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高精度反向阻断型限流电路设计
1
作者
唐威
孙梦凡
+3 位作者
刘静
张洋洋
刘畅
单光宝
《西安邮电大学学报》
2025年第1期74-81,共8页
针对汽车安全充电应用需求,设计了一款具有反向阻断功能的高精度过流保护电路,采用0.18μm BCD工艺实现。电路中,功率管采用两个MOS管以“背靠背”方式连接,当输出端电压高于输入端电压时,其寄生体二极管能有效阻断反向电流通路。为提...
针对汽车安全充电应用需求,设计了一款具有反向阻断功能的高精度过流保护电路,采用0.18μm BCD工艺实现。电路中,功率管采用两个MOS管以“背靠背”方式连接,当输出端电压高于输入端电压时,其寄生体二极管能有效阻断反向电流通路。为提高采样精度,增加采样管的沟道长度,有效抑制其沟长调制效应;预放大电路保证了采样管与功率管的源端电位一致,输入级引入横向双极性晶体管,以降低输入噪声并提高运放增益,输出级采用双极性晶体管与MOS管组成的负反馈结构,有效抑制电流温漂,进一步提升限流精度;补偿电路通过在过流瞬间减小采样电流,限制功率管的通流能力,进一步保护内部电路免受过流冲击。测试结果表明,在-40℃条件下,输入电压为5.5 V,外接电阻20 kΩ时,限流精度最低为5.1%。
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关键词
反向阻断
高精度
限流电路
电流采样
限流值可调
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职称材料
SiC肖特基势垒二极管的反向特性
被引量:
2
2
作者
杨霏
闫锐
+8 位作者
陈昊
张有润
彭明明
商庆杰
李亚丽
张雄文
潘宏菽
杨克武
蔡树军
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2010年第1期6-9,共4页
在n型4H-SiC衬底上的n型同质外延层的Si面制备了纵向肖特基势垒二极管(SBD),研究了场板、场限环及其复合结构等不同终端截止结构对于反向阻断电压与反向泄漏电流的影响。场板(FP)结构有利于提高反向阻断电压,减小反向泄漏电流。当场板...
在n型4H-SiC衬底上的n型同质外延层的Si面制备了纵向肖特基势垒二极管(SBD),研究了场板、场限环及其复合结构等不同终端截止结构对于反向阻断电压与反向泄漏电流的影响。场板(FP)结构有利于提高反向阻断电压,减小反向泄漏电流。当场板长度从5μm变化到25μm,反向阻断电压随着场板长度的增加而增加。SiO2厚度对于反向阻断电压有重要的影响,当厚度为0.5μm,即大约为外延层厚度的1/20时,可以得到较大的反向阻断电压。当场限环的离子注入区域宽度从10μm变化到70μm,反向阻断电压也随之增加。FLR和FP复合结构对于改善反向阻断电压以及反向泄漏电流都有作用,同时反向阻断电压对于场板长度不再敏感。采用复合结构,在10μA反向泄漏电流下最高阻断电压达到1 300V。讨论了离子注入剂量对于反向阻断电压的影响,注入离子剂量和反向电压的关系表明SBD结构不同于传统PIN结构的要求。当采用大约为150%理想剂量的注入剂量时才可达到最高的反向阻断电压而不是其他报道的75%理想剂量,此时的注入剂量远高于PIN结构器件所需的注入剂量。
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关键词
碳化硅
肖特基势垒二极管
反向阻断
电压
反向
泄漏电流
场限环
场板
离子注入
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职称材料
逆阻型绝缘栅双极晶体管研究进展
被引量:
2
3
作者
张广银
沈千行
+3 位作者
张须坤
田晓丽
卢烁今
朱阳军
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第10期721-729,共9页
逆阻型绝缘栅双极型晶体管(RB-IGBT)是一种新型的IGBT器件,它是将IGBT元胞结构与耐高压的二极管元胞结构集成到同一个芯片上。RB-IGBT相比于传统的IGBT串联一个二极管的模式,具有总通态压降低、成本低、总功耗低和电路结构简单等诸多优...
逆阻型绝缘栅双极型晶体管(RB-IGBT)是一种新型的IGBT器件,它是将IGBT元胞结构与耐高压的二极管元胞结构集成到同一个芯片上。RB-IGBT相比于传统的IGBT串联一个二极管的模式,具有总通态压降低、成本低、总功耗低和电路结构简单等诸多优点。自从被提出以来,RB-IGBT在结构设计和加工工艺方面不断得到改进,其性能不断提升,使得RB-IGBT拥有更为广阔的应用前景。综述了RB-IGBT的发展历程和双向耐压原理,重点阐述了不断改进的RB-IGBT结构和国际上采用的加工工艺。针对热预算、工艺难度和工艺成本等,分析了不同工艺技术的优缺点,重点探讨了工艺的实现方式。对RB-IGBT的发展趋势进行了分析和预测,认为混合隔离技术和漂移区的改进将是下一代RB-IGBT的发展方向。
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关键词
功率器件
逆阻型绝缘栅双极型晶体管(RB-IGBT)
反向阻断
隔离技术
终端
混合隔离
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职称材料
高原水电站励磁系统整流回路过电压解决方法
被引量:
2
4
作者
陈秋林
马大海
+2 位作者
刘德翼
胡涛
王勇
《水电站机电技术》
2021年第1期70-74,共5页
介绍了大型发电机励磁系统可控硅整流回路产生换相尖峰过电压的原因,以及吸收过电压的方法。对如何适应高海拔地区运行,降低过电压倍数,保证设备绝缘不受损坏,推导了理论计算公式和设备选型计算,在投产的设备上做了实践检验,证明设计方...
介绍了大型发电机励磁系统可控硅整流回路产生换相尖峰过电压的原因,以及吸收过电压的方法。对如何适应高海拔地区运行,降低过电压倍数,保证设备绝缘不受损坏,推导了理论计算公式和设备选型计算,在投产的设备上做了实践检验,证明设计方法合理。
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关键词
高海拔地区
大型发电机励磁系统
可控硅整流换相尖峰电压
反向阻断
式RC吸收回路
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职称材料
TI推出bqTINY Ⅱ电池充电器芯片
5
《电子产品世界》
2003年第04A期66-67,共2页
关键词
TI公司
bqTINYⅡ
电池充电器
反向阻断
保护电路
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职称材料
高炉除尘系统控制优化与事故处理
6
作者
张保国
康永飞
《信息通信》
2014年第1期281-282,共2页
安钢炼铁厂4000级高炉在除尘设备运行之始,针对高炉上不同工种粉尘的特性,在生产设备、安全控制和环保等方面作了大量的准备工作,确保除尘系统的正常运行,促进了高炉区域生态环境的进一步美化提高。采用了先进的二极管矩阵脉冲控制系统...
安钢炼铁厂4000级高炉在除尘设备运行之始,针对高炉上不同工种粉尘的特性,在生产设备、安全控制和环保等方面作了大量的准备工作,确保除尘系统的正常运行,促进了高炉区域生态环境的进一步美化提高。采用了先进的二极管矩阵脉冲控制系统,对除尘系统改造起到了关键作用。
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关键词
矩阵
脉冲
二极管
电磁阀
除尘改造
反向阻断
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职称材料
题名
高精度反向阻断型限流电路设计
1
作者
唐威
孙梦凡
刘静
张洋洋
刘畅
单光宝
机构
西安邮电大学电子工程学院
西安电子科技大学微电子学院
出处
《西安邮电大学学报》
2025年第1期74-81,共8页
基金
国家自然科学基金项目(62134005)。
文摘
针对汽车安全充电应用需求,设计了一款具有反向阻断功能的高精度过流保护电路,采用0.18μm BCD工艺实现。电路中,功率管采用两个MOS管以“背靠背”方式连接,当输出端电压高于输入端电压时,其寄生体二极管能有效阻断反向电流通路。为提高采样精度,增加采样管的沟道长度,有效抑制其沟长调制效应;预放大电路保证了采样管与功率管的源端电位一致,输入级引入横向双极性晶体管,以降低输入噪声并提高运放增益,输出级采用双极性晶体管与MOS管组成的负反馈结构,有效抑制电流温漂,进一步提升限流精度;补偿电路通过在过流瞬间减小采样电流,限制功率管的通流能力,进一步保护内部电路免受过流冲击。测试结果表明,在-40℃条件下,输入电压为5.5 V,外接电阻20 kΩ时,限流精度最低为5.1%。
关键词
反向阻断
高精度
限流电路
电流采样
限流值可调
Keywords
reverse blocking
high precision
current limiting circuit
current sampling
adjustable current-limiting value
分类号
TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
SiC肖特基势垒二极管的反向特性
被引量:
2
2
作者
杨霏
闫锐
陈昊
张有润
彭明明
商庆杰
李亚丽
张雄文
潘宏菽
杨克武
蔡树军
机构
专用集成电路国家级重点实验室
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2010年第1期6-9,共4页
文摘
在n型4H-SiC衬底上的n型同质外延层的Si面制备了纵向肖特基势垒二极管(SBD),研究了场板、场限环及其复合结构等不同终端截止结构对于反向阻断电压与反向泄漏电流的影响。场板(FP)结构有利于提高反向阻断电压,减小反向泄漏电流。当场板长度从5μm变化到25μm,反向阻断电压随着场板长度的增加而增加。SiO2厚度对于反向阻断电压有重要的影响,当厚度为0.5μm,即大约为外延层厚度的1/20时,可以得到较大的反向阻断电压。当场限环的离子注入区域宽度从10μm变化到70μm,反向阻断电压也随之增加。FLR和FP复合结构对于改善反向阻断电压以及反向泄漏电流都有作用,同时反向阻断电压对于场板长度不再敏感。采用复合结构,在10μA反向泄漏电流下最高阻断电压达到1 300V。讨论了离子注入剂量对于反向阻断电压的影响,注入离子剂量和反向电压的关系表明SBD结构不同于传统PIN结构的要求。当采用大约为150%理想剂量的注入剂量时才可达到最高的反向阻断电压而不是其他报道的75%理想剂量,此时的注入剂量远高于PIN结构器件所需的注入剂量。
关键词
碳化硅
肖特基势垒二极管
反向阻断
电压
反向
泄漏电流
场限环
场板
离子注入
Keywords
SiC
Schottky barrier diodes (SBD)
reverse blocking voltage
reverse leakage current
field limiting ring (FLR)
field plate (FP)
ion implantation
分类号
TN311.7 [电子电信—物理电子学]
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
逆阻型绝缘栅双极晶体管研究进展
被引量:
2
3
作者
张广银
沈千行
张须坤
田晓丽
卢烁今
朱阳军
机构
中国科学院大学
中国科学院微电子研究所
江苏物联网研究发展中心
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第10期721-729,共9页
基金
国家重大科技专项资助项目(2013ZX02305-005-002)
国家自然科学基金资助项目(51490681)
省院合作高技术产业化专项资金项目(2016SYHZ0026)
文摘
逆阻型绝缘栅双极型晶体管(RB-IGBT)是一种新型的IGBT器件,它是将IGBT元胞结构与耐高压的二极管元胞结构集成到同一个芯片上。RB-IGBT相比于传统的IGBT串联一个二极管的模式,具有总通态压降低、成本低、总功耗低和电路结构简单等诸多优点。自从被提出以来,RB-IGBT在结构设计和加工工艺方面不断得到改进,其性能不断提升,使得RB-IGBT拥有更为广阔的应用前景。综述了RB-IGBT的发展历程和双向耐压原理,重点阐述了不断改进的RB-IGBT结构和国际上采用的加工工艺。针对热预算、工艺难度和工艺成本等,分析了不同工艺技术的优缺点,重点探讨了工艺的实现方式。对RB-IGBT的发展趋势进行了分析和预测,认为混合隔离技术和漂移区的改进将是下一代RB-IGBT的发展方向。
关键词
功率器件
逆阻型绝缘栅双极型晶体管(RB-IGBT)
反向阻断
隔离技术
终端
混合隔离
Keywords
power device
reverse blocking-insulated gate bipolar transistor(RB-IGBT)
reverse blocking
isolation technique
termination
hybrid isolation
分类号
TN386.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
高原水电站励磁系统整流回路过电压解决方法
被引量:
2
4
作者
陈秋林
马大海
刘德翼
胡涛
王勇
机构
华能西藏雅鲁藏布江水电开发投资有限公司
出处
《水电站机电技术》
2021年第1期70-74,共5页
文摘
介绍了大型发电机励磁系统可控硅整流回路产生换相尖峰过电压的原因,以及吸收过电压的方法。对如何适应高海拔地区运行,降低过电压倍数,保证设备绝缘不受损坏,推导了理论计算公式和设备选型计算,在投产的设备上做了实践检验,证明设计方法合理。
关键词
高海拔地区
大型发电机励磁系统
可控硅整流换相尖峰电压
反向阻断
式RC吸收回路
分类号
TM312 [电气工程—电机]
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职称材料
题名
TI推出bqTINY Ⅱ电池充电器芯片
5
出处
《电子产品世界》
2003年第04A期66-67,共2页
关键词
TI公司
bqTINYⅡ
电池充电器
反向阻断
保护电路
分类号
TM910.6 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
高炉除尘系统控制优化与事故处理
6
作者
张保国
康永飞
机构
安钢炼铁厂设备科
出处
《信息通信》
2014年第1期281-282,共2页
文摘
安钢炼铁厂4000级高炉在除尘设备运行之始,针对高炉上不同工种粉尘的特性,在生产设备、安全控制和环保等方面作了大量的准备工作,确保除尘系统的正常运行,促进了高炉区域生态环境的进一步美化提高。采用了先进的二极管矩阵脉冲控制系统,对除尘系统改造起到了关键作用。
关键词
矩阵
脉冲
二极管
电磁阀
除尘改造
反向阻断
分类号
TF321.9 [冶金工程—冶金机械及自动化]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高精度反向阻断型限流电路设计
唐威
孙梦凡
刘静
张洋洋
刘畅
单光宝
《西安邮电大学学报》
2025
0
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职称材料
2
SiC肖特基势垒二极管的反向特性
杨霏
闫锐
陈昊
张有润
彭明明
商庆杰
李亚丽
张雄文
潘宏菽
杨克武
蔡树军
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2010
2
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职称材料
3
逆阻型绝缘栅双极晶体管研究进展
张广银
沈千行
张须坤
田晓丽
卢烁今
朱阳军
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016
2
在线阅读
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职称材料
4
高原水电站励磁系统整流回路过电压解决方法
陈秋林
马大海
刘德翼
胡涛
王勇
《水电站机电技术》
2021
2
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职称材料
5
TI推出bqTINY Ⅱ电池充电器芯片
《电子产品世界》
2003
0
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职称材料
6
高炉除尘系统控制优化与事故处理
张保国
康永飞
《信息通信》
2014
0
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职称材料
已选择
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