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衍射光学元件的反应离子束蚀刻研究被引量：5: 1; 作者杨李茗虞淑环 +2 位作者许乔舒晓武杨国光《光子学报》 EI CAS CSCD 1998年第2期147-151,共5页; 本文提出了一种制作衍射光学元件的新方法———反应离子束蚀刻法对此技术研究的结果表明：反应离子束蚀刻法具有高蚀刻速率、蚀刻过程各向异性好、蚀刻参数控制灵活等特点，对于衍射光学元件和微光学元件的精细结构制作十分有利本... 展开更多; 关键词反应离子束蚀刻衍射光学元件蚀刻工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

用反应离子束蚀刻制备1.3μmGaInA sP/InP横模掩埋新月激光器: 2; 作者师庆华《液晶与显示》 CAS CSCD 1991年第1期37-41,共5页; 用反应离子束蚀刻(RIBE)技术制做了稳定的横模1.3μm Ga InAsP/InP 掩埋新月激光器。在11-25mA 的低阈值电流下实现了高达95%的单横模效率。在高功率和长运转周期(50℃,20mA,1000h)的条件下证明了横模的稳定性。进入到单模光纤的耦合效... 展开更多; 关键词横模 GaInA sP/InP 反应离子束蚀刻阈值电流耦合效率单模光纤运转周期有源区腔长有源层; 在线阅读下载PDF 职称材料

SiO_2薄膜辅助硅-玻璃热键合技术的研究: 3; 作者黄腾超沈亦兵 +2 位作者侯西云娄迪白剑《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1310-1314,共5页; 为了解决Si和普通玻璃进行直接键合时材料的热失配问题,提出了利用SiO2薄膜辅助进行硅-玻璃热键合(SGTB)的技术.通过分析SiO2薄膜辅助SGTB技术的化学物理过程,对键合过程中的工艺条件进行了优化.利用反应离子束蚀刻(RIBE)对基片进行抛光... 展开更多; 关键词 SiO1薄膜辅助硅-玻璃热键合反应离子束蚀刻热诱导应力; 在线阅读下载PDF 职称材料

超微细加工及设备: 4; 《中国光学》 EI CAS 1998年第6期69-69,共1页; TN305.7 98063982衍射光学元件的反应离子束蚀刻研究=Reactive ionbeam etching for diffractive optical elements[刊,中]/杨李茗,虞淑环,许乔,舒晓武,杨国光(浙江大学现代光学仪器国家重点实验室.浙江。; 关键词反应离子束蚀刻衍射光学元件现代光学仪器国家重点实验室超微细加工浙江大学蚀刻速率光栅技术研究设备; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名衍射光学元件的反应离子束蚀刻研究被引量：5: 1; 作者杨李茗虞淑环许乔舒晓武杨国光; 机构浙江大学现代光学仪器国家重点实验室; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 1998年第2期147-151,共5页; 基金国家高技术航天863资助; 文摘本文提出了一种制作衍射光学元件的新方法———反应离子束蚀刻法对此技术研究的结果表明：反应离子束蚀刻法具有高蚀刻速率、蚀刻过程各向异性好、蚀刻参数控制灵活等特点，对于衍射光学元件和微光学元件的精细结构制作十分有利本文详细总结了反应离子束蚀刻过程中各工艺参数对蚀刻速率的影响。; 关键词反应离子束蚀刻衍射光学元件蚀刻工艺; Keywords Reactive ion beam etching (RIBE) Diffractive optical elements (DOEs) Etching processes; 分类号 TH740.6 [机械工程—光学工程] O539 [理学—等离子体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用反应离子束蚀刻制备1.3μmGaInA sP/InP横模掩埋新月激光器: 2; 作者师庆华; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 1991年第1期37-41,共5页; 文摘用反应离子束蚀刻(RIBE)技术制做了稳定的横模1.3μm Ga InAsP/InP 掩埋新月激光器。在11-25mA 的低阈值电流下实现了高达95%的单横模效率。在高功率和长运转周期(50℃,20mA,1000h)的条件下证明了横模的稳定性。进入到单模光纤的耦合效率为63%,160mA 时的耦合功率为40mW。同时证明了在5mW 的恒定功率(50—70℃)和20mW(50℃)的老化试验中有稳定的连续工作。; 关键词横模 GaInA sP/InP 反应离子束蚀刻阈值电流耦合效率单模光纤运转周期有源区腔长有源层; 分类号 TN141.9 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SiO_2薄膜辅助硅-玻璃热键合技术的研究: 3; 作者黄腾超沈亦兵侯西云娄迪白剑; 机构浙江大学现代光学与仪器国家重点实验室; 出处《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1310-1314,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(60077009)国家教育部博士点基金资助项目.; 文摘为了解决Si和普通玻璃进行直接键合时材料的热失配问题,提出了利用SiO2薄膜辅助进行硅-玻璃热键合(SGTB)的技术.通过分析SiO2薄膜辅助SGTB技术的化学物理过程,对键合过程中的工艺条件进行了优化.利用反应离子束蚀刻(RIBE)对基片进行抛光,使得键合表面达到2 nm级的表面粗糙度.在大气的环境下将处理过的玻璃、Si基片干燥, 进行预键合.预键合好的Si、玻璃基片在200℃的氧化环境下退火,基片之间的硅烷醇键发生聚合反应,形成硅氧键键合.实验结果表明,硅和玻璃基片的表面能经过预键合后有了提高,水分子和Si表面SiO2中的氧原子交连在一起,OH-数量增加,形成硅烷醇键.Si表面热生长SiO2薄膜的存在,减少了由Si、玻璃热膨胀系数和热传导系数差异引起的诱导应力.; 关键词 SiO1薄膜辅助硅-玻璃热键合反应离子束蚀刻热诱导应力; Keywords SiO2 film assist silicon-glass thermal bonding （SGTB） reactive ion beam etching （RIBE） thermally induced stress; 分类号 TN305.94 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名超微细加工及设备: 4; 出处《中国光学》 EI CAS 1998年第6期69-69,共1页; 文摘 TN305.7 98063982衍射光学元件的反应离子束蚀刻研究=Reactive ionbeam etching for diffractive optical elements[刊,中]/杨李茗,虞淑环,许乔,舒晓武,杨国光(浙江大学现代光学仪器国家重点实验室.浙江。; 关键词反应离子束蚀刻衍射光学元件现代光学仪器国家重点实验室超微细加工浙江大学蚀刻速率光栅技术研究设备; 分类号 O436.1 [机械工程—光学工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	衍射光学元件的反应离子束蚀刻研究	杨李茗虞淑环许乔舒晓武杨国光	《光子学报》 EI CAS CSCD	1998	5	在线阅读下载PDF 职称材料
2	用反应离子束蚀刻制备1.3μmGaInA sP/InP横模掩埋新月激光器	师庆华	《液晶与显示》 CAS CSCD	1991	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	SiO_2薄膜辅助硅-玻璃热键合技术的研究	黄腾超沈亦兵侯西云娄迪白剑	《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	超微细加工及设备		《中国光学》 EI CAS	1998	0	在线阅读下载PDF 职称材料