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题名高压碳化硅IGBT器件的电学特性
被引量：1
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作者
肖凯
刘航志
王振
邹延生
王俊
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机构
中国南方电网有限责任公司超高压输电公司检修试验中心
湖南大学电气与信息工程学院
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第2期102-109,139,共9页
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基金
南方电网直流输电装备与海底电缆安全运行联合实验室开放基金资助项目。
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文摘
借助计算机辅助设计技术(TCAD)仿真并结合基础物理建模,对SiC n和p沟道IGBT器件的电学特性进行比较研究。研究表明,在小电流密度下,n-IGBT电导调制效应较强,并具有较低的通态压降。而在较大的正向偏置电压下,p-IGBT背部的n^(+)注入层的正向载流子注入增强,从而使得p-IGBT导通电流较大。相比较npn晶体管而言,由于n-IGBT内部pnp晶体管的电流增益较低,关断过程中载流子的抽取电流较高,耗尽层扩展速度较快,使得其关断时间较短,因而n-IGBT在动态关断能耗和正向导通压降之间具有较好的折中关系。但n-IGBT关断过程中电压变化率(dv/dt)、电流变化率(di/dt)值较高,特别是发生电压穿通现象过后。因此,应对n-IGBT电磁干扰(EMI)抑制的器件设计技术加以重视。
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关键词
SiC
IGBT
短路安全工作区(SCSOA)
反向偏置安全工作区(rbsoa)
能量损耗
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Keywords
SiC
IGBT
short-circuit safe operation area(SCSOA)
reverse biased safe operation area(rbsoa)
energy loss
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分类号
TN322.8
[电子电信—物理电子学]
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