氮气含量对反应射频磁控溅射制备CrN_x薄膜组织与性能的影响 被引量：3

1

作者 陈勇 李晖 +1 位作者 许洪斌 王松 《重庆理工大学学报（自然科学）》 CAS 2012年第12期21-25,共5页

采用反应射频磁控溅射法在40Cr基体上制备CrNx薄膜,研究了不同氮气含量对薄膜组织形貌、粗糙度、沉积厚度以及纳米硬度和弹性模量的影响。结果表明:采用反应射频磁控溅射法在不同氮气含量下,可制备得到厚度均匀、表面质量好的CrNx薄膜;... 采用反应射频磁控溅射法在40Cr基体上制备CrNx薄膜,研究了不同氮气含量对薄膜组织形貌、粗糙度、沉积厚度以及纳米硬度和弹性模量的影响。结果表明:采用反应射频磁控溅射法在不同氮气含量下,可制备得到厚度均匀、表面质量好的CrNx薄膜;随着氮气含量的增加,薄膜的表面光洁度先逐渐增大,氮气含量为20%时光洁度值最大为0.024μm,之后光洁度缓慢下降;薄膜的沉积厚度也随着氮气含量的增加而先增大后减小,氮气含量分别为20%和50%,薄膜厚度出现最大值8.7μm和最小值2.1μm;随着氮气含量的变化,当含量为20%时纳米硬度最大值为30.9 GPa,弹性模量为422.6 GPa。 展开更多

关键词 反应射频磁控溅射 CRNX薄膜 氮气含量 纳米硬度 弹性模量

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基片温度对反应射频磁控溅射法制备掺杂CeO2电解质薄膜的影响 被引量：2

2

作者 郝斌魁 姜雪宁 +1 位作者 张庆瑜 陈充林 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期134-139,共6页

利用Gd/Ce镶嵌复合靶、采用反应射频磁控溅射技术制备了Gd2O3掺杂CeO2(GDC)氧离子导体电解质薄膜,重点探讨了基片温度对薄膜物相结构、沉积速率及生长形貌的影响.分析结果表明,不同温度下制备的薄膜中,立方面心结构GDC固溶体相占主导,... 利用Gd/Ce镶嵌复合靶、采用反应射频磁控溅射技术制备了Gd2O3掺杂CeO2(GDC)氧离子导体电解质薄膜,重点探讨了基片温度对薄膜物相结构、沉积速率及生长形貌的影响.分析结果表明,不同温度下制备的薄膜中,立方面心结构GDC固溶体相占主导,同时存在少量体心立方结构Gd2O3中间相;GDC薄膜的生长取向随基片温度而变化,200℃时,无择优取向,500℃时薄膜呈现(220)织构,700℃则为(111)择优取向;薄膜沉积速率随基片温度呈阶段性规律变化,(220)方向择优生长越显著,沉积速率越高,薄膜粗糙度越大;AFM分析表明,薄膜为岛状生长,随温度升高,表面生长岛尺寸增大,岛密度变小. 展开更多

关键词 反应射频磁控溅射 GDC电解质薄膜 基片温度 X射线衍射 原子力显微镜

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MgO/Au复合薄膜的反应射频磁控溅射法制备及表面形貌研究 被引量：2

3

作者 李亨 胡文波 +1 位作者 吴胜利 魏强 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期842-846,共5页

采用反应射频磁控溅射法制备MgO/Au复合薄膜,并对使用Mg靶和Au靶共溅射、分步溅射方式以及在不同的衬底温度和Ar/O2气体流量比下制备的样品进行X射线光电子能谱、X射线衍射和扫描电子显微镜分析,研究了主要工艺参数对复合薄膜表面成分... 采用反应射频磁控溅射法制备MgO/Au复合薄膜,并对使用Mg靶和Au靶共溅射、分步溅射方式以及在不同的衬底温度和Ar/O2气体流量比下制备的样品进行X射线光电子能谱、X射线衍射和扫描电子显微镜分析,研究了主要工艺参数对复合薄膜表面成分和形貌的影响。结果表明,采用共溅射方式制备的复合薄膜中Au元素的含量偏高,薄膜表面有团聚生长的Au晶粒,而采用分步溅射法可以使复合薄膜中Au元素的摩尔百分比下降到7.30%。采用分步溅射制备复合薄膜时,较高的衬底温度有助于MgO晶粒的生长,当衬底温度为500℃,通入Ar气和O2气的流量分别为25和5 mL/min时,MgO晶粒尺寸达到了30-40 nm;MgO薄膜主要呈现出了（111）、（200）和（220）三种结晶取向,较高的Ar/O2气体流量比有利于（200）晶向的形成,而较低的Ar/O2气体流量比有利于（220）晶向的形成。 展开更多

关键词 反应射频磁控溅射 MgO复合薄膜 表面形貌 结晶取向

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射频反应磁控溅射SnO_2/MWCNTs薄膜材料的气敏性能研究 被引量：5

4

作者 林伟 黄世震 陈文哲 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期771-775,共5页

采用射频反应磁控溅射方法制备掺杂多壁碳纳米管(MWCNTs)的SnO2薄膜材料,并在此基础之上制作了NO2气敏传感器,使用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)研究了SnO2/MWCNTs薄膜材料的表面形貌、物质组份等材料特性,采用气敏元件测试系... 采用射频反应磁控溅射方法制备掺杂多壁碳纳米管(MWCNTs)的SnO2薄膜材料,并在此基础之上制作了NO2气敏传感器,使用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)研究了SnO2/MWCNTs薄膜材料的表面形貌、物质组份等材料特性,采用气敏元件测试系统来分析传感器的气敏效应,包括灵敏度、选择性、响应-恢复等特性,实验结果表明该气敏传感器对超低浓度(10ppb)NO2气体有很好的灵敏度,对干扰气体不敏感,提出了气敏机理解释实验现象。 展开更多

关键词 SnO2/MWCNTs材料 射频反应磁控溅射 气敏元件 NO2

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反应RF磁控溅射法制备氧化铝薄膜及其介电损耗 被引量：8

5

作者 赵登涛 朱炎 狄国庆 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第4期300-303,共4页

在氧气和氩气的混合气氛中 ,利用反应射频磁控溅射铝靶制备了非晶氧化铝薄膜 ,其直流介电强度为 3～ 4MV/cm。当固定氩气流量 (压力 ) ,改变氧分压时 ,薄膜沉积速率先减小 ,再增大 ,然后又减小。适当的低工作气压和溅射功率下 ,薄膜的... 在氧气和氩气的混合气氛中 ,利用反应射频磁控溅射铝靶制备了非晶氧化铝薄膜 ,其直流介电强度为 3～ 4MV/cm。当固定氩气流量 (压力 ) ,改变氧分压时 ,薄膜沉积速率先减小 ,再增大 ,然后又减小。适当的低工作气压和溅射功率下 ,薄膜的介电损耗可以达到 0 4% ,小于已报道的关于非晶氧化铝薄膜的损耗。从 1 0 0Hz到 5MHz。 展开更多

关键词 反应射频磁控溅射 介电损耗 氧化铝薄膜

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射频反应磁控溅射法退火生长Na-N共掺杂p-ZnO薄膜 被引量：6

6

作者 林兰 叶志镇 +3 位作者 龚丽 别勋 吕建国 赵炳辉 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期199-203,共5页

采用射频反应磁控溅射法退火生长得到了Na-N共掺杂p-ZnO薄膜。XRD测试结果表明,退火前后均得到c轴择优取向的ZnO薄膜。Hall测试结果表明:退火后薄膜的电学性能明显改善,得到了p-ZnO薄膜,退火温度为450℃时取得最佳电学性能:室温电阻率为... 采用射频反应磁控溅射法退火生长得到了Na-N共掺杂p-ZnO薄膜。XRD测试结果表明,退火前后均得到c轴择优取向的ZnO薄膜。Hall测试结果表明:退火后薄膜的电学性能明显改善,得到了p-ZnO薄膜,退火温度为450℃时取得最佳电学性能:室温电阻率为139.2Ω.cm,迁移率为0.2cm2.V-1.s-1,空穴浓度为2.5×1017cm-3。XPS分析表明:Na掺入ZnO中作为受主NaZn而存在,N主要以N—H键的形式存在,其受主NO的作用不明显,但是否存在NaZn-NO受主复合体,还需进一步的研究。 展开更多

关键词 射频反应磁控溅射 Na-N共掺 P型ZNO薄膜 退火

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射频反应磁控溅射制备ZnO薄膜的微结构及其光学性能 被引量：1

7

作者 夏齐萍 汪小小 +2 位作者 吕建国 宋学萍 孙兆奇 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期430-434,共5页

采用射频反应磁控溅射技术在石英和Si衬底上制备了高度c轴择优取向的ZnO薄膜,样品的氧氩流量比分别为10:40,20:40,30:40,40:40。利用X射线衍射仪、表面轮廓仪、原子力显微镜和紫外-可见分光光度计研究了样品的微结构与光学特性。研究表... 采用射频反应磁控溅射技术在石英和Si衬底上制备了高度c轴择优取向的ZnO薄膜,样品的氧氩流量比分别为10:40,20:40,30:40,40:40。利用X射线衍射仪、表面轮廓仪、原子力显微镜和紫外-可见分光光度计研究了样品的微结构与光学特性。研究表明:氧氩流量比为30:40的样品结晶质量最好。所制备的ZnO薄膜的可见光平均透射率均大于87%。随着氧氩流量比的增大,薄膜的透射率呈非单调变化,氧氩流量比为30:40的样品在可见光范围的平均透射率可达93%。光学带隙随着氧氩流量比的增大,先增大后减小。与块材ZnO的带隙(3.37 eV)相比,ZnO薄膜的带隙均变窄。 展开更多

关键词 射频反应磁控溅射 ZNO薄膜 微结构 光学性能

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偏压对磁控溅射ZnO薄膜的成核机制及表面形貌演化动力学的影响 被引量：4

8

作者 付伟佳 刘志文 +2 位作者 谷建峰 刘明 张庆瑜 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期602-606,共5页

利用反应射频磁控溅射技术,通过对基体施加负偏压溅射ZnO薄膜,探讨了固定偏压下ZnO薄膜的表面形貌随沉积时间的演化以及不同偏压对ZnO薄膜表面形貌的影响.研究结果表明,在-100V的偏压下,随着沉积时间的增加,ZnO薄膜的表面岛尺寸不断减小... 利用反应射频磁控溅射技术,通过对基体施加负偏压溅射ZnO薄膜,探讨了固定偏压下ZnO薄膜的表面形貌随沉积时间的演化以及不同偏压对ZnO薄膜表面形貌的影响.研究结果表明,在-100V的偏压下,随着沉积时间的增加,ZnO薄膜的表面岛尺寸不断减小,密度逐渐变大.ZnO在基片表面成核过程中的本征缺陷成核阶段和轰击缺陷成核阶段的生长指数分别为(0.45±0.03)和(0.22±0.04),低速率成核过程基本消失;随着偏压增大,表面岛的尺寸变大,表面起伏增加.偏压不但可以改变ZnO薄膜的成核和生长过程,而且影响薄膜的晶体取向. 展开更多

关键词 ZNO薄膜 反应射频磁控溅射 偏压 形貌分析

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溅射气氛对RF反应磁控溅射制备ZnO薄膜微结构及光致发光特性的影响 被引量：5

9

作者 祐卫国 张勇 +3 位作者 李璟 杨峰 CHENG C H 赵勇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期503-508,共6页

用射频反应磁控溅射法在不同溅射压强和氩氧比下制备了ZnO薄膜,通过X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）和光致发光（PL）谱等研究了溅射压强和氩氧比对ZnO薄膜结构和光学性质的影响。测量结果显示,所制备的ZnO薄膜为六角纤锌矿结构,具有... 用射频反应磁控溅射法在不同溅射压强和氩氧比下制备了ZnO薄膜,通过X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）和光致发光（PL）谱等研究了溅射压强和氩氧比对ZnO薄膜结构和光学性质的影响。测量结果显示,所制备的ZnO薄膜为六角纤锌矿结构,具有沿c轴的择优取向;溅射压强P=0.6Pa,氩氧比Ar/O2=20/5.5sccm时,（002）晶面衍射峰强度和平均晶粒尺寸较大,（O02）XRD峰半峰全宽（FWHM）最小,光致发光紫外峰强度最强。 展开更多

关键词 ZNO薄膜 射频反应磁控溅射 溅射压强 氩氧比 光致发光

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磁控溅射制备ZrN_x薄膜离子导体性能研究 被引量：1

10

作者 黄佳木 覃丽禄 董思勤 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期450-452,456,共4页

采用射频反应磁控溅射工艺,以纯Zr为靶材,在WO3/ITO/Glass基片上采用不同工艺参数沉积ZrNx薄膜,用紫外-可见分光光度计、循环伏安法、X射线衍射仪、扫描电镜等研究了ZrNx薄膜的离子导电性能。研究结果表明,所制备的ZrNx薄膜为非晶态,ZrN... 采用射频反应磁控溅射工艺,以纯Zr为靶材,在WO3/ITO/Glass基片上采用不同工艺参数沉积ZrNx薄膜,用紫外-可见分光光度计、循环伏安法、X射线衍射仪、扫描电镜等研究了ZrNx薄膜的离子导电性能。研究结果表明,所制备的ZrNx薄膜为非晶态,ZrNx/WO3/ITO/Glass复合膜的光学调节范围最大达57%以上,在离子传导过程中表现出良好的离子导电性能。 展开更多

关键词 射频反应磁控溅射 氮化锆薄膜 离子导体

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射频反应溅射制备AlN薄膜的研究 被引量：1

11

作者 李侃 董树荣 王德苗 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05A期1459-1461,1465,共4页

采用射频反应磁控溅射制备了高C轴取向的AlN薄膜.在分析Berg迟滞模型的基础上,提出并实现了一种以氮气流量控制反应进程、以阴极电压标识反应进程的高速沉积c轴择优取向AlN薄膜的工艺方法.采用此种方法制备的AlN薄膜,在20W/cm2射频功率... 采用射频反应磁控溅射制备了高C轴取向的AlN薄膜.在分析Berg迟滞模型的基础上,提出并实现了一种以氮气流量控制反应进程、以阴极电压标识反应进程的高速沉积c轴择优取向AlN薄膜的工艺方法.采用此种方法制备的AlN薄膜,在20W/cm2射频功率密度的情况下沉积速率达到2.3μm/h,远高于有关研究报道数据,获得的AlN薄膜(002)面X-射线衍射峰半高宽仅为0.3°,显示出薄膜具有良好的择优取向. 展开更多

关键词 AIN 压电薄膜 射频反应磁控溅射 择优取向 FBAR

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磁控溅射制备大面积原子级平滑超低电阻率TiN薄膜电极 被引量：2

12

作者 田忠杰 史淑艳 +4 位作者 陈琦磊 芮祥新 黄新宇 孙纳纳 周大雨 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2021年第7期7012-7017,共6页

利用射频反应磁控溅射法制备了大面积原子级平滑的TiN薄膜电极,针对衬底偏压对TiN电极性能与结构的影响进行了系统探究。采用四探针方阻测试仪、XPS、GIXRD和AFM等测试手段对TiN薄膜电极的电阻率、化学成分、择优取向、表面形貌及薄膜... 利用射频反应磁控溅射法制备了大面积原子级平滑的TiN薄膜电极,针对衬底偏压对TiN电极性能与结构的影响进行了系统探究。采用四探针方阻测试仪、XPS、GIXRD和AFM等测试手段对TiN薄膜电极的电阻率、化学成分、择优取向、表面形貌及薄膜均匀性进行表征分析。结果表明,施加-200 V衬底偏压可获得超低电阻率的TiN薄膜电极。采用最佳衬底偏压在4英寸单晶硅衬底上沉积的TiN电极薄膜具有较好的均匀一致性。最后将该TiN薄膜电极集成在HfO2薄膜电容器中,该电容器展现出良好的顺电性能和低漏电特性。 展开更多

关键词 射频反应磁控溅射 TiN电极薄膜 表面粗糙度 电阻率

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磁控溅射温度对Zr-N薄膜扩散阻挡性能的影响 被引量：1

13

作者 丁明惠 张宏森 +1 位作者 张丽丽 王颖 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期1612-1614,共3页

在不同的沉积温度下,用射频反应磁控溅射的方法在Si(100)衬底和Cu膜间制备了Zr-N阻挡层。用四探针电阻测试仪(FPP)、AFM、XRD、AES研究了沉积温度对Zr-N薄膜扩散阻挡性能的影响。沉积态的XRD、AFM结果表明,随着沉积温度的升高,Zr-N薄膜... 在不同的沉积温度下,用射频反应磁控溅射的方法在Si(100)衬底和Cu膜间制备了Zr-N阻挡层。用四探针电阻测试仪(FPP)、AFM、XRD、AES研究了沉积温度对Zr-N薄膜扩散阻挡性能的影响。沉积态的XRD、AFM结果表明,随着沉积温度的升高,Zr-N薄膜的结构由非晶态向晶态转变,晶粒的尺寸增大;650℃退火后的FPP、XRD、AES的对比结果说明沉积温度的升高有利于提高Zr-N薄膜的扩散阻挡性能。 展开更多

关键词 Zr-N薄膜 扩散阻挡层 CU互连 射频反应磁控溅射

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反应溅射制备非晶Al_2O_3薄膜的介电特性 被引量：7

14

作者 赵登涛 狄国庆 朱炎 《材料科学与工程》 CSCD 2000年第3期80-83,共4页

在氧气、氩气的混合气氛中 ,利用反应射频磁控溅射制备了厚度在 1 0 0到 1 0纳米的非晶氧化铝薄膜。通过 Al-Al2 O3 -Al电容器研究了此非晶薄膜的介电性质。

关键词 反应射频磁控溅射 介电性质 非晶 氧化铝薄膜

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溅射功率对二氧化锆薄膜结构及力学性能的影响研究 被引量：6

15

作者 彭塞奥 王天齐 +12 位作者 金克武 杨扬 李刚 姚婷婷 杨勇 沈洪雪 鲍田 汤永康 金良茂 王东 苏文静 沈鸿烈 甘治平 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2019年第10期3133-3138,3144,共7页

为了研究溅射功率对二氧化锆薄膜结构及力学性能的影响,使用射频反应磁控溅射技术在常温下以玻璃为基底使用不同功率镀制了800 nm左右的ZrO2薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对样品结晶情况,表面和断面形貌进行表征,结... 为了研究溅射功率对二氧化锆薄膜结构及力学性能的影响,使用射频反应磁控溅射技术在常温下以玻璃为基底使用不同功率镀制了800 nm左右的ZrO2薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对样品结晶情况,表面和断面形貌进行表征,结果显示镀制的ZrO2薄膜均为单斜晶体,晶粒尺寸变化不大;随着功率的升高,薄膜从纳米晶结构转变为柱状晶结构。使用纳米压痕仪对薄膜表面进行硬度和弹性模量测试,发现随着功率升高,硬度和弹性模量均出现上升趋势,进一步增加功率出现下降,再上升的变化;在沉积功率为65 W时,可得到厚度为800 nm,弹性恢复量,硬度,弹性模量和塑性指数均最高,分别为88.55%,25.42 GPa,228.6 GPa和0.314的ZrO2薄膜。不同的溅射功率会镀制出不同结构的二氧化锆薄膜,在常温低功率溅射条件下二氧化锆薄膜结构是影响其力学性能的重要因素。 展开更多

关键词 氧化锆薄膜 射频反应磁控溅射 弹性恢复量 硬度 弹性模量 功率 结构

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射频输入功率对DLC∶F∶Si薄膜结构和附着特性的调制机理 被引量：2

16

作者 吴伟 朱志鹏 +3 位作者 张剑东 闵嘉炜 江美福 钱侬 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期363-367,384,共6页

以SiC陶瓷靶为靶材,Ar和CHF_3为源气体,采用反应磁控溅射法在双面抛光的316L不锈钢基片上制备出了系列Si和F共掺杂的DLC∶F∶Si薄膜。研究了射频输入功率对薄膜的附着力、硬度和表面接触角的影响。结果表明,选取适当的输入功率(180W左右... 以SiC陶瓷靶为靶材,Ar和CHF_3为源气体,采用反应磁控溅射法在双面抛光的316L不锈钢基片上制备出了系列Si和F共掺杂的DLC∶F∶Si薄膜。研究了射频输入功率对薄膜的附着力、硬度和表面接触角的影响。结果表明,选取适当的输入功率(180W左右)可以制备出附着力达11N的DLC∶F∶Si薄膜。通过拉曼和红外光谱分析以及样品粗糙度分析,作者提出了输入功率对DLC∶F∶Si薄膜结构和特性调制的机理,即输入功率直接影响SiC靶的溅射产额、空间Ar^+的能量以及CHF_3的分解程度,继而影响空间Si、C、-CF、-CF_2,特别是F~*等基团的能量和浓度,调制薄膜中F含量以及Si-C键含量和C网络的关联度。Si-C、C=C键的增加有助于薄膜附着力的明显改善,F含量的减少则会导致薄膜的疏水性能有所下降。 展开更多

关键词 DLC∶F∶Si薄膜 射频反应磁控溅射 附着力 共掺杂

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多晶氮化铜薄膜制备及性能研究 被引量：11

17

作者 岳光辉 闫鹏勋 刘金良 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期344-348,共5页

采用反应射频磁控溅射的方法在不同的氮气分压的条件下,在玻璃基底上成功制备了氮化铜(Cu3N)薄膜.XRD显示氮气的气氛影响薄膜的择优生长取向,在低氮气气氛时薄膜择优[111]晶向生长,在高的氮气气氛条件下薄膜的择优生长取向为[100].用Sch... 采用反应射频磁控溅射的方法在不同的氮气分压的条件下,在玻璃基底上成功制备了氮化铜(Cu3N)薄膜.XRD显示氮气的气氛影响薄膜的择优生长取向,在低氮气气氛时薄膜择优[111]晶向生长,在高的氮气气氛条件下薄膜的择优生长取向为[100].用Scherrer公式估算出薄膜晶粒的大小在17～26nm之间,实验并研究了薄膜的热稳定性和电学性质.结果表明,薄膜的热稳定性较差,在200℃退火1h后已经完全呈Cu的相,薄膜的电阻率随着填隙原子的数目减少从导体到绝缘体发生不连续的改变. 展开更多

关键词 多晶氮化铜薄膜 制备方法 热稳定性 电阻率 反应射频磁控溅射法

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新型NO_2薄膜气敏元件的研究

18

作者 林伟 黄世震 陈文哲 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第7期664-668,共5页

采用射频反应磁控溅射方法制备了氧化钨/多壁碳纳米管(WO3/MWCNTs)薄膜材料,并在此基础上研制NO2气敏元件。采用X射线衍射仪(XRD)、X光电子能谱仪(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)来研究WO3/MWCNTs材料的表面形貌、表面化学状态、表面化学元... 采用射频反应磁控溅射方法制备了氧化钨/多壁碳纳米管(WO3/MWCNTs)薄膜材料,并在此基础上研制NO2气敏元件。采用X射线衍射仪(XRD)、X光电子能谱仪(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)来研究WO3/MWCNTs材料的表面形貌、表面化学状态、表面化学元素等材料特性。研究结果表明,MWCNTs已经掺杂进WO3材料,合成的WO3/MWCNTs气敏元件表现出对NO2气体有较高的灵敏度和较好的响应-恢复特性,并解释了该元件的工作机理。 展开更多

关键词 氧化钨/多壁碳纳米管 射频反应磁控溅射 NO2气敏元件

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高模薄膜体声波谐振器(HBAR)的研究

19

作者 董树荣 王德苗 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05B期1927-1929,共3页

高次模薄膜体声波谐振器(HBAR)具有简单的半导体工艺特性和良好的高频特性能,在分析HBAR结构和工作模式的基础上,用MBVD模型在ADS上仿真设计了2GHz谐振频率间隔20MHz的HBAR,实验采用掩模合射频溅射制备了这种HBAR,实测谐振频率间隔22MHz... 高次模薄膜体声波谐振器(HBAR)具有简单的半导体工艺特性和良好的高频特性能,在分析HBAR结构和工作模式的基础上,用MBVD模型在ADS上仿真设计了2GHz谐振频率间隔20MHz的HBAR,实验采用掩模合射频溅射制备了这种HBAR,实测谐振频率间隔22MHz,与理论接近,显示了较好的频率特性,实验同时制备了的高C轴取向的AlN薄膜. 展开更多

关键词 FBAR HBAR 压电薄膜 射频反应磁控溅射 谐振频率

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衬底温度对HfO_xN_y薄膜相关物性的影响

20

作者 张丽明 王莹 《应用化工》 CAS CSCD 2009年第8期1171-1173,共3页

采用射频反应磁控溅射法制备了HfOxNy栅介质薄膜,并研究了HfOxNy栅介质薄膜的化学特性和界面结构随淀积温度的变化而发生的变化规律。光电子能谱测试表明,随着衬底温度的升高,薄膜中的氮含量也随之增加。傅立叶红外吸收光谱研究表明,随... 采用射频反应磁控溅射法制备了HfOxNy栅介质薄膜,并研究了HfOxNy栅介质薄膜的化学特性和界面结构随淀积温度的变化而发生的变化规律。光电子能谱测试表明,随着衬底温度的升高,薄膜中的氮含量也随之增加。傅立叶红外吸收光谱研究表明,随着淀积温度的增加,界面层SiO2的厚度也逐渐增高。 展开更多

关键词 HfOxNy薄膜 射频反应磁控溅射 化学特性 界面结构

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