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谈谈反射式高能电子衍射的应用: 1; 作者朱兴国《浙江大学学报（理学版）》 CAS CSCD 1995年第S1期143-145,共3页; 本文介绍了应用反射式高能电子衍射(RHEED)对Mn在GaAs(001)面上的分子束外延结果的实时观察分析,不仅给GaAs(001)清洁表面的衍射图样以解释.而且对RHEED反映的体结构信息进行了观察分析,从而初步判定常温下亚稳态γ-Mn的结构.; 关键词高能电子衍射反射式布拉菲点阵晶格常数 rheed GAAS 面心立方观察屏分子束外延点间距; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs(001)_β2(2×4)表面RHEED图谱的虚拟设计: 2; 作者崔英善张正平《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 2009年第6期82-84,88,共4页; 为了保证有关国内一流大型仪器设备的实验教学质量,同时还能节省高校的实验耗费,在LabVIEW8.2开发环境下,通过对反射式高能电子衍射仪(RHEED)原理、样品砷化镓GaAs(001)_β2(2×4)表面原子结构及相关固体物理学知识的深入探究,运用... 展开更多; 关键词虚拟仪器虚拟仪器开发平台(LabVIEW) 砷化镓(GaAs) 反射式高能电子衍射仪(rheed)图谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaSb薄膜生长的RHEED研究被引量：3: 3; 作者李林王勇 +2 位作者刘国军李梅王晓华《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期139-142,共4页; 采用分子束外延技术,在GaAs衬底上生长GaSb薄膜时,利用反射式高能电子衍射仪(RHEED)对衬底表面清洁状况、外延层厚度等进行在线监控。通过RHEED讨论低温缓冲层对GaSb薄膜表面结构和生长机制的作用,可以估算衬底温度,并能计算出薄膜的生... 展开更多; 关键词 GaSb薄膜反射式高能电子衍射仪分子束外延低温缓冲层表面结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

RHEED在计算Al_2O_3晶面间距中的应用被引量：2: 4; 作者王兆阳胡礼中《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期73-75,共3页; 反射式高能电子衍射仪(RHEED)是一种表面分析工具,以往都是用来对晶体进行定性观察,以研究晶体的结晶状况,很少用来进行晶体结构的定量计算。在分析RHEED的工作原理的基础上,研究了Al2O3衍射条纹宽度、电子束入射方向和晶面方向之间的关... 展开更多; 关键词反射式高能电子衍射仪晶面间距氧化铝; 在线阅读下载PDF 职称材料

RHEED优化MBE生长中波MCT薄膜工艺被引量：1: 5; 作者曲海成李艳辉 +4 位作者苏栓杨春章谭英高丽华王善力《红外技术》 CSCD 北大核心 2008年第12期688-692,共5页; 在分子束外延(MBE)中波HgCdTe薄膜过程中,利用反射式高能电子衍射(RHEED)对衬底表面脱氧和生长过程中生长参数对材料特性的影响进行研究。通过观察RHEED图样的变化,确定了衬底的脱氧状况,获得了生长中衬底温度等生长参数变化引起材料结... 展开更多; 关键词分子束外延 HGCDTE 反射式高能电子衍射仪脱氧温度; 在线阅读下载PDF 职称材料

外延薄膜生长的实时监测分析研究被引量：2: 6; 作者李金隆张鹰 +3 位作者邓新武刘兴钊陶伯万李言荣《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期265-266,270,共3页; 　利用反射式高能电子衍射(RHEED)在超高真空中对SrTiO3(100)、LaAlO3(100)、Si(100)单晶基片进行分析,讨论了衍射花样与晶体表面结构的对应关系,计算出表面的晶体学参数,同时采用激光分子束外延技术同质外延生长SrTiO3薄膜,根据RHEED... 展开更多; 关键词薄膜生长实时监测 rheed 反射式高能电子衍射外延生长; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名谈谈反射式高能电子衍射的应用: 1; 作者朱兴国; 机构浙江工业大学; 出处《浙江大学学报（理学版）》 CAS CSCD 1995年第S1期143-145,共3页; 文摘本文介绍了应用反射式高能电子衍射(RHEED)对Mn在GaAs(001)面上的分子束外延结果的实时观察分析,不仅给GaAs(001)清洁表面的衍射图样以解释.而且对RHEED反映的体结构信息进行了观察分析,从而初步判定常温下亚稳态γ-Mn的结构.; 关键词高能电子衍射反射式布拉菲点阵晶格常数 rheed GAAS 面心立方观察屏分子束外延点间距; 分类号 O721 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs(001)_β2(2×4)表面RHEED图谱的虚拟设计: 2; 作者崔英善张正平; 机构贵州大学电子科学与信息技术学院; 出处《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 2009年第6期82-84,88,共4页; 基金国家自然科学基金贵州省科技厅自然科学基金(No.Z073085)~~; 文摘为了保证有关国内一流大型仪器设备的实验教学质量,同时还能节省高校的实验耗费,在LabVIEW8.2开发环境下,通过对反射式高能电子衍射仪(RHEED)原理、样品砷化镓GaAs(001)_β2(2×4)表面原子结构及相关固体物理学知识的深入探究,运用图形化编程语言,采用数据流编程方式,设计实现了理论情况下的GaAs(001)_β2(2×4)表面原子结构RHEED图谱。该阶段性成果使得虚拟RHEED实验系统的研究开发有了突破性进展。; 关键词虚拟仪器虚拟仪器开发平台(LabVIEW) 砷化镓(GaAs) 反射式高能电子衍射仪(rheed)图谱; Keywords virtual instrument Laboratory Virtual Instrument Engineering Workbench （LabVIEW） Gallium Arsenide （GaAs） Reflection High Energy Electron Diffraction（rheed） patterns; 分类号 TP391 [自动化与计算机技术—计算机应用技术] TH838.9 [机械工程—精密仪器及机械]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaSb薄膜生长的RHEED研究被引量：3: 3; 作者李林王勇刘国军李梅王晓华; 机构长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期139-142,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(No.60306004) 高功率半导体激光国家重点实验室基金资助项目(No.ZS3603); 文摘采用分子束外延技术,在GaAs衬底上生长GaSb薄膜时,利用反射式高能电子衍射仪(RHEED)对衬底表面清洁状况、外延层厚度等进行在线监控。通过RHEED讨论低温缓冲层对GaSb薄膜表面结构和生长机制的作用,可以估算衬底温度,并能计算出薄膜的生长速率。实验测量GaSb的生长周期为1.96 s,每秒沉积0.51单分子层。低温缓冲层提高了在GaAs衬底上外延GaSb薄膜的生长质量。; 关键词 GaSb薄膜反射式高能电子衍射仪分子束外延低温缓冲层表面结构; Keywords GaSb film rheed molecular beam epitaxy （MBE） LT buffer layer surface structure; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名RHEED在计算Al_2O_3晶面间距中的应用被引量：2: 4; 作者王兆阳胡礼中; 机构沈阳航空工业学院理学院大连理工大学物理与光电工程学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期73-75,共3页; 基金辽宁省教育厅科研基金(20060661) 沈阳航空工业学院博士启动基金资助课题(06yb28); 文摘反射式高能电子衍射仪(RHEED)是一种表面分析工具,以往都是用来对晶体进行定性观察,以研究晶体的结晶状况,很少用来进行晶体结构的定量计算。在分析RHEED的工作原理的基础上,研究了Al2O3衍射条纹宽度、电子束入射方向和晶面方向之间的关系,并尝试利用RHEED来分析和计算Al2O3(0001)面上两个重要方向上的晶面间距,得到了理想的结果。由于RHEED是一种原位监测仪器,所以可对薄膜的生长进行实时原位监测。在测晶面间距等常数时,与对样品要求极高的透射电子显微镜相比,RHEED更方便。; 关键词反射式高能电子衍射仪晶面间距氧化铝; Keywords reflection high-energy electron diffraction interplanar distance Al2O3; 分类号 TN307 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名RHEED优化MBE生长中波MCT薄膜工艺被引量：1: 5; 作者曲海成李艳辉苏栓杨春章谭英高丽华王善力; 机构昆明物理研究所; 出处《红外技术》 CSCD 北大核心 2008年第12期688-692,共5页; 文摘在分子束外延(MBE)中波HgCdTe薄膜过程中,利用反射式高能电子衍射(RHEED)对衬底表面脱氧和生长过程中生长参数对材料特性的影响进行研究。通过观察RHEED图样的变化,确定了衬底的脱氧状况,获得了生长中衬底温度等生长参数变化引起材料结晶的变化规律,为MBE生长HgCdTe薄膜实验的可控生长提供有效帮助;生长结束后,通过SEM、Hall等手段对HgCdTe的表面缺陷、电学参数等性能进行了初步研究,证明实验说成长的材料基本满足器件制备的要求。; 关键词分子束外延 HGCDTE 反射式高能电子衍射仪脱氧温度; Keywords MBE MCT rheed deoxydation temperature; 分类号 TN213 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名外延薄膜生长的实时监测分析研究被引量：2: 6; 作者李金隆张鹰邓新武刘兴钊陶伯万李言荣; 机构电子科技大学微电子与固体电子学院; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期265-266,270,共3页; 文摘　利用反射式高能电子衍射(RHEED)在超高真空中对SrTiO3(100)、LaAlO3(100)、Si(100)单晶基片进行分析,讨论了衍射花样与晶体表面结构的对应关系,计算出表面的晶体学参数,同时采用激光分子束外延技术同质外延生长SrTiO3薄膜,根据RHEED衍射图样及强度振荡曲线实时监控薄膜的生长。; 关键词薄膜生长实时监测 rheed 反射式高能电子衍射外延生长; Keywords thin film growth real time monitoring rheed; 分类号 O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	谈谈反射式高能电子衍射的应用	朱兴国	《浙江大学学报（理学版）》 CAS CSCD	1995	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	GaAs(001)_β2(2×4)表面RHEED图谱的虚拟设计	崔英善张正平	《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心	2009	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	GaSb薄膜生长的RHEED研究	李林王勇刘国军李梅王晓华	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	RHEED在计算Al_2O_3晶面间距中的应用	王兆阳胡礼中	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2009	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	RHEED优化MBE生长中波MCT薄膜工艺	曲海成李艳辉苏栓杨春章谭英高丽华王善力	《红外技术》 CSCD 北大核心	2008	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	外延薄膜生长的实时监测分析研究	李金隆张鹰邓新武刘兴钊陶伯万李言荣	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2004	2	在线阅读下载PDF 职称材料