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题名CdIn_2O_4薄膜气敏特性的研究
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作者
董玉峰
廖克俊
王万录
王蜀霞
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机构
重庆大学应用物理系
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出处
《广西师范大学学报（自然科学版）》
CAS
2000年第S2期4-7,共4页
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基金
教育部春晖计划资助项目
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文摘
在 Ar+O2 混合气体中用射频反应性溅射方法制备了纯的和 Pt掺杂的 Cd In2 O4薄膜 ,用 XRD,AES等方法分析了薄膜的结构和化学成分 .测试了两种薄膜对酒精气体的气敏特性 ,包括灵敏度随温度、气体浓度的变化以及传感器元件的响应曲线 ,并对气敏机理进行了讨论 .
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关键词
射频反应性溅射
CdIn2O4薄膜
气敏特性
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分类号
TP212.2
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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题名提高DC平面磁控溅射中靶材利用率的新方法
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作者
周勇
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机构
四川压电与声光技术研究所
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出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2005年第6期698-699,共2页
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文摘
目前已得到广泛应用的DC平面磁控反应性溅射制备ZnO压电薄膜，由于靶面氧化和靶表面氧化物的沉积，导致放电电阻增加和靶表面的弧光放电，严重影响压电薄膜的生长和靶材利用率。该文介绍了一种采用稀硝酸对已被氧化的金属锌靶进行清洗的新方法，效果良好，靶材利用率提高3～4倍。
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关键词
金属Zn靶
ZNO压电薄膜
反应性溅射
靶材利用率
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Keywords
metal Zn target
piezoelectric ZnO thin film
reactive sputtering
utilization factor of target
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分类号
TN304
[电子电信—物理电子学]
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题名高功率脉冲磁控溅射制备非晶碳薄膜研究进展
被引量：20
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作者
左潇
孙丽丽
汪爱英
柯培玲
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机构
中国科学院宁波材料技术与工程研究所中国科学院海洋新材料与应用技术重点实验室浙江省海洋材料与防护技术重点实验室
中国科学院大学材料与光电研究中心
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出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第9期53-63,共11页
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基金
国家自然科学基金(11705258)
中国科学院A类战略性先导科技专项(XDA22010303)
+1 种基金
宁波市科技攻关2025重大项目(2018B10014)
宁波市江北区重大科技项目(201801A03)~~
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文摘
非晶碳薄膜主要由sp^3碳原子和sp^2碳原子相互混杂的三维网络构成,具有高硬度、低摩擦系数、耐磨损、耐腐蚀以及化学稳定性等优异性能。然而传统制备方法难以实现薄膜结构及其性能的综合调控,高功率脉冲磁控溅射因其离子沉积特性受到领域内专家学者的关注。总结了近年来关于高功率脉冲磁控溅射制备非晶碳薄膜材料的研究进展。重点介绍了高功率脉冲磁控溅射石墨靶的放电特性,指出了其在沉积非晶碳薄膜过程中获得高碳原子离化率的条件。针对离化率和沉积速率低,主要从提高碳原子离化率和碳离子传输效率等角度,介绍了几种改进的高功率脉冲磁控溅射方法。并对比了不同高功率脉冲磁控溅射方法中的碳原子离化特征、薄膜沉积速率、结构和力学性能。进一步地,探讨了高功率脉冲磁控溅射在制备含氢非晶碳薄膜和金属掺杂非晶碳薄膜中的优势及其在燃料电池、生物、传感等前沿领域的应用。最后,对高功率脉冲磁控溅射石墨靶的离子沉积特性、非晶碳薄膜制备及其应用研究趋势进行了展望。
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关键词
高功率脉冲磁控溅射
非晶碳薄膜
放电特征
沉积速率
反应性磁控溅射
金属掺杂非晶碳薄膜
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Keywords
HiPIMS
amorphous carbon thin films
discharge characteristics
deposition rate
reactive magnetron sputtering
Me-DLC
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分类号
TG174.4
[金属学及工艺—金属表面处理]
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题名多晶SiC薄膜的生长及其压阻特性
被引量：5
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作者
蔡浩一
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机构
东北传感技术研究所
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出处
《传感器技术》
CSCD
1995年第4期7-9,12,共4页
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文摘
在Ａｒ、ＣＨ４的混合气体中用反应性磁控溅射法生长了多品ＳｉＣ薄膜。溅射靶使用了单晶硅片。ＳｉＣ薄膜的生长速率１０～４０ｎｍ／ｍｉｎ。Ａｒ的分压为６０ｍｔｏｒｒ（１ｔｏｒｒ＝１３３．３２２Ｐａ，以下同），ＣＨ４的分压为４０ｍｔｏｒｒ，衬底温度为７５０℃时，薄膜具有显著的多晶特性。杂质浓度、Ｈａｌｌ迁移率、电阻率分别为１０（１８）ｃｍ（－３）、１０ｃｍ（２）／Ｖ·ｓ、１０（－１）１０（－２）Ωｃｍ。压阻系数约为１５。
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关键词
薄膜
多晶
反应性磁控溅射
压阻效应
碳化硅
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Keywords
Thin film Polycrystalline SiC Reactive sputtering Pieap-resistive effect
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分类号
TN304.24
[电子电信—物理电子学]
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