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基于电荷耦合效应的超级结JBS二极管的仿真分析
1
作者
刘勇
关艳霞
《电源学报》
CSCD
北大核心
2024年第1期163-170,共8页
为提升现代单极型功率二极管的性能,进一步突破“硅极限”,通过加大传统JBS二极管中P+区结深,引入超级结结构以减薄芯片厚度,缓解传统单极型器件通态压降与反向阻断电压之间的矛盾,提高单位面积器件的导通电流密度。使用数值方法分析了...
为提升现代单极型功率二极管的性能,进一步突破“硅极限”,通过加大传统JBS二极管中P+区结深,引入超级结结构以减薄芯片厚度,缓解传统单极型器件通态压降与反向阻断电压之间的矛盾,提高单位面积器件的导通电流密度。使用数值方法分析了超级结JBS二极管中P柱区浓度、N柱区宽度和N柱区浓度对正向导通特性以及反向阻断特性的影响,应用电场耦合效应理论分析了超级结JBS二极管的正向导通和反向阻断机理,设计了一款300 V的超级结JBS二极管。
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关键词
超级结
JBS二极管
正向导通
特性
反向阻断特性
电场耦合效应
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职称材料
题名
基于电荷耦合效应的超级结JBS二极管的仿真分析
1
作者
刘勇
关艳霞
机构
沈阳工业大学信息科学与工程学院
出处
《电源学报》
CSCD
北大核心
2024年第1期163-170,共8页
文摘
为提升现代单极型功率二极管的性能,进一步突破“硅极限”,通过加大传统JBS二极管中P+区结深,引入超级结结构以减薄芯片厚度,缓解传统单极型器件通态压降与反向阻断电压之间的矛盾,提高单位面积器件的导通电流密度。使用数值方法分析了超级结JBS二极管中P柱区浓度、N柱区宽度和N柱区浓度对正向导通特性以及反向阻断特性的影响,应用电场耦合效应理论分析了超级结JBS二极管的正向导通和反向阻断机理,设计了一款300 V的超级结JBS二极管。
关键词
超级结
JBS二极管
正向导通
特性
反向阻断特性
电场耦合效应
Keywords
Super junction
JBS diode
forward conduction characteristic
reverse blocking characteristic
electric field coupling effect
分类号
TN31 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
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1
基于电荷耦合效应的超级结JBS二极管的仿真分析
刘勇
关艳霞
《电源学报》
CSCD
北大核心
2024
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