由于抗反向过压或过流冲击能力不足而导致的功率肖特基势垒二极管（SBD）的潜在失效,会影响电路的可靠性,也是器件制造中最难解决的问题。根据SBD特点和应用要求,给出了静电放电（ESD）、反向浪涌电流冲击、单脉冲雪崩能量三种抗反向过...由于抗反向过压或过流冲击能力不足而导致的功率肖特基势垒二极管（SBD）的潜在失效,会影响电路的可靠性,也是器件制造中最难解决的问题。根据SBD特点和应用要求,给出了静电放电（ESD）、反向浪涌电流冲击、单脉冲雪崩能量三种抗反向过电应力（EOS）能力的量化检测方法。针对三种检测方法的特点,明确了失效机理,并从工艺参数、器件结构等方面给出了解决办法。以2 A 100 V SBD芯片为例,通过器件仿真、流片验证,给出了通过p^＋保护环结深、p^＋结浓度、外延层厚度、保护环面积等工艺和结构参数改善ESD、反向浪涌电流冲击、单脉冲雪崩能量的方法。提出了一种p^＋-p^-保护环的结构,可提高功率SBD的抗反向瞬态冲击特性。展开更多
与传统硅基功率二极管相比,碳化硅肖特基势垒二极管(SiC SBD)可提高开关频率并大幅减小开关损耗,同时有更高的耐压范围。设计并制作了具有场限环结终端和Ti肖特基接触的1.2 kV/30 A SiC SBD器件,研究了该SiC SBD在100~300℃时的反向恢...与传统硅基功率二极管相比,碳化硅肖特基势垒二极管(SiC SBD)可提高开关频率并大幅减小开关损耗,同时有更高的耐压范围。设计并制作了具有场限环结终端和Ti肖特基接触的1.2 kV/30 A SiC SBD器件,研究了该SiC SBD在100~300℃时的反向恢复特性。实验结果表明,温度每上升100℃,SiC SBD反向电压峰值增幅为5%左右,而反向恢复电流与反向恢复时间受温度影响不大;温度每升高50℃,反向恢复损耗功率峰值降低5%。实验结果表明该SiC SBD在高温下能够稳定工作,且具有良好的反向恢复特性,适用于卫星、航空和航天探测、石油以及地热钻井探测等需要大功率、耐高温和高速器件的领域。展开更多
文摘由于抗反向过压或过流冲击能力不足而导致的功率肖特基势垒二极管（SBD）的潜在失效,会影响电路的可靠性,也是器件制造中最难解决的问题。根据SBD特点和应用要求,给出了静电放电（ESD）、反向浪涌电流冲击、单脉冲雪崩能量三种抗反向过电应力（EOS）能力的量化检测方法。针对三种检测方法的特点,明确了失效机理,并从工艺参数、器件结构等方面给出了解决办法。以2 A 100 V SBD芯片为例,通过器件仿真、流片验证,给出了通过p^＋保护环结深、p^＋结浓度、外延层厚度、保护环面积等工艺和结构参数改善ESD、反向浪涌电流冲击、单脉冲雪崩能量的方法。提出了一种p^＋-p^-保护环的结构,可提高功率SBD的抗反向瞬态冲击特性。
文摘与传统硅基功率二极管相比,碳化硅肖特基势垒二极管(SiC SBD)可提高开关频率并大幅减小开关损耗,同时有更高的耐压范围。设计并制作了具有场限环结终端和Ti肖特基接触的1.2 kV/30 A SiC SBD器件,研究了该SiC SBD在100~300℃时的反向恢复特性。实验结果表明,温度每上升100℃,SiC SBD反向电压峰值增幅为5%左右,而反向恢复电流与反向恢复时间受温度影响不大;温度每升高50℃,反向恢复损耗功率峰值降低5%。实验结果表明该SiC SBD在高温下能够稳定工作,且具有良好的反向恢复特性,适用于卫星、航空和航天探测、石油以及地热钻井探测等需要大功率、耐高温和高速器件的领域。
