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反应射频磁控溅射制备高k氧化锆薄膜及介电性能的研究
被引量：
3
1
作者
马春雨
李智
张庆瑜
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第4期453-456,共4页
在氧气和氩气的混合气体中,在O2/Ar混和气总流量固定的条件下,通过调节O2/Ar流量比,采用反应RF磁控溅射法制备了具有高介电常数的氧化锆薄膜。通过透射电子显微镜(TEM)和原子力显微镜(AFM)研究了O2/Ar流量比与薄膜微观组织和结构、表...
在氧气和氩气的混合气体中,在O2/Ar混和气总流量固定的条件下,通过调节O2/Ar流量比,采用反应RF磁控溅射法制备了具有高介电常数的氧化锆薄膜。通过透射电子显微镜(TEM)和原子力显微镜(AFM)研究了O2/Ar流量比与薄膜微观组织和结构、表面平整度之间的关系,并测试分析了在不同O2/Ar流量比下溅射沉积的Al/ZrO2/SiO2/n型Si叠层结构的C V特性曲线。实验结果表明O2/Ar流量比与薄膜微观组织和结构有一定的关系。纯氧气氛下沉积的ZrO2薄膜基本上为纳米级的微晶,晶体结构为单斜结构(a=5.17、b=5.26、c=5.3、α=γ=90°,β=80.17°),在O2/Ar流量比为1∶4混合气氛下制备出了具有非晶结构的均质ZrO2薄膜;低的O2/Ar流量比下溅射得到的ZrO2薄膜样片,均方根粗糙度较低,表面平整度较好;在O2/Ar流量比为1∶4左右时,ZrO2薄膜的相对介电常数达到25。
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关键词
反应rf磁控溅射法
氧化锆薄膜
表面粗糙度
高介电常数
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职称材料
题名
反应射频磁控溅射制备高k氧化锆薄膜及介电性能的研究
被引量：
3
1
作者
马春雨
李智
张庆瑜
机构
大连理工大学三束材料改性国家重点实验室
大连大学机械工程系
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第4期453-456,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(50240420656)
文摘
在氧气和氩气的混合气体中,在O2/Ar混和气总流量固定的条件下,通过调节O2/Ar流量比,采用反应RF磁控溅射法制备了具有高介电常数的氧化锆薄膜。通过透射电子显微镜(TEM)和原子力显微镜(AFM)研究了O2/Ar流量比与薄膜微观组织和结构、表面平整度之间的关系,并测试分析了在不同O2/Ar流量比下溅射沉积的Al/ZrO2/SiO2/n型Si叠层结构的C V特性曲线。实验结果表明O2/Ar流量比与薄膜微观组织和结构有一定的关系。纯氧气氛下沉积的ZrO2薄膜基本上为纳米级的微晶,晶体结构为单斜结构(a=5.17、b=5.26、c=5.3、α=γ=90°,β=80.17°),在O2/Ar流量比为1∶4混合气氛下制备出了具有非晶结构的均质ZrO2薄膜;低的O2/Ar流量比下溅射得到的ZrO2薄膜样片,均方根粗糙度较低,表面平整度较好;在O2/Ar流量比为1∶4左右时,ZrO2薄膜的相对介电常数达到25。
关键词
反应rf磁控溅射法
氧化锆薄膜
表面粗糙度
高介电常数
Keywords
reactive
rf
magnetron sputtering
zirconium oxide films
su
rf
ace roughness
high dielectric constant
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
反应射频磁控溅射制备高k氧化锆薄膜及介电性能的研究
马春雨
李智
张庆瑜
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
3
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职称材料
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