-
题名光伏硅线切割废料制备反应烧结SiC陶瓷
被引量：2
- 1
-
-
作者
王艳香
孙健
肖剑翔
-
机构
景德镇陶瓷学院
-
出处
《陶瓷学报》
CAS
北大核心
2014年第4期382-386,共5页
-
基金
江西省科技厅社会发展项目(编号:20122BBG70070
2011BBG70007)
-
文摘
以光伏硅切割固体废料为主,外加碳化硅粉、炭黑、胶体石墨在真空烧结炉中制备反应烧结碳化硅。主要分析了线切割固体废料化学组成、物相组成、显微形貌和粒度分布等,并研究了炭粉的种类和硅的含量对反应烧结碳化硅陶瓷的影响。结果表明:该切割废料中的主晶相为Si和6H-SiC,其中Si的含量为60.00%,SiC含量为25.00%,Fe的含量3.51%,Cu的含量0.08%,其他物质为11.47%。切割废料的体积平均粒径约为11.16 μm,表面积平均粒径为1.95 μm,D50为6.34 μm。烧成温度为1600℃采用真空烧结,当配方中硅的含量为30.00%时,采用炭黑为碳源,制得样品体积密度为2.67g/cm3,吸水率为2.30%,显气孔率6.10%,相同配方采用的炭粉为胶体石墨时,试样的体积密度2.39 g/cm3,吸水率8.88%,显气孔率21.23%。
-
关键词
光伏硅切割废料
反应烧结sic陶瓷
工艺条件
性能
-
Keywords
photovoltaic silicon line cutting waste reaction bonded silicon carbide process conditions properties
-
分类号
TQ174.75
[化学工程—陶瓷工业]
-
-
题名Si含量对反应烧结SiC陶瓷热电性能的影响
- 2
-
-
作者
魏薇
曹小明
张劲松
-
机构
中国科学院金属研究所
-
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第A04期1380-1383,共4页
-
文摘
采用可控溶渗反应烧结法制备了致密SiC陶瓷，研究了不同Si含量对反应烧结SiC陶瓷热电性能的影响。经研究发现，反应烧结SiC陶瓷中Si的存在使SiC陶瓷的电阻率急剧下降，大大改善了SiC陶瓷的电学性能；同时Si也改变了SiC陶瓷塞贝克系数随温度的变化趋势，即没有添加Si元素的SiC陶瓷的塞贝克系数随温度的升高逐渐增大，而添加Si元素的SiC陶瓷的塞贝克系数随温度的升高逐渐减小；总的来看，随着Si含量的增加，SiC陶瓷的塞贝克系数扣电导率不断增大，因此Sic陶瓷的功率因子不断提高，而且随着温度的升高，Si含量对SiC陶瓷热电优值的影响越来越明显，当含量为15％时，材料的热电优值是SiC烧结体的30倍。
-
关键词
反应烧结sic陶瓷
SI含量
塞贝克系数
热电优值
-
Keywords
sintered sic ceramics
Si content
Seebeck coefficient
thermoelectric figure of merit
-
分类号
TM913
[电气工程—电力电子与电力传动]
TQ174.75
[化学工程—陶瓷工业]
-
