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反演光刻技术的研究进展
1
作者
艾飞
苏晓菁
韦亚一
《电子与信息学报》
北大核心
2025年第1期22-34,共13页
反演光刻技术(ILT)相比传统的光学临近效应修正(OPC),生成的掩模具有成像效果更好,工艺窗口更大等优点,在当前芯片制造的工艺尺寸不断减小的背景下,逐渐成为主流的光刻掩模修正技术。该文首先介绍了反演光刻算法的基本原理和几种主流实...
反演光刻技术(ILT)相比传统的光学临近效应修正(OPC),生成的掩模具有成像效果更好,工艺窗口更大等优点,在当前芯片制造的工艺尺寸不断减小的背景下,逐渐成为主流的光刻掩模修正技术。该文首先介绍了反演光刻算法的基本原理和几种主流实现方法;其次,调研了当前反演光刻技术应用在光刻掩模优化问题上的研究进展,分析了反演光刻技术的优势和存在的问题。以希望为计算光刻及相关研究领域的研究人员提供参考,为我国先进集成电路产业的发展提供技术支持。
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关键词
先进集成电路
技术
反演光刻技术
光学临近效应修正
掩模优化
研究进展
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职称材料
题名
反演光刻技术的研究进展
1
作者
艾飞
苏晓菁
韦亚一
机构
中国科学院大学集成电路学院
中国科学院微电子研究所
出处
《电子与信息学报》
北大核心
2025年第1期22-34,共13页
基金
国家自然科学基金(62204257)
中央高校基本科研业务费专项资金(E3E43802)
中国科学院青促会项目(2021115)。
文摘
反演光刻技术(ILT)相比传统的光学临近效应修正(OPC),生成的掩模具有成像效果更好,工艺窗口更大等优点,在当前芯片制造的工艺尺寸不断减小的背景下,逐渐成为主流的光刻掩模修正技术。该文首先介绍了反演光刻算法的基本原理和几种主流实现方法;其次,调研了当前反演光刻技术应用在光刻掩模优化问题上的研究进展,分析了反演光刻技术的优势和存在的问题。以希望为计算光刻及相关研究领域的研究人员提供参考,为我国先进集成电路产业的发展提供技术支持。
关键词
先进集成电路
技术
反演光刻技术
光学临近效应修正
掩模优化
研究进展
Keywords
Advanced integrated circuit technology
Reverse lithography technology
Optical proximity effect correction
Mask optimization
Research progress
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TP301 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
反演光刻技术的研究进展
艾飞
苏晓菁
韦亚一
《电子与信息学报》
北大核心
2025
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