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新型变密度卤化物/MCP反射式X射线敏感薄膜的研究
被引量：
4
1
作者
田景全
姜德龙
+5 位作者
孙秀平
富丽晨
但唐仁
李野
卢耀华
端木庆铎
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期513-517,共5页
在MCP输入端通道内壁制作了反射式X射线敏感膜层 ,提高了MCP对能量 35～ 5 0keVX射线的探测能力。实验结果表明 :变密度结构的CsI/MCP中膜层结构较密实时 ,其输出响应可提高 5～ 6倍 ,较无膜MCP提高 1～ 2个数量级 ,和CsBr、KBr相比较 ,...
在MCP输入端通道内壁制作了反射式X射线敏感膜层 ,提高了MCP对能量 35～ 5 0keVX射线的探测能力。实验结果表明 :变密度结构的CsI/MCP中膜层结构较密实时 ,其输出响应可提高 5～ 6倍 ,较无膜MCP提高 1～ 2个数量级 ,和CsBr、KBr相比较 ,以CsI的响应特性为最佳 ;膜层材料、结构、工艺和X射线能量等是影响探测能力的主要因素。
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关键词
MCP
反射式x射线敏感薄膜
变密度
卤化物
x
射线
光阴极
微通道板
工作原理
x
射线
影像增强器
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下载PDF
职称材料
题名
新型变密度卤化物/MCP反射式X射线敏感薄膜的研究
被引量：
4
1
作者
田景全
姜德龙
孙秀平
富丽晨
但唐仁
李野
卢耀华
端木庆铎
机构
长春理工大学光电子技术研究所
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期513-517,共5页
文摘
在MCP输入端通道内壁制作了反射式X射线敏感膜层 ,提高了MCP对能量 35～ 5 0keVX射线的探测能力。实验结果表明 :变密度结构的CsI/MCP中膜层结构较密实时 ,其输出响应可提高 5～ 6倍 ,较无膜MCP提高 1～ 2个数量级 ,和CsBr、KBr相比较 ,以CsI的响应特性为最佳 ;膜层材料、结构、工艺和X射线能量等是影响探测能力的主要因素。
关键词
MCP
反射式x射线敏感薄膜
变密度
卤化物
x
射线
光阴极
微通道板
工作原理
x
射线
影像增强器
Keywords
variable density
halide
x
ray photocathode
microchannel plate
分类号
TN144.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
新型变密度卤化物/MCP反射式X射线敏感薄膜的研究
田景全
姜德龙
孙秀平
富丽晨
但唐仁
李野
卢耀华
端木庆铎
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
4
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