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Te元素掺杂Bi_2Se_3拓扑绝缘体纳米线的反弱局域效应（英文）
1
作者 田锋 周远明 +7 位作者 张小强 魏来明 梅菲 徐进霞 蒋妍 吴麟章 康亭亭 俞国林 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期270-275,共6页
采用Au催化的固-液-气(VLS)方法制备了单晶Bi_2Se_3和Bi_2(Te_xSe_(1-x))_3纳米线,研究了单根纳米线器件的输运性质.在对单根Bi_2(Te_xSe_(1-x))3(x=0.26)纳米线的低温磁输运测试中观察到反弱局域效应,说明样品中存在较强的自旋-轨道耦... 采用Au催化的固-液-气(VLS)方法制备了单晶Bi_2Se_3和Bi_2(Te_xSe_(1-x))_3纳米线,研究了单根纳米线器件的输运性质.在对单根Bi_2(Te_xSe_(1-x))3(x=0.26)纳米线的低温磁输运测试中观察到反弱局域效应,说明样品中存在较强的自旋-轨道耦合.结果表明,Te掺杂可以有效抑制体电导对输运过程的影响.通过对不同温度下的磁电导曲线进行拟合,得到了电子的退相干长度l_φ,l_φ从1.5 K时的389 nm减小至20 K时的39 nm,遵循l_φ∝T^(-0.96)指数变化规律.分析表明,在Te掺杂样品的输运过程中,电子-电子散射和电子-声子散射均起到了十分重要的作用. 展开更多
关键词 拓扑绝缘体 Bi2Se3纳米线 反弱局域 退相干长度
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InSb薄膜磁阻效应的厚度依赖性 被引量：1
2
作者 张豫徽 宋志勇 +3 位作者 陈平平 林铁 田丰 康亭亭 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期311-315,共5页
在12~300K的温度范围内研究了InSb薄膜(利用MBE生长)的磁阻效应随厚度的变化关系.实验发现厚的InSb薄膜只能产生半经典(∝B2)磁阻效应.而减小薄膜厚度,在薄的InSb薄膜中会更容易出现弱反局域化效应,从而造成在低温下(<35K)出现了一... 在12~300K的温度范围内研究了InSb薄膜(利用MBE生长)的磁阻效应随厚度的变化关系.实验发现厚的InSb薄膜只能产生半经典(∝B2)磁阻效应.而减小薄膜厚度,在薄的InSb薄膜中会更容易出现弱反局域化效应,从而造成在低温下(<35K)出现了一个异常的随温度增加而迁移率降低的趋势.我们发现该弱反局域化效应可用HLN模型拟合,证明了它可能来源于二维(2-D)体系,比如InSb的界面态. 展开更多
关键词 锑化铟 磁阻效应 弱反局域化效应 界面/表面态
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