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纳米硅制备过程中微结构与反应气体流量之间的关系研究(英文)
1
作者
刘英才
尹衍升
+2 位作者
李静
李嘉
初蕾
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第4期644-646,共3页
利用LICVD方法制备了纳米硅颗粒。研究了不同反应气体流量条件下 ,纳米硅微结构的转变规律 ,分析了制备工艺参数对纳米硅微结构的影响机制。研究表明 ,在激光功率密度恒定条件下 ,随着反应气体流量的增加 ,所制备纳米硅颗粒的尺寸逐渐变...
利用LICVD方法制备了纳米硅颗粒。研究了不同反应气体流量条件下 ,纳米硅微结构的转变规律 ,分析了制备工艺参数对纳米硅微结构的影响机制。研究表明 ,在激光功率密度恒定条件下 ,随着反应气体流量的增加 ,所制备纳米硅颗粒的尺寸逐渐变小 ,微结构中非晶态比例随反应气流的增加而增加。
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关键词
纳米硅
制备
微结构
反应气体流量
LICVD方法
晶体生长
激光诱导化学气相沉积法
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职称材料
p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜的制备与研究
2
作者
张化福
刘汉法
祁康成
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第A01期25-28,共4页
以NH3和SiH4为反应源气体，采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）法在多晶硅（P-Si）衬底上沉积了一系列SiN薄膜并进行了相关性能测试。系统地分析讨论了反应源气体流量比和反应压强对siN薄膜介电常数、电学性能及界面特性的...
以NH3和SiH4为反应源气体，采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）法在多晶硅（P-Si）衬底上沉积了一系列SiN薄膜并进行了相关性能测试。系统地分析讨论了反应源气体流量比和反应压强对siN薄膜介电常数、电学性能及界面特性的影响，在制备高质量的P-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜方面具有重要的参考价值。
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关键词
PECVD
SiN薄膜
反应
源
气体
流量
比
反应
压强
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职称材料
题名
纳米硅制备过程中微结构与反应气体流量之间的关系研究(英文)
1
作者
刘英才
尹衍升
李静
李嘉
初蕾
机构
中国海洋大学材料科学与工程学院
河北科技大学材料科学与工程学院
山东大学材料液态结构及其遗传性教育部重点实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第4期644-646,共3页
基金
theNationalNaturalScienceFoundationofChina (No.50 2 4 2 0 0 8)
文摘
利用LICVD方法制备了纳米硅颗粒。研究了不同反应气体流量条件下 ,纳米硅微结构的转变规律 ,分析了制备工艺参数对纳米硅微结构的影响机制。研究表明 ,在激光功率密度恒定条件下 ,随着反应气体流量的增加 ,所制备纳米硅颗粒的尺寸逐渐变小 ,微结构中非晶态比例随反应气流的增加而增加。
关键词
纳米硅
制备
微结构
反应气体流量
LICVD方法
晶体生长
激光诱导化学气相沉积法
Keywords
nano-silicon
LICVD (laser induced chemical vapor deposition)
crystal growth
microstructure
分类号
TG156 [金属学及工艺—热处理]
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职称材料
题名
p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜的制备与研究
2
作者
张化福
刘汉法
祁康成
机构
山东理工大学物理与光电信息技术学院
电子科技大学光电信息学院
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第A01期25-28,共4页
基金
基金项目：电子科技大学青年基金资助项目（YF020503）
文摘
以NH3和SiH4为反应源气体，采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）法在多晶硅（P-Si）衬底上沉积了一系列SiN薄膜并进行了相关性能测试。系统地分析讨论了反应源气体流量比和反应压强对siN薄膜介电常数、电学性能及界面特性的影响，在制备高质量的P-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜方面具有重要的参考价值。
关键词
PECVD
SiN薄膜
反应
源
气体
流量
比
反应
压强
Keywords
plasma-enhanced chemical-vapor depositionl silicon nitride filml reactant gas rationl reaction pressure
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
TN104.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
纳米硅制备过程中微结构与反应气体流量之间的关系研究(英文)
刘英才
尹衍升
李静
李嘉
初蕾
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
0
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职称材料
2
p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜的制备与研究
张化福
刘汉法
祁康成
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
0
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职称材料
已选择
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引证文献
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