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基于反向并联二极管对的D波段次谐波混频器 被引量：4
1
作者 钟伟 张勇 +2 位作者 刘伟 王云飞 赵伟 《微波学报》 CSCD 北大核心 2014年第1期55-58,共4页
设计并制作了一个D波段次谐波混频器。该混频器使用VDI公司反向并联肖特基二极管对,安装在50μm厚的石英基片悬置微带上。通过HFSS和ADS的联合设计仿真,混频器在射频频率141～158GHz频段内变频损耗低于10dB,在149 GHz处获得最佳变频损耗... 设计并制作了一个D波段次谐波混频器。该混频器使用VDI公司反向并联肖特基二极管对,安装在50μm厚的石英基片悬置微带上。通过HFSS和ADS的联合设计仿真,混频器在射频频率141～158GHz频段内变频损耗低于10dB,在149 GHz处获得最佳变频损耗7.8dB。最后加工了实物并进行了测试,结果显示,在138～155GHz范围内,变频损耗基本小于20dB,带内最低损耗在10dB左右。该混频器具有结构简单,容易制造,变频损耗低等优点。 展开更多
关键词 D波段 次谐波混频器 反向并联肖特基二极管
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基于平面肖特基二极管的75~110 GHz宽带三倍频器芯片 被引量：1
2
作者 陈艳 孟范忠 +2 位作者 薛昊东 张傲 高建军 《红外与毫米波学报》 CSCD 北大核心 2024年第6期768-774,共7页
基于GaAs平面肖特基二极管工艺,采用反向并联二极管对的平衡结构,实现了W波段宽带三倍频器芯片。采用有限元法和等效电路法联合的方式,建立10~280 GHz频率范围的平面肖特基二极管的精确等效电路模型。采用非线性谐波平衡联合仿真方法,... 基于GaAs平面肖特基二极管工艺,采用反向并联二极管对的平衡结构,实现了W波段宽带三倍频器芯片。采用有限元法和等效电路法联合的方式,建立10~280 GHz频率范围的平面肖特基二极管的精确等效电路模型。采用非线性谐波平衡联合仿真方法,实现了W波段倍频器的最优化设计。在片测试结果表明,在17 dBm的驱动功率下,倍频损耗小于15 dB,最大倍频效率6.7%,芯片尺寸0.80 mm×0.65 mm×0.05 mm。 展开更多
关键词 平面肖特基二极管 反向并联二极管对 倍频器设计
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220 GHz分谐波混频器研究 被引量：9
3
作者 张波 陈哲 樊勇 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期397-400,共4页
频率在0.1～10 THz范围内的太赫兹电磁波,因其所具有的特殊性质近年来受到了广泛的关注。该文介绍了一种太赫兹频段内220 GHz基于肖特基势垒二极管的分谐波混频器设计。利用CAD技术对反向并联二极管对的阻抗频率特性进行分析,并在该基... 频率在0.1～10 THz范围内的太赫兹电磁波,因其所具有的特殊性质近年来受到了广泛的关注。该文介绍了一种太赫兹频段内220 GHz基于肖特基势垒二极管的分谐波混频器设计。利用CAD技术对反向并联二极管对的阻抗频率特性进行分析,并在该基础上通过HFSS和ADS软件的联合仿真,对混频器性能进行优化。最后,对该混频器进行加工和测试,结果表明,在210～230 GHz频带范围内,变频损耗小于10 dB。 展开更多
关键词 反向并联二极管对 固态电路 分谐波混频器 太赫兹
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基于石英基片的二毫米波段二次谐波混频器设计和研制 被引量：8
4
作者 安大伟 于伟华 吕昕 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期33-37,共5页
介绍了一种基于石英基片的2mm波段二次谐波混频器.阐述了谐波混频器的基本原理,建立了混频二极管对结构的高频模型,并用全波分析软件对整个电路进行了仿真优化.实测得到射频信号在116～120GHz范围内,当本振频率为59GHz、功率为7～14dBm... 介绍了一种基于石英基片的2mm波段二次谐波混频器.阐述了谐波混频器的基本原理,建立了混频二极管对结构的高频模型,并用全波分析软件对整个电路进行了仿真优化.实测得到射频信号在116～120GHz范围内,当本振频率为59GHz、功率为7～14dBm时,最低变频损耗为17dB,最高变频损耗为20dB.混频器的P1dB为1dBm,各端口隔离度均优于20dB.研制的集成2mm波段二次谐波混频器实测结果与设计结果吻合较好. 展开更多
关键词 毫米波 谐波混频器 反向并联二极管对 TRL方法
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340GHz四次谐波混频器的研制 被引量：3
5
作者 李凯 《微波学报》 CSCD 北大核心 2015年第1期88-91,共4页
太赫兹波是电磁波谱中最后一个未被全面研究开发的频率窗口,它的开发和利用具有重大的科学价值。介绍了一种太赫兹频段内340GHz基于肖特基势垒二极管的四次谐波混频器设计。应用高频场仿真软件(HFSS)以及谐波平衡仿真软件(ADS),对反向... 太赫兹波是电磁波谱中最后一个未被全面研究开发的频率窗口,它的开发和利用具有重大的科学价值。介绍了一种太赫兹频段内340GHz基于肖特基势垒二极管的四次谐波混频器设计。应用高频场仿真软件(HFSS)以及谐波平衡仿真软件(ADS),对反向并联二极管对进行3D建模及阻抗频率特性分析,并在此基础上对混频器进行优化。最后,对该混频器进行加工和测试,结果表明,在327~343GHz频带范围内,变频损耗小于15dB,最优值为12.7dB。 展开更多
关键词 太赫兹 四次谐波混频 变频损耗 反向并联二极管对
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一种使用一维电磁带隙结构的高性能Ka频段四次谐波混频器 被引量：4
6
作者 周密 徐军 +1 位作者 罗慎独 薛良金 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期147-149,共3页
介绍了一种全集成微带四次谐波混频器，该混频器采用了一种新型电磁带隙结构，可获得很低的变频损耗指标．阐述了一般的谐波混频理论，并用谐波平衡软件对整个电路进行优化仿真．实测得到射频在34～36GHz的频带内．固定中频为100MHz，... 介绍了一种全集成微带四次谐波混频器，该混频器采用了一种新型电磁带隙结构，可获得很低的变频损耗指标．阐述了一般的谐波混频理论，并用谐波平衡软件对整个电路进行优化仿真．实测得到射频在34～36GHz的频带内．固定中频为100MHz，该混频器最小变频损耗7．67dB，最大变频损耗〈10dB。 展开更多
关键词 谐波混频 电磁带隙结构 反向并联二极管对
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220GHz次谐波混频器设计 被引量：3
7
作者 韩鹏 张勇 王云飞 《微波学报》 CSCD 北大核心 2014年第S1期536-539,共4页
本文介绍了一种基于平面肖特基势垒二极管的220GHz次谐波混频器的设计。该混频器采用Teratech公司的反向并联二极管对,安装在0.05mm厚的石英基片悬置微带上。采用HFSS和ADS联合仿真,使得混频器在射频频率为215GHz^225GHz范围内仿真所得... 本文介绍了一种基于平面肖特基势垒二极管的220GHz次谐波混频器的设计。该混频器采用Teratech公司的反向并联二极管对,安装在0.05mm厚的石英基片悬置微带上。采用HFSS和ADS联合仿真,使得混频器在射频频率为215GHz^225GHz范围内仿真所得变频损耗低于8d B,并在219GHz时取得最佳变频损耗6.75d B。该混频器具有结构简单,易于加工,变频损耗低的优点。 展开更多
关键词 反向并联二极管对 次谐波混频器 太赫兹
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8mm波段四次谐波混频器的设计与仿真 被引量：1
8
作者 王宇星 雷志勇 《电子测量技术》 2018年第4期55-60,共6页
毫米波探测技术解决了红外探测系统易受强光源及热源干扰的问题,并且由于大气窗口的存在,毫米波的探测能力不会因雾、霾、湿度等自然天气条件而受限。作为毫米波探测系统中必不可少的器件,混频器能将高频的毫米波信号与本振信号混频,使... 毫米波探测技术解决了红外探测系统易受强光源及热源干扰的问题,并且由于大气窗口的存在,毫米波的探测能力不会因雾、霾、湿度等自然天气条件而受限。作为毫米波探测系统中必不可少的器件,混频器能将高频的毫米波信号与本振信号混频,使之下变频为更易处理的中频信号。但是制造高频率低噪声的本振信号难度较大,为了解决这一问题,介绍了谐波混频器的原理与一般设计方法,它能够有效的降低本振信号的工作频率,并使用ADS射频仿真软件设计了8mm波段四次谐波混频器,该谐波混频器使用反向并联二极管对和微带电路结构,仿真结果表明当射频频率为34.5GHz,本振频率为8.6GHz,中频频率为100 MHz时,变频损耗为11.5dB。 展开更多
关键词 谐波混频 反向并联二极管对 ADS
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Ka频段微带四次谐波混频器 被引量：6
9
作者 赵霞 徐军 薛良金 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期14-17,共4页
介绍了一种Ka频段的微带四次谐波混频器的混频原理和设计方法.该混频器主要由波导-微带过渡,输入、输出滤波器以及匹配网络和反向并联混频二极管对组成.根据计算机辅助设计软件的仿真结果,在介电常数为2.22,厚度为0.254 mm的RF-Duroid 5... 介绍了一种Ka频段的微带四次谐波混频器的混频原理和设计方法.该混频器主要由波导-微带过渡,输入、输出滤波器以及匹配网络和反向并联混频二极管对组成.根据计算机辅助设计软件的仿真结果,在介电常数为2.22,厚度为0.254 mm的RF-Duroid 5880介质基片上制作了电路.当射频频率为34.2～35.2 GHz,本振频率为8.525～8.775GHz,中频频率为100MHz时,测得的变频损耗小于10.5 dB,其中最佳值为8.5 dB. 展开更多
关键词 KA频段 微带集成电路 谐波混频器 变频损耗 毫米波测量 反向并联混频二极管对
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0.825 THz砷化镓单片集成二次谐波混频器(英文) 被引量：2
10
作者 刘锶钰 张德海 +4 位作者 孟进 纪广玉 朱皓天 侯晓翔 张青峰 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期749-753,共5页
基于国内的GaAs单片集成电路产线,研制了一款中心频率在0.825 THz的二次谐波单片混频器。针对肖特基二极管在太赫兹频段的高频效应详细分析了反向并联肖特基二极管的寄生参数以完善单片电路的设计。单片电路集成度高和装配误差小的特性... 基于国内的GaAs单片集成电路产线,研制了一款中心频率在0.825 THz的二次谐波单片混频器。针对肖特基二极管在太赫兹频段的高频效应详细分析了反向并联肖特基二极管的寄生参数以完善单片电路的设计。单片电路集成度高和装配误差小的特性更适用于太赫兹频段器件的设计。梁氏引线形式电路设计既可以降低介质基板带来的损耗,减小安装的位置偏移。实测结果表明,0.825 THz单片混频器最佳单边带的插损值为28 dB,0.81到0.84 THz频率范围内插损小于33 dB。 展开更多
关键词 反向并联肖特基二极管 插入损耗 集成单片电路 太赫兹混频器
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