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MEMS工艺中反应离子深刻蚀硅片的数值模型研究被引量：7: 1; 作者张鉴黄庆安李伟华《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05A期1426-1429,1433,共5页; 反应离子深刻蚀(DRIE)是目前MEMS加工中便捷有效的主流加工工艺之一.开发较为快捷有效的工艺仿真模型与工具,对于工艺的数值预报,有着重要的作用.通过对现有表面演化算法的比较,建立了一种基于单一表面演化算法的反应离子深刻蚀模型,有... 展开更多; 关键词反应离子深刻蚀表面演化算法模型仿真; 在线阅读下载PDF 职称材料

反应离子深刻蚀中加强热传递和抑制Notching效应的方法被引量：2: 2; 作者丁海涛杨振川闫桂珍《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1201-1204,共4页; 提出了一种在反应离子深刻蚀中既可以加强热传递又可以抑制notching效应的方法,尤其适用于含有细长梁结构的刻蚀.通过在硅结构的下表面溅射一薄层金属,以加强刻蚀过程中产生的热量的消散,降低了硅结构的温度.用有限元仿真和实验分别验... 展开更多; 关键词反应离子深刻蚀热传递 notching效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

解耦z轴微机械陀螺的研制被引量：4: 3; 作者周浩苏伟 +1 位作者刘显学唐海林《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期2123-2130,共8页; 提出了一种检测模态解耦的z轴微机械陀螺,其检测模态被约束为1自由度振动,可抑制驱动模态的影响,降低不期望的检测模态偏置,并使用双质量结构在降低模态耦合的同时获得了较好的模态频率匹配。为满足驱动和检测模态自由度约束要求,使用了... 展开更多; 关键词微机械陀螺机械解耦反应离子深刻蚀; 在线阅读下载PDF 职称材料

惯性约束聚变靶中硅支撑冷却臂的制备被引量：1: 4; 作者张继成罗跃川 +5 位作者马志波杨苗周民杰李佳吴卫东唐永建《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期3251-3254,共4页; 论述了基于反应离子深刻蚀技术加工惯性约束聚变(ICF)靶的硅支撑冷却臂。利用扫描电子显微镜、白光干涉仪和视觉显微系统等对所制备的硅支撑冷却臂的形貌、侧壁陡直度和卡爪径向形变量等参数进行了表征分析。分析结果表明,硅支撑冷却臂... 展开更多; 关键词惯性约束聚变靶硅支撑冷却臂反应离子深刻蚀; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MEMS工艺中反应离子深刻蚀硅片的数值模型研究被引量：7: 1; 作者张鉴黄庆安李伟华; 机构东南大学MEMS教育部重点实验室; 出处《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05A期1426-1429,1433,共5页; 基金国家杰出青年科学基金资助课题(50325519); 文摘反应离子深刻蚀(DRIE)是目前MEMS加工中便捷有效的主流加工工艺之一.开发较为快捷有效的工艺仿真模型与工具,对于工艺的数值预报,有着重要的作用.通过对现有表面演化算法的比较,建立了一种基于单一表面演化算法的反应离子深刻蚀模型,有效地解决了运算效率、材料区分等问题及对原表面演化算法稳定性的改善,并对深刻蚀中的淀积模型进行了改进.与实验结果较为一致的模拟结果验证了本文模型的有效性.; 关键词反应离子深刻蚀表面演化算法模型仿真; Keywords Deep-RIE surface evolvement algorithm model simulation; 分类号 TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名反应离子深刻蚀中加强热传递和抑制Notching效应的方法被引量：2: 2; 作者丁海涛杨振川闫桂珍; 机构北京大学微电子学研究院; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1201-1204,共4页; 基金国家自然科学基金重点项目(No.NSF50730009); 文摘提出了一种在反应离子深刻蚀中既可以加强热传递又可以抑制notching效应的方法,尤其适用于含有细长梁结构的刻蚀.通过在硅结构的下表面溅射一薄层金属,以加强刻蚀过程中产生的热量的消散,降低了硅结构的温度.用有限元仿真和实验分别验证了该方法的有效性.同时,金属层也抑制了刻蚀离子所带电荷在绝缘介质层上的积累,防止了自建电场的产生,抑制了notching效应.该方法通过扫描电子显微镜的测量也得到了实验验证.加工了一个SOI梳齿驱动器,检验了本方法的有效性和适应性.; 关键词反应离子深刻蚀热传递 notching效应; Keywords deep reactive ion etching heat transfer notching effect; 分类号 TN405.98 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名解耦z轴微机械陀螺的研制被引量：4: 3; 作者周浩苏伟刘显学唐海林; 机构中国工程物理研究院电子工程研究所中国工程物理研究院北京研究生部; 出处《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期2123-2130,共8页; 基金国防预研基金资助项目; 文摘提出了一种检测模态解耦的z轴微机械陀螺,其检测模态被约束为1自由度振动,可抑制驱动模态的影响,降低不期望的检测模态偏置,并使用双质量结构在降低模态耦合的同时获得了较好的模态频率匹配。为满足驱动和检测模态自由度约束要求,使用了U形支撑梁。采用反应离子深刻蚀工艺制作了高深宽比结构层,获得了较大的验证质量,抑制了器件的机械热噪声,提高了陀螺分辨率。加工的陀螺面积为2 100μm×2 100μm,厚度为60μm。采用真空封装,获得了较高的机械品质因子。测试结果表明,驱动和检测模态的品质因子分别为2 000和1 800,机械热噪声为3.76(°)/h.Hz21。在±200(°)/s的量程内,刻度因子为21mV/(°).s-1,非线性度为1.426%FS,1h内测得零偏稳定性为0.057 9(°)/s。; 关键词微机械陀螺机械解耦反应离子深刻蚀; Keywords micromachined gyroscope mechanical decoupling deep reactive ion etching; 分类号 TP212.1 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名惯性约束聚变靶中硅支撑冷却臂的制备被引量：1: 4; 作者张继成罗跃川马志波杨苗周民杰李佳吴卫东唐永建; 机构中国工程物理研究院激光聚变研究中心西北工业大学微/纳米系统实验室; 出处《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期3251-3254,共4页; 基金国家自然科学基金项目(60908023) 四川省非金属复合与功能材料重点实验室开放基金项目(11zxfk19 10zxfk34); 文摘论述了基于反应离子深刻蚀技术加工惯性约束聚变(ICF)靶的硅支撑冷却臂。利用扫描电子显微镜、白光干涉仪和视觉显微系统等对所制备的硅支撑冷却臂的形貌、侧壁陡直度和卡爪径向形变量等参数进行了表征分析。分析结果表明,硅支撑冷却臂的侧壁陡直度大于88°,卡爪径向形变量大于20μm,符合靶的设计要求。; 关键词惯性约束聚变靶硅支撑冷却臂反应离子深刻蚀; Keywords ICF target silicon supporting cooling arm deep reactive ion etching; 分类号 TQ177 [化学工程—硅酸盐工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	MEMS工艺中反应离子深刻蚀硅片的数值模型研究	张鉴黄庆安李伟华	《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心	2006	7	在线阅读下载PDF 职称材料
2	反应离子深刻蚀中加强热传递和抑制Notching效应的方法	丁海涛杨振川闫桂珍	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2010	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	解耦z轴微机械陀螺的研制	周浩苏伟刘显学唐海林	《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心	2011	4	在线阅读下载PDF 职称材料
4	惯性约束聚变靶中硅支撑冷却臂的制备	张继成罗跃川马志波杨苗周民杰李佳吴卫东唐永建	《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心	2013	1	在线阅读下载PDF 职称材料