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从表面能的观点讨论尺寸驱动的铁电-顺电相变 被引量:4
1
作者 钟维烈 王渊旭 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2003年第1期46-48,共3页
铁电体的尺寸减小到某一临界尺寸——铁电临界尺寸时,铁电性将消失,即发生尺寸驱动的铁电-顺电相变。该文从表面能的观点讨论这个相变。在朗道相变理论的框架内,我们推导了铁电临界尺寸的表示式。它提供了由表面能密度确定铁电临界尺寸... 铁电体的尺寸减小到某一临界尺寸——铁电临界尺寸时,铁电性将消失,即发生尺寸驱动的铁电-顺电相变。该文从表面能的观点讨论这个相变。在朗道相变理论的框架内,我们推导了铁电临界尺寸的表示式。它提供了由表面能密度确定铁电临界尺寸的方法。利用已知的钛酸钡和钛酸铅的铁电临界尺寸,得到了这两种材料铁电相与顺电相表面能密度之差。 展开更多
关键词 铁电-顺相变 铁电 尺寸驱动 朗道理论 表面能 临界尺寸
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反铁电陶瓷(Pb0.94La0.04)(Zr0.55-xSn0.45Tix)O3的电学性能研究 被引量:1
2
作者 张丹 姚国光 +3 位作者 孟玲 慕春红 王波 刘鹏 《陕西师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期31-34,共4页
利用X射线衍射、电滞回线和弱场介电温度谱,研究了(Pb0.94La0.04)(Zr0.55-xSn0.45Tix)O3(PLZST,0.14≤x≤0.20)陶瓷的相结构和宏观电学性能.结果表明,随着x含量的增加,材料逐渐由反铁电四方相(antiferroelectric tetragonal,AFET)转变... 利用X射线衍射、电滞回线和弱场介电温度谱,研究了(Pb0.94La0.04)(Zr0.55-xSn0.45Tix)O3(PLZST,0.14≤x≤0.20)陶瓷的相结构和宏观电学性能.结果表明,随着x含量的增加,材料逐渐由反铁电四方相(antiferroelectric tetragonal,AFET)转变为铁电三方相(ferroelectric rhombohedral,FER)和反铁电四方相共存.介电温谱显示,试样的介电常数(ε)在从AFET到顺电(paraelectric,PE)相变中均呈现弥散相变的特征,且随x含量的增加,ε和tanδ值的频率色散现象逐渐增强,这表明所研究的材料由正常反铁电体逐渐向弛豫型反铁电体过渡.最后从多元复杂化合物存在纳米限度组份非均匀的观点出发对其给予了解释. 展开更多
关键词 铁电陶瓷 弛豫 相变弥散
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铁电-铁磁复合材料的研究现状及发展趋势 被引量:12
3
作者 张辉 杨俊峰 +1 位作者 方亮 杨卫明 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第6期64-66,共3页
铁电-铁磁复合材料是一种由铁电相和铁磁相复合而成,具有磁电转换功能的新材料,它具有广阔的应用前景。系统地介绍了铁电-铁磁复合材料的原理、性质及研究进展,最后对存在的问题及发展趋势作了分析。
关键词 铁电-铁磁复合材料 研究现状 性质 设计原理 效应 转换功能
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高取向PZT铁电薄膜的溶胶-凝胶法制备 被引量:18
4
作者 鲁健 褚家如 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期748-753,共6页
采用溶胶 凝胶技术 ,在Pt/Ti/SiO2 /Si衬底上成功制备了沿 ( 1 0 0 )晶向强烈取向的Pb(Zr0 .5 3 ,Ti0 .47)O3 铁电薄膜 .通过X ray衍射分析 ,在每层膜的制备工序中 ,增加6 0 0℃热处理 1 5min的工艺 ,可有效防止烧绿石相的出现和薄膜开... 采用溶胶 凝胶技术 ,在Pt/Ti/SiO2 /Si衬底上成功制备了沿 ( 1 0 0 )晶向强烈取向的Pb(Zr0 .5 3 ,Ti0 .47)O3 铁电薄膜 .通过X ray衍射分析 ,在每层膜的制备工序中 ,增加6 0 0℃热处理 1 5min的工艺 ,可有效防止烧绿石相的出现和薄膜开裂 ,并促进薄膜沿( 1 0 0 )晶向外延生长 .制得的薄膜经 6 0 0℃退火 4h后 ,呈完全钙钛矿相 ,并沿 ( 1 0 0 )晶向强烈取向 .原子力显微照片表明 ,薄膜结构致密 ,晶粒尺寸约为 1 0 0nm .经测量 ,薄膜的相对介电常数高达 1 1 50 ,剩余极化为 2 6 μc/cm2 ,矫顽场强为 4 9kV/cm . 展开更多
关键词 PZT铁电薄膜 溶胶-凝胶法 Pb(Fr0.53 Ti0.47)O3 微机系统 制备工艺 铁电材料 学性能
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PMN-PT和BST铁电陶瓷的低频高场疲劳特性及去除疲劳方法的研究 被引量:2
5
作者 何琴玉 张进修 +1 位作者 孙大志 厉志明 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期272-274,共3页
第一次研究了PbMg1/ 3 Nb2 / 3 O3 PbTiO3 (PMN PT)和Ba1-xSrxTiO3 (BST)铁电陶瓷的低频高场电循环下的疲劳及其采用在顺电相保温 2 0min去疲劳的效果。实验表明 :PMN PT和BST相比 ,同样条件下的电循环后PMN PT易产生明显的疲劳 ;但BS... 第一次研究了PbMg1/ 3 Nb2 / 3 O3 PbTiO3 (PMN PT)和Ba1-xSrxTiO3 (BST)铁电陶瓷的低频高场电循环下的疲劳及其采用在顺电相保温 2 0min去疲劳的效果。实验表明 :PMN PT和BST相比 ,同样条件下的电循环后PMN PT易产生明显的疲劳 ;但BST从一开始就有少量的疲劳存在 ,PMN PT则直到 5×10 4才开始出现疲劳。同样的电循环数后 ,去除疲劳的效果不一样 :BST在靠近Tc 处比PMN PT靠近Tm 处去除疲劳的效果好 ,但 60℃后在增加温度仍有部分疲劳不能消除 ,直到 15 0℃时疲劳仍不能完全消除 ;而PMN PT在 110℃时疲劳已完全消除。 展开更多
关键词 PMN-PT BST 铁电陶瓷 疲劳 -温度依赖性曲线 低频高场循环 极性微区
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Pb的过量值对溶胶-水热法合成钙钛矿型PZT反铁电陶瓷粉体的影响
6
作者 胡艳华 余占军 +2 位作者 王丽霞 宋艳 雷达 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第10期1930-1934,共5页
采用溶胶-水热法合成了具有单一钙钛矿结构的PZT反铁电陶瓷粉体。根据课题组前期的实验结果,选取的水热反应温度为180℃,水热反应时间为24 h,矿化剂KOH的浓度为3 mol/L,探讨了Pb的过量值对合成PZT陶瓷粉体的影响。实验发现,Pb的过量值过... 采用溶胶-水热法合成了具有单一钙钛矿结构的PZT反铁电陶瓷粉体。根据课题组前期的实验结果,选取的水热反应温度为180℃,水热反应时间为24 h,矿化剂KOH的浓度为3 mol/L,探讨了Pb的过量值对合成PZT陶瓷粉体的影响。实验发现,Pb的过量值过低,不足以补偿反应过程中Pb的损失量,A位的Pb缺失易导致PZT粉体结晶度的下降,颗粒结晶不完整。随着Pb过量值的增加,颗粒结晶增强,结晶也越完整。当Pb过量增加到10%时,实验获得了结晶良好的PZT粉体。因此,本实验Pb的最佳过量值为10%。 展开更多
关键词 PbZr1-xTixO3 铁电陶瓷 溶胶-水热法 Pb的过量值 钙钛矿结构
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铁电驻极体-液晶高弹体光电转换器性能分析
7
作者 李无穷 李铁风 +1 位作者 洪樟连 曲绍兴 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期423-426,445,共5页
基于在紫外光照下可变形的液晶高弹体与铁电驻极体材料,设计了一种光电转换器模型器件。该模型器件能实现在紫外光照射下的电信号输出功能。建立了光电耦合分析模型,并分析了紫外光光强对产生感应电荷的影响。结果表明,该模型器件可指... 基于在紫外光照下可变形的液晶高弹体与铁电驻极体材料,设计了一种光电转换器模型器件。该模型器件能实现在紫外光照射下的电信号输出功能。建立了光电耦合分析模型,并分析了紫外光光强对产生感应电荷的影响。结果表明,该模型器件可指导开发一种能够测量一定光强范围内紫外光强度的光电传感器。 展开更多
关键词 铁电驻极体 液晶高弹体 -耦合
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反铁电爆电换能电源研究 被引量:8
8
作者 冯玉军 徐卓 +2 位作者 郑曙光 金安 姚熹 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期584-587,共4页
为了建立铁电 反铁电相变中释放的电能量与外加作用力场的关系 ,采用电滞回线、等静压和热释电等方法测量了Pb(Zr ,Ti)O3基反铁电材料在电场、温度、压力等外场诱导下的铁电 反铁电相变性能 ,分析了在电容和电阻负载条件下的电输出特... 为了建立铁电 反铁电相变中释放的电能量与外加作用力场的关系 ,采用电滞回线、等静压和热释电等方法测量了Pb(Zr ,Ti)O3基反铁电材料在电场、温度、压力等外场诱导下的铁电 反铁电相变性能 ,分析了在电容和电阻负载条件下的电输出特性 实验结果表明 :铁电 反铁电相变中的输出功率与材料面电荷量的平方成正比 ,与实现相变的时间成反比 .在此基础上提出了增加输出功率的途径 .通过改善材料电滞回线的方直比 。 展开更多
关键词 换能 铁电-铁电相变 输出特性
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PZT基反铁电材料研究进展 被引量:10
9
作者 夏志国 李强 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期835-843,共9页
在综述Pb(Zr,Ti)O3(PZT)基反铁电材料的研制与性能研究进展的基础上,重点探讨了PZT95/5反铁电材料和在PZT基础上掺杂改性的Pb(Zr,Sn,Ti)O3(PZST),(Pb,La)(Zr,Sn,Ti)O3(PLZST)反铁电材料。总结了利用La3+、Nb4+、H f4+、Sr2+、Ba2+和Nd3... 在综述Pb(Zr,Ti)O3(PZT)基反铁电材料的研制与性能研究进展的基础上,重点探讨了PZT95/5反铁电材料和在PZT基础上掺杂改性的Pb(Zr,Sn,Ti)O3(PZST),(Pb,La)(Zr,Sn,Ti)O3(PLZST)反铁电材料。总结了利用La3+、Nb4+、H f4+、Sr2+、Ba2+和Nd3+等离子对富锆PZT以及PZST粉体、陶瓷以及薄膜材料的掺杂取代改性研究。讨论了各类PZT基反铁电材料的铁电(FE)-反铁电(AFE)相变机理以及其场致应变性能。展望了PZT基反铁电材料今后研究与应用的发展方向。 展开更多
关键词 铁电材料 铁电-铁电相变 PZT95/5 PZST PLZST
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铁电材料参数计算机测试系统的研制 被引量:5
10
作者 曾亦可 刘梅冬 +2 位作者 姜胜林 历媛月 周东祥 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2003年第12期18-20,共3页
介绍了铁电材料电滞回线、Ⅰ-Ⅴ特性测量原理和铁电材料参数计算机测试系统的组成,重点对系统的硬件 与软件模块进行了研究。用该系统测试了PLT5铁电陶瓷的电滞回线和Ⅰ—Ⅴ特性,测试结果表明:铁电材料参数计算 机测试系统运行效果良好。
关键词 铁电材料 滞回线 -Ⅴ特性 计算机测试系统 研制 铁电陶瓷
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PZT铁电薄膜的掺杂改性 被引量:4
11
作者 王培英 余大年 +2 位作者 刘梅冬 曾亦可 饶韫华 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1998年第2期111-114,共4页
用溶胶-凝胶方法制备了掺高价离子钇及过量Pb的PZT铁电薄膜。探讨了添加剂对PZT铁电薄膜的结构和电特性的影响。实验表明,过量r(Pb)6%或掺高价离子r(Y)3%能较大地改善PZT铁电薄膜的电性能。
关键词 溶胶-凝胶 掺杂 疲劳 PZT铁电薄膜 铁电材料
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非制冷红外焦平面阵列BST铁电薄膜的制备及性能研究 被引量:3
12
作者 刘梅冬 刘少波 +1 位作者 曾亦可 李楚容 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2001年第3期222-225,共4页
采用改进的溶胶 凝胶方法 ,在Pt/Ti/SiO2 /Si基片上成功地制备出不同组分 ,具有钙钛矿型结构的BST铁电薄膜。BST5、BST10和BST15铁电薄膜的介电系数εr 分别为 375、4 0 0和4 2 5,介电损耗tgδ分别为 0 .0 4 1、0 .0 2 4和 0 .0 10 ,... 采用改进的溶胶 凝胶方法 ,在Pt/Ti/SiO2 /Si基片上成功地制备出不同组分 ,具有钙钛矿型结构的BST铁电薄膜。BST5、BST10和BST15铁电薄膜的介电系数εr 分别为 375、4 0 0和4 2 5,介电损耗tgδ分别为 0 .0 4 1、0 .0 2 4和 0 .0 10 ,剩余极化强度Pr 分别为 2 μc/cm2 、2 .5μc/cm2 和1.7μc/cm2 ,矫顽场Ec 分别为 4 0kV/cm、50kV/cm和 35kV/cm ,是制备非制冷红外焦平面阵列的优选材料。 展开更多
关键词 BST铁电薄膜 非制冷红外焦平面阵列 特性 铁电特性 溶胶-凝胶
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用溶胶-凝法制备锆钛铅铁电薄膜 被引量:4
13
作者 阎培渝 苏涛 +1 位作者 李龙土 张孝文 《高技术通讯》 CAS CSCD 1995年第6期43-46,共4页
利用溶胶-凝胶法在镀铂硅片上制备了PZT铁电薄膜。利用XRD、SEM和TEM观察了PZT薄膜的组成与形貌,测定PZT薄膜的电学性能。为防止薄膜发生龟裂,在前体溶液中加入了干燥控制化学添加剂,并采用慢速变温的热处理过程... 利用溶胶-凝胶法在镀铂硅片上制备了PZT铁电薄膜。利用XRD、SEM和TEM观察了PZT薄膜的组成与形貌,测定PZT薄膜的电学性能。为防止薄膜发生龟裂,在前体溶液中加入了干燥控制化学添加剂,并采用慢速变温的热处理过程。PbTiO3过渡层保证了PZT薄膜结晶完好。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 铁电薄膜 锆钛铅铁电薄膜
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Ta、Nb掺杂Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)陶瓷铁电介电性能研究 被引量:1
14
作者 王宁章 容世龙 刘世丰 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期271-274,共4页
采用传统固相烧结工艺制备了掺杂Ta、Nb的Bi3.15Nd0.85Ti3O12材料,构成Bi3.15Nd0.85Ti3-2x TaxNbxO12(x=0,0.02,0.04,0.06)铁电陶瓷。研究了Ta、Nb掺杂对Bi3.15Nd0.85Ti3O12陶瓷晶体结构和铁电性能的影响。结果表明,Ta、Nb掺杂未改变Bi3... 采用传统固相烧结工艺制备了掺杂Ta、Nb的Bi3.15Nd0.85Ti3O12材料,构成Bi3.15Nd0.85Ti3-2x TaxNbxO12(x=0,0.02,0.04,0.06)铁电陶瓷。研究了Ta、Nb掺杂对Bi3.15Nd0.85Ti3O12陶瓷晶体结构和铁电性能的影响。结果表明,Ta、Nb掺杂未改变Bi3.15Nd0.85Ti3O12陶瓷的钙钛矿晶体结构,剩余极化值提高,具有较好电滞回线(Pr-Ec)。在电压为45 V、测试频率为0.1kHz下,Bi3.15Nd0.85Ti3-2xTaxNbxO12铁电陶瓷的剩余极化强度(2Pr)及矫顽场强(2Ec)可分别达到25.07μC/cm2和31.1kV/cm,电容-电压(C-V)曲线呈标准的蝴蝶形。 展开更多
关键词 固相烧结 铁电陶瓷 钙钛矿结构 滞回线 剩余极化 -压(C-V)曲线
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PbTiO_3缓冲层对0.7BiFeO_3-0.3PbTiO_3薄膜电学性能的影响
15
作者 李海敏 朱建国 +2 位作者 肖定全 王霞 田成 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第16期16026-16029,共4页
利用溶胶-凝胶法在LaNiO3/SiO2/Si衬底上分别制备出0.7BiFeO3-0.3PbTiO3(BFPT7030),PbTiO3(PT)-BFPT7030(BFPT7030-1、BFPT7030-2)薄膜。通过对薄膜进行XRD、AFM测试可知,薄膜均完全结晶,并呈现高度(100)择优取向,3种薄膜的表面平整,均... 利用溶胶-凝胶法在LaNiO3/SiO2/Si衬底上分别制备出0.7BiFeO3-0.3PbTiO3(BFPT7030),PbTiO3(PT)-BFPT7030(BFPT7030-1、BFPT7030-2)薄膜。通过对薄膜进行XRD、AFM测试可知,薄膜均完全结晶,并呈现高度(100)择优取向,3种薄膜的表面平整,均方根粗糙度较小。通过介电性能、铁电性能及漏电流测试结果可知,增加有PT缓冲层的BFPT7030薄膜的介电性能、铁电性能有所改善,漏电流较小。其中BFPT7030-2薄膜的剩余极化最大,达到38μC/cm2。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 BIFEO3 铁电
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用扫描压电显微术观察不同掺杂PZT薄膜的铁电畴分布 被引量:4
16
作者 舒剑 于艳菊 巴龙 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期172-175,共4页
我们用扫描压电显微术 ,观察了未掺杂和掺La、Eu的PZT的铁电畴分布 ,结果表明 :在自发极化下 ,用溶胶-凝胶法得到的PZT ,(Pb0 93La0 0 7) (Ti0 6 Zr0 4)O3,(Pb0 95Eu0 0 5) (Zr0 52 Ti0 48)O3和 (Pb0 9Eu0 1 ) (Zr0 52 Ti0 ... 我们用扫描压电显微术 ,观察了未掺杂和掺La、Eu的PZT的铁电畴分布 ,结果表明 :在自发极化下 ,用溶胶-凝胶法得到的PZT ,(Pb0 93La0 0 7) (Ti0 6 Zr0 4)O3,(Pb0 95Eu0 0 5) (Zr0 52 Ti0 48)O3和 (Pb0 9Eu0 1 ) (Zr0 52 Ti0 48)O3的表面铁电畴呈现较大的不同 ,掺La和掺Eu的样品均比未掺杂的有较大的自发极化。含Eu为 5 %时自发极化强度最高 ,且大部分畴界位置与晶界接近。通过改变加在探针上交变电压的幅值 ,观察铁电畴衬度的变化 ,可以看到 ,当交变电压升高时 ,某些畴变得不稳定 ,极化方向不同于自发极化 ,而衬度随交变电压线性增加 ,表明该区域晶粒在垂直方向贯通膜面 ,矫顽力高于外电场 。 展开更多
关键词 铁电薄膜 扫描力显微术 掺杂PZT 溶胶-凝胶法
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有机铁电材料的研究进展 被引量:1
17
作者 夏思 许祖勋 +4 位作者 董兵海 王世敏 宋成杰 梁子辉 郭海永 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第8期46-52,共7页
有机铁电材料所具备的独特的压电效应、光电效应、热释电效应、铁电等性能使其拥有了广阔的应用前景。其电子元件有着集成度高、响应速度快、能耗小等优点,在传感器、高密度数据存储、换能器、调制器等电子和机电器件中得到广泛应用。... 有机铁电材料所具备的独特的压电效应、光电效应、热释电效应、铁电等性能使其拥有了广阔的应用前景。其电子元件有着集成度高、响应速度快、能耗小等优点,在传感器、高密度数据存储、换能器、调制器等电子和机电器件中得到广泛应用。详细介绍了目前研究最广泛的有机铁电聚合物材料及复合材料的性能特点,有机-无机杂化铁电材料的发展概况,简单介绍了有机小分子铁电材料和铁电材料的理论研究。最后展望了有机铁电材料的发展趋势。 展开更多
关键词 铁电 有机铁电材料 有机-无机杂化 聚合物
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Pb_(1-x)La_xTiO_3薄膜的制备及介电特性研究
18
作者 朱卫东 郑分刚 +2 位作者 沈明荣 甘肇强 葛水兵 《材料科学与工程》 CSCD 2000年第3期84-86,共3页
用溶胶—凝胶法在 Pt/ Ti/ Si O2 / Si(1 0 0 )基底上制备 Pb1-x L ax Ti O3 (PLT,x<0 .2 )薄膜 ,研究薄膜的结构及其介电、铁电性能。在 60 0℃下退火 1小时的 PL T薄膜表现出单一的钙钛矿结构 ,(1 0 0 )择优取向明显。在室温下 PL... 用溶胶—凝胶法在 Pt/ Ti/ Si O2 / Si(1 0 0 )基底上制备 Pb1-x L ax Ti O3 (PLT,x<0 .2 )薄膜 ,研究薄膜的结构及其介电、铁电性能。在 60 0℃下退火 1小时的 PL T薄膜表现出单一的钙钛矿结构 ,(1 0 0 )择优取向明显。在室温下 PLT薄膜有典型的电滞回线。在 x<0 .2 (摩尔比 )的范围内 ,PLT薄膜相对介电常数则随着 La的增加而增加。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 PLT薄膜 铁电薄膜 特性
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相扩散阻挡法制备铁酸钴/改性钛酸铋钠0-3复合多铁性陶瓷 被引量:2
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作者 韩权威 李坤 +2 位作者 彭松 王雨 陈王丽华 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期486-490,共5页
通过溶胶-凝胶工艺在CoFe2O4(简称CFO)粉体表面包覆二氧化锆陶瓷层来阻挡烧结过程中铁磁相与铁电相之间的离子扩散.包覆后的CFO与0.92(Bi0.5Na0.5)TiO3-0.02(Bi0.5K0.5)TO3-0.06BaTiO3(简称BNBT)陶瓷粉体分别按照xCFO/(1-x)BNKLABT(质... 通过溶胶-凝胶工艺在CoFe2O4(简称CFO)粉体表面包覆二氧化锆陶瓷层来阻挡烧结过程中铁磁相与铁电相之间的离子扩散.包覆后的CFO与0.92(Bi0.5Na0.5)TiO3-0.02(Bi0.5K0.5)TO3-0.06BaTiO3(简称BNBT)陶瓷粉体分别按照xCFO/(1-x)BNKLABT(质量分数x=0.05、0.10、0.15、0.20、0.25、0.30)混合均匀,并用聚乙烯醇为粘结剂模压成圆片;再经过1050℃烧结制备了铁磁/铁电0-3型复合材料.XRD分析表明:二氧化锆在高温烧结过程中对离子扩散具有良好的阻挡作用.复合陶瓷的耐击穿电压大于75kV/cm.测量结果表明:复合陶瓷的压电应变常数、机电耦合系数、介电常数和剩余极化随CFO含量的增加而降低;磁电耦合系数、介电损耗随CFO含量的增加而有所增大.φ35mm×1.5mm的复合陶瓷样品(x=0.05)在谐振频率(90kHz)和199kA/m偏置磁场下的磁电系数为1.39V/A. 展开更多
关键词 效应 0-3复合 铁电 铁磁
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溶胶-凝胶法制备(Pb_(0.76)Ca_(0.24))TiO_3薄膜及性能研究 被引量:2
20
作者 蒋力立 唐振方 唐新桂 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期479-481,488,共4页
以硝酸钙、醋酸铅和钛酸丁酯为原料,甲醇做溶剂,乙酰丙酮为稳定剂。用简单的溶胶-凝胶法和快速退火工艺在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基片成功地制备出四方钙钛矿相(Pb0.76Ca0.24)TiO3(PCT)薄膜。用原子力显微镜、扫描电镜分析了薄膜的表面和断... 以硝酸钙、醋酸铅和钛酸丁酯为原料,甲醇做溶剂,乙酰丙酮为稳定剂。用简单的溶胶-凝胶法和快速退火工艺在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基片成功地制备出四方钙钛矿相(Pb0.76Ca0.24)TiO3(PCT)薄膜。用原子力显微镜、扫描电镜分析了薄膜的表面和断面形貌;测试了薄膜的铁电和介电特性。PCT薄膜的剩余极化强度和矫顽场分别为36μC/cm2和240kV/cm,在100kHz,薄膜的介电常数和损耗因子分别为295和0.027。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 制备 (Pb0.76Ca0.24)TiO3薄膜 PCT铁电薄膜 特性 铁电材料
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