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多晶氮化铜薄膜制备及性能研究
被引量：
11
1
作者
岳光辉
闫鹏勋
刘金良
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第2期344-348,共5页
采用反应射频磁控溅射的方法在不同的氮气分压的条件下,在玻璃基底上成功制备了氮化铜(Cu3N)薄膜.XRD显示氮气的气氛影响薄膜的择优生长取向,在低氮气气氛时薄膜择优[111]晶向生长,在高的氮气气氛条件下薄膜的择优生长取向为[100].用Sch...
采用反应射频磁控溅射的方法在不同的氮气分压的条件下,在玻璃基底上成功制备了氮化铜(Cu3N)薄膜.XRD显示氮气的气氛影响薄膜的择优生长取向,在低氮气气氛时薄膜择优[111]晶向生长,在高的氮气气氛条件下薄膜的择优生长取向为[100].用Scherrer公式估算出薄膜晶粒的大小在17～26nm之间,实验并研究了薄膜的热稳定性和电学性质.结果表明,薄膜的热稳定性较差,在200℃退火1h后已经完全呈Cu的相,薄膜的电阻率随着填隙原子的数目减少从导体到绝缘体发生不连续的改变.
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关键词
多晶氮化铜薄膜
制备方
法
热稳定性
电阻率
反应射频磁控溅射法
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职称材料
题名
多晶氮化铜薄膜制备及性能研究
被引量：
11
1
作者
岳光辉
闫鹏勋
刘金良
机构
兰州大学等离子体与金属材料研究所
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第2期344-348,共5页
基金
甘肃省自然科学基金重点项目资助(ZS021 A25 022 C)
文摘
采用反应射频磁控溅射的方法在不同的氮气分压的条件下,在玻璃基底上成功制备了氮化铜(Cu3N)薄膜.XRD显示氮气的气氛影响薄膜的择优生长取向,在低氮气气氛时薄膜择优[111]晶向生长,在高的氮气气氛条件下薄膜的择优生长取向为[100].用Scherrer公式估算出薄膜晶粒的大小在17～26nm之间,实验并研究了薄膜的热稳定性和电学性质.结果表明,薄膜的热稳定性较差,在200℃退火1h后已经完全呈Cu的相,薄膜的电阻率随着填隙原子的数目减少从导体到绝缘体发生不连续的改变.
关键词
多晶氮化铜薄膜
制备方
法
热稳定性
电阻率
反应射频磁控溅射法
Keywords
Cu_3N thin film
thermal stability
resistivity
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
多晶氮化铜薄膜制备及性能研究
岳光辉
闫鹏勋
刘金良
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
11
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