,PFPO处理后的PeLEDs器件最大外量子效率从1.83%提升到3.62%,发光峰位于466 nm,对应的CIE为(0.123,0.079),与标准蓝光CIE坐标(0.131,0.046)接近。 展开更多
关键词 钙钛矿 膦氧添加剂 蓝光发光二极管
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柔性白光有机发光二极管的研究进展 被引量:2
14
作者 周钰卜 潘钰宇 +4 位作者 何国晖 林嘉诚 刘士瑀 郑华 刘佰全 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第5期397-416,共20页
作为新一代自发光显示器件,有机发光二极管(OLED)已经逐渐开始商业化。柔性白光技术是未来显示和照明市场不可或缺的组成部分,因此柔性白光OLED(FWOLED)的开发必要且迫切。首先介绍了FWOLED的基本概念,总结了实现柔性白光器件的五个重... 作为新一代自发光显示器件,有机发光二极管(OLED)已经逐渐开始商业化。柔性白光技术是未来显示和照明市场不可或缺的组成部分,因此柔性白光OLED(FWOLED)的开发必要且迫切。首先介绍了FWOLED的基本概念,总结了实现柔性白光器件的五个重要因素,包括柔性衬底、导电电极、器件结构、光取出技术和柔性封装;随后分类概括了各种FWOLED的实现策略,包括荧光、磷光、延迟荧光、混合型FWOLED;接着综述了其他类型的柔性白光自发光技术器件,如柔性白光量子点发光二极管(QLED)、柔性白光钙钛矿LED(PeLED)和柔性白光胶体量子阱LED(CQW⁃LED);最后,对FWOLED的未来发展进行了总结和展望。 展开更多
关键词 发光二极管(led) 有机 白光 柔性 发光技术
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基于膦氧化物钝化的热蒸发像素化钙钛矿发光二极管 被引量:1
15
作者 刘念 罗家俊 +3 位作者 杜培培 刘征征 杜鹃 唐江 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期1-10,共10页
热蒸发法是实现钙钛矿发光二极管商业化显示应用的可靠技术。然而,热蒸发沉积的钙钛矿薄膜的PLQY经常较低,并且钝化手段不如溶液法丰富。本文报道了一种通过原位共蒸技术将钝化剂引入钙钛矿层的方法,这种方法能够钝化真空沉积钙钛矿中... 热蒸发法是实现钙钛矿发光二极管商业化显示应用的可靠技术。然而,热蒸发沉积的钙钛矿薄膜的PLQY经常较低,并且钝化手段不如溶液法丰富。本文报道了一种通过原位共蒸技术将钝化剂引入钙钛矿层的方法,这种方法能够钝化真空沉积钙钛矿中的缺陷,增强辐射复合,并提高钙钛矿的PLQY。氧膦基团与不饱和位点形成配位络合,钝化了钙钛矿的晶界缺陷,并抑制了带尾态缺陷。基于最佳比例的钙钛矿薄膜所制备的LED器件表现出最大6.3%的EQE,最大亮度为35642 cd/m^(2)。更进一步地,基于全真空的器件制备工艺,获得了最大EQE为5.0%的312 ppi高分辨率PeLEDs。总之,本文为热蒸发PeLEDs的缺陷钝化提供了有用的指导,证明热蒸发PeLEDs在效率和亮度提升方面具有巨大潜力,并具备商业化前景。 展开更多
关键词 钙钛矿发光二极管 热蒸发 缺陷钝化 像素化
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乙酸胍表面处理提高纯红光钙钛矿发光二极管性能 被引量:1
16
作者 师明明 江季 张兴旺 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期637-643,共7页
金属卤化物钙钛矿材料由于具有优异的光电性质可被用于制作发光二极管,近年来备受关注。钙钛矿表面和钙钛矿/传输层的界面处存在大量的缺陷,严重影响器件的性能和稳定性,而对表/界面进行有效的钝化处理是减少界面缺陷、提升器件性能的... 金属卤化物钙钛矿材料由于具有优异的光电性质可被用于制作发光二极管,近年来备受关注。钙钛矿表面和钙钛矿/传输层的界面处存在大量的缺陷,严重影响器件的性能和稳定性,而对表/界面进行有效的钝化处理是减少界面缺陷、提升器件性能的可行途径。本文报道了一种在萃取剂中添加乙酸胍的表面处理策略,可有效地减少钙钛矿层表面缺陷,改善薄膜形貌,进而将钙钛矿薄膜的荧光量子产率从64%提升到79%。基于乙酸胍表面处理的钙钛矿薄膜制备的发光二极管,最大效率可达11.66%,最大亮度达1285 cd·m^(-2),明显优于未处理的参考器件(6.69%,689 cd·m^(-2)),同时也展现出更好的稳定性。该研究提供了一种有效的钙钛矿表面处理策略,可以提高钙钛矿发光二极管的性能和稳定性。 展开更多
关键词 钙钛矿 发光二极管 表面处理 准二维 缺陷钝化
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基于分离多量子垒电子阻挡层的AlGaN基深紫外发光二极管
17
作者 申国文 鲁麟 +3 位作者 许福军 吕琛 高文根 代广珍 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期1156-1162,共7页
通过分离多量子垒电子阻挡层(EBL)结构,实现了AlGaN基DUV-LED器件性能的提升。由仿真结果可得,与传统的块状EBL相比,采用分离多量子垒结构的EBL可以获得更高的空穴浓度和辐射复合速率。这得益于EBL中间的夹层形成了空穴加速区,使得空穴... 通过分离多量子垒电子阻挡层(EBL)结构,实现了AlGaN基DUV-LED器件性能的提升。由仿真结果可得,与传统的块状EBL相比,采用分离多量子垒结构的EBL可以获得更高的空穴浓度和辐射复合速率。这得益于EBL中间的夹层形成了空穴加速区,使得空穴在加速区获得能量,从而提高了空穴注入效率。另外,多量子势垒结构还能够通过提高电子势垒有效抑制电子泄漏,从而大幅度提升器件性能。综上所述,多量子垒电子阻挡层的引入可以显著提升AlGaN基DUV-LED器件的性能。 展开更多
关键词 ALGAN 深紫外发光二极管 电子阻挡层
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发光二极管显示屏标准化研究 被引量:2
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作者 孟子杰 孙新乐 +1 位作者 王振宇 南江 《信息技术与标准化》 2024年第4期86-89,95,共5页
随着行业规模的扩大,发光二极管的标准化和规范化需求越来越迫切。研究了国内发光二极管显示屏的标准制定和标准体系框架,分析了SJ/T 11281—2017《发光二极管(LED)显示屏测试方法》中发光二极管显示屏的机械、光学及电学性能参数和对... 随着行业规模的扩大,发光二极管的标准化和规范化需求越来越迫切。研究了国内发光二极管显示屏的标准制定和标准体系框架,分析了SJ/T 11281—2017《发光二极管(LED)显示屏测试方法》中发光二极管显示屏的机械、光学及电学性能参数和对应的测试方法,介绍了近几年测试方法相关研究进展,提出行业标准的制定和完善对于整个LED显示屏行业发展的重要意义。 展开更多
关键词 led显示屏 发光二极管 半导体测试
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基于蓝光HLCT材料pCzAnN作敏化主体的单发光层白光有机发光二极管
19
作者 李晓霞 田甜甜 +3 位作者 杨睿浩 许慧侠 苗艳勤 王华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第11期1747-1757,共11页
有机发光二极管(Organic light-emitting diodes,OLEDs)作为照明和显示领域极其具有竞争力的技术,近年来备受关注。实现超简单、高效率、低滚降的白光OLEDs,对有机发光层材料的选择至关重要。杂化局部和电荷转移(Hybridized local and c... 有机发光二极管(Organic light-emitting diodes,OLEDs)作为照明和显示领域极其具有竞争力的技术,近年来备受关注。实现超简单、高效率、低滚降的白光OLEDs,对有机发光层材料的选择至关重要。杂化局部和电荷转移(Hybridized local and charge transfer,HLCT)材料的“热激子”通道可以将高能三线态激子窜跃至单线态,实现理论上100%的激子利用率,快速的反向系间窜跃可有效抑制三线态激子猝灭,从而降低器件效率滚降。基于此,本文首先通过电荷平衡策略优化器件结构,制备了基于HLCT材料pCzAnN的高效蓝光OLED。在此基础上,以pCzAnN作为传统荧光材料的敏化主体,通过不完全能量传递策略,实现了双色及三色白光OLEDs制备。制备的白光OLEDs最高显色指数达到90,最大外量子效率达到8.76%,且展现出较低效率滚降及良好的光谱稳定性。本研究对开发简单、高效率、低滚降白光OLEDs具有指导意义。 展开更多
关键词 有机发光二极管 白光 杂化局部和电荷转移 效率滚降
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自浸润式纳米压印耦合实现量子点发光二极管性能提升
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作者 梁龙 郑悦婷 +2 位作者 林立华 胡海龙 李福山 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期613-620,共8页
胶体量子点材料因其优良的窄发射光谱、可调发射波长、高发光效率和优异的稳定性而被广泛研究,且同时具有溶液可加工性使得量子点发光二极管(Quantum dot light-emitting diode,QLED)具有广泛的适用性和应用。然而,器件自身存在的基底... 胶体量子点材料因其优良的窄发射光谱、可调发射波长、高发光效率和优异的稳定性而被广泛研究,且同时具有溶液可加工性使得量子点发光二极管(Quantum dot light-emitting diode,QLED)具有广泛的适用性和应用。然而,器件自身存在的基底模式导致QLED器件大量光子被限制在内部无法利用。本文基于纳米压印工艺同时利用聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane,PDMS)材料本身的表面结合能开发出溶剂自浸润式纳米压印工艺,对压力依赖度低的同时简化了工艺流程,制备出高质量周期性的1.3,1,0.5μm三种尺寸的微纳结构图案层,对红、绿、蓝三色QLED器件进行耦合实现光提取。在这种情况下,1.3μm微纳结构耦合绿光QLED器件亮度达到715069 cd·m^(-2),最大外量子效率(External quantum efficiency,EQE)和电流效率分别提升至12.5%和57.3 cd·A^(-1);1μm尺寸耦合的蓝光QLED器件各电学性能提升接近200%;0.5μm尺寸耦合红光QLED器件EQE也从17.3%提升至20.5%。并通过角分布测试,证明微纳结构不会对QLED器件发光强度造成影响,仍然接近朗伯体发射。本工作提出的溶剂自浸润式纳米压印工艺及QLED光提取方法,为QLED的性能提升提供了一条简单有效的途径。 展开更多
关键词 量子点发光二极管 纳米压印 耦合光学性能 光学仿真
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