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基于反向并联二极管对的D波段次谐波混频器 被引量:4
1
作者 钟伟 张勇 +2 位作者 刘伟 王云飞 赵伟 《微波学报》 CSCD 北大核心 2014年第1期55-58,共4页
设计并制作了一个D波段次谐波混频器。该混频器使用VDI公司反向并联肖特基二极管对,安装在50μm厚的石英基片悬置微带上。通过HFSS和ADS的联合设计仿真,混频器在射频频率141~158GHz频段内变频损耗低于10dB,在149 GHz处获得最佳变频损耗... 设计并制作了一个D波段次谐波混频器。该混频器使用VDI公司反向并联肖特基二极管对,安装在50μm厚的石英基片悬置微带上。通过HFSS和ADS的联合设计仿真,混频器在射频频率141~158GHz频段内变频损耗低于10dB,在149 GHz处获得最佳变频损耗7.8dB。最后加工了实物并进行了测试,结果显示,在138~155GHz范围内,变频损耗基本小于20dB,带内最低损耗在10dB左右。该混频器具有结构简单,容易制造,变频损耗低等优点。 展开更多
关键词 D波段 次谐波混频器 反向并联肖特基二极管
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零电压零电流转换软开关技术中二极管反向恢复的影响 被引量:7
2
作者 姚修远 金新民 +2 位作者 周飞 吴学智 李友敏 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2015年第4期944-952,共9页
采用谐振极型零电压零电流软开关技术(zero-voltage/zero-current transition,ZVZCT)旨在消除功率器件的开关损耗,但实际上在软开关谐振换流过程中会引入多次额外的二极管反向恢复过程,产生额外的损耗。由于软开关换流过程中的特殊性,... 采用谐振极型零电压零电流软开关技术(zero-voltage/zero-current transition,ZVZCT)旨在消除功率器件的开关损耗,但实际上在软开关谐振换流过程中会引入多次额外的二极管反向恢复过程,产生额外的损耗。由于软开关换流过程中的特殊性,采用一般的方法难以对反向恢复过程中的损耗进行评估和计算,给ZVZCT软开关设计带来了困难。该文在考虑二极管反向恢复过程的基础上,详细介绍了ZVZCT软开关技术的换流过程。通过引入二极管载流子寿命以及电荷控制方程,提出了一种适用于软开关换流条件下的二极管反向恢复损耗模型。最后,通过软开关组件的双脉冲实验验证了该二极管反向恢复损耗模型的正确性。研究表明,采用ZVZCT技术的软开关设备的开关损耗与开关器件的二极管反向恢复特性直接相关。 展开更多
关键词 零电压零电流软开关技术 软开关 二极管反向恢复 损耗模型 开关损耗
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基于平面肖特基二极管的75~110 GHz宽带三倍频器芯片 被引量:1
3
作者 陈艳 孟范忠 +2 位作者 薛昊东 张傲 高建军 《红外与毫米波学报》 CSCD 北大核心 2024年第6期768-774,共7页
基于GaAs平面肖特基二极管工艺,采用反向并联二极管对的平衡结构,实现了W波段宽带三倍频器芯片。采用有限元法和等效电路法联合的方式,建立10~280 GHz频率范围的平面肖特基二极管的精确等效电路模型。采用非线性谐波平衡联合仿真方法,... 基于GaAs平面肖特基二极管工艺,采用反向并联二极管对的平衡结构,实现了W波段宽带三倍频器芯片。采用有限元法和等效电路法联合的方式,建立10~280 GHz频率范围的平面肖特基二极管的精确等效电路模型。采用非线性谐波平衡联合仿真方法,实现了W波段倍频器的最优化设计。在片测试结果表明,在17 dBm的驱动功率下,倍频损耗小于15 dB,最大倍频效率6.7%,芯片尺寸0.80 mm×0.65 mm×0.05 mm。 展开更多
关键词 平面肖特基二极管 反向并联二极管对 倍频器设计
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三电平移相全桥变换器整流二极管RC吸收参数多目标优化设计 被引量:10
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作者 王海超 范学鑫 +3 位作者 杨国润 王瑞田 张新生 罗毅飞 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第1期159-168,共10页
传统的整流二极管RC吸收参数设计基于谐振等效电路,不能精确刻画二极管反向恢复过程,RC参数难以优化。为此,基于大功率PIN二极管集总电荷模型,采用多目标优化设计RC吸收电路参数。首先,根据三电平移相全桥变换器拓扑结构及调制方式,分析... 传统的整流二极管RC吸收参数设计基于谐振等效电路,不能精确刻画二极管反向恢复过程,RC参数难以优化。为此,基于大功率PIN二极管集总电荷模型,采用多目标优化设计RC吸收电路参数。首先,根据三电平移相全桥变换器拓扑结构及调制方式,分析了RC参数对整流二极管反向电压尖峰的影响规律。其次,基于大功率PIN二极管的集总电荷模型对理论分析进行了仿真验证。然后,采用多目标优化设计RC吸收电路。最后,实验结果验证了最优RC参数抑制整流二极管反向电压尖峰的有效性。 展开更多
关键词 三电平移相全桥变换器 二极管反向恢复 集总电荷物理模型 整流二极管电压尖峰 RC吸收电路
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高本振中频隔离超宽带混频芯片设计
5
作者 韩星宇 年夫顺 +1 位作者 代秀 张婷 《电子测量与仪器学报》 CSCD 北大核心 2024年第3期86-93,共8页
超宽带谐波混频器一般采用本振中频双工器,从本振通路引出中频信号。但是当本振频率和中频频率相近或者重叠时,难以实现本振到中频高隔离。本文采用了不同于常用谐波混频器结构,用射频中频双工器替代了本振中频双工器,从射频通路引出中... 超宽带谐波混频器一般采用本振中频双工器,从本振通路引出中频信号。但是当本振频率和中频频率相近或者重叠时,难以实现本振到中频高隔离。本文采用了不同于常用谐波混频器结构,用射频中频双工器替代了本振中频双工器,从射频通路引出中频信号,设计了30~110 GHz 4次谐波混频芯片,并进行了封装实验测试。经测试,4次谐波混频器射频频率30~110 GHz,中频频率1 GHz的变频损耗小于25 dB,DC-15 GHz本振和中频端口间的隔离度可达30 dB,固定本振时中频频率DC-7 GHz变频损耗小于28 dB。因此,本设计可有效隔离频率相近的本振和中频信号,为拓宽中频带宽提供可能。 展开更多
关键词 混频器 谐波混频 反向二极管对 超宽带
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220 GHz分谐波混频器研究 被引量:9
6
作者 张波 陈哲 樊勇 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期397-400,共4页
频率在0.1~10 THz范围内的太赫兹电磁波,因其所具有的特殊性质近年来受到了广泛的关注。该文介绍了一种太赫兹频段内220 GHz基于肖特基势垒二极管的分谐波混频器设计。利用CAD技术对反向并联二极管对的阻抗频率特性进行分析,并在该基... 频率在0.1~10 THz范围内的太赫兹电磁波,因其所具有的特殊性质近年来受到了广泛的关注。该文介绍了一种太赫兹频段内220 GHz基于肖特基势垒二极管的分谐波混频器设计。利用CAD技术对反向并联二极管对的阻抗频率特性进行分析,并在该基础上通过HFSS和ADS软件的联合仿真,对混频器性能进行优化。最后,对该混频器进行加工和测试,结果表明,在210~230 GHz频带范围内,变频损耗小于10 dB。 展开更多
关键词 反向并联二极管对 固态电路 分谐波混频器 太赫兹
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基于石英基片的二毫米波段二次谐波混频器设计和研制 被引量:8
7
作者 安大伟 于伟华 吕昕 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期33-37,共5页
介绍了一种基于石英基片的2mm波段二次谐波混频器.阐述了谐波混频器的基本原理,建立了混频二极管对结构的高频模型,并用全波分析软件对整个电路进行了仿真优化.实测得到射频信号在116~120GHz范围内,当本振频率为59GHz、功率为7~14dBm... 介绍了一种基于石英基片的2mm波段二次谐波混频器.阐述了谐波混频器的基本原理,建立了混频二极管对结构的高频模型,并用全波分析软件对整个电路进行了仿真优化.实测得到射频信号在116~120GHz范围内,当本振频率为59GHz、功率为7~14dBm时,最低变频损耗为17dB,最高变频损耗为20dB.混频器的P1dB为1dBm,各端口隔离度均优于20dB.研制的集成2mm波段二次谐波混频器实测结果与设计结果吻合较好. 展开更多
关键词 毫米波 谐波混频器 反向并联二极管对 TRL方法
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三相电压型ZCT PWM变换器的效率分析与实验研究 被引量:6
8
作者 周飞 金新民 +2 位作者 姚修远 童亦斌 吴学智 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2014年第18期2863-2872,共10页
对一种应用于三相电压型脉宽调制(pulse width modulation,PWM)变流器的零电流开关(zero current transition,ZCT)软开关技术进行深入理论分析,通过数学推导和实验验证指出,由于功率器件二极管反向恢复和结电容的影响,理想的软开关过程... 对一种应用于三相电压型脉宽调制(pulse width modulation,PWM)变流器的零电流开关(zero current transition,ZCT)软开关技术进行深入理论分析,通过数学推导和实验验证指出,由于功率器件二极管反向恢复和结电容的影响,理想的软开关过程很难实现,特别是在大功率应用场合。研究表明,虽然采用此ZCT软开关技术可减小主开关管的部分开关损耗,但却引入了多个二极管的反向恢复,总体效率能否提高与功率器件二极管反向恢复电荷和结电容大小有关。 展开更多
关键词 零电流开关 软开关 二极管反向恢复 结电容 开关损耗 功率器件
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一族非隔离双向直流变换器 被引量:18
9
作者 吴红飞 陆珏晶 +2 位作者 石巍 张君君 邢岩 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2012年第9期65-71,11,共7页
提出一族基于反向耦合电感的非隔离双向直流变换器(bi-directional DC converter,BDC),通过引入反向耦合电感,利用电感感应电势阻断不工作MOSFET的体二极管,消除了传统双向变换器中开关管寄生体二极管的反向恢复问题;通过反向耦合电感... 提出一族基于反向耦合电感的非隔离双向直流变换器(bi-directional DC converter,BDC),通过引入反向耦合电感,利用电感感应电势阻断不工作MOSFET的体二极管,消除了传统双向变换器中开关管寄生体二极管的反向恢复问题;通过反向耦合电感与滤波电感等效电路的分析,将反向耦合电感与滤波电感用一个同向耦合电感代替,提出一族基于PCI的非隔离双向直流变换器。所提出的变换器控制与传统单向变换器相同,不需要专门的软启动电路,兼顾了较高变换效率、控制简单和高可靠性。给出拓扑推演过程,详细分析拓扑工作原理,并通过实验验证理论分析的正确性。 展开更多
关键词 双向直流变换器 耦合电感 拓扑 二极管反向恢复
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基于分立器件和石英基片的0.68 THz和1.00 THz三倍频器(英文) 被引量:1
10
作者 蒋均 陈鹏 +4 位作者 何月 田遥岭 郝海龙 成彬彬 林长星 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期154-159,共6页
介绍了基于反向平衡式二极管和石英基片完成,而非集成电路的0. 68 THz和1. 00 THz频段平衡式三倍频.此项工作提高了二极管等效电路模型,该二极管模型不仅包括I/V和C/V,同时还加入了等离子体共振和趋肤效应,将薄膜电路减薄至15μm,机械... 介绍了基于反向平衡式二极管和石英基片完成,而非集成电路的0. 68 THz和1. 00 THz频段平衡式三倍频.此项工作提高了二极管等效电路模型,该二极管模型不仅包括I/V和C/V,同时还加入了等离子体共振和趋肤效应,将薄膜电路减薄至15μm,机械加工精度提高至3μm内,使工作频率提高至1. 2 THz.通过场路协同仿真,利用高精度太赫兹装配工艺,最终实现工作频率为0. 68 THz和倍频效率为1%的三倍频器,工作频率为1. 00 THz和倍频效率为0. 6%的三倍频器,输出相对带宽均大于10%. 展开更多
关键词 太赫兹 平衡式三倍频 肖特基二极管 LEC模型 反向平衡二极管 石英基片
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一种新型无桥Boost PFC电路 被引量:33
11
作者 王慧贞 张军达 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2010年第5期109-115,共7页
提出了一种新型无桥Boost PFC电路,该电路通过在2nd Dual Boost PFC(2ndDBPFC)的基础上增加两条耦合支路来实现升压二极管的自然关断和开关管的ZCS,大幅度提高了整机的效率。本文详细分析了该变换器的工作原理,讨论了实现开关管ZCS和升... 提出了一种新型无桥Boost PFC电路,该电路通过在2nd Dual Boost PFC(2ndDBPFC)的基础上增加两条耦合支路来实现升压二极管的自然关断和开关管的ZCS,大幅度提高了整机的效率。本文详细分析了该变换器的工作原理,讨论了实现开关管ZCS和升压二极管自然关断的条件,一台300W的实验样机验证了理论分析的正确性。由于DB PFC的输入母线直接与电感相连,导致很大的EMI,本文的新型无桥Boost PFC电路很好地解决了EMI的难题,Saber仿真结果表明该电路与传统Boost PFC电路的共模干扰几乎相等。 展开更多
关键词 无桥Boost PFC 二极管反向恢复 软开关 共模噪声
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基于Z网络的升降压DC/DC变换器 被引量:3
12
作者 齐铂金 杜青 +1 位作者 张瑾 马骏 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期658-664,共7页
基本的非隔离型升降压电路存在由二极管反向恢复带来的短路环问题.设计了一种基于Z网络的升降压DC/DC变换器,从电路结构上避免了短路环的存在,分析了Z网络和变换器的初始态阶跃响应,并设计了预充电电路,消除了变换器启动时的电压和电流... 基本的非隔离型升降压电路存在由二极管反向恢复带来的短路环问题.设计了一种基于Z网络的升降压DC/DC变换器,从电路结构上避免了短路环的存在,分析了Z网络和变换器的初始态阶跃响应,并设计了预充电电路,消除了变换器启动时的电压和电流尖峰,讨论了工作在电感电流连续模式(CCM,Current Continuous Mode)下的3种开关模态并分析了其工作原理,依照效率最优原则对升压和降压模式的开关模态进行简化,从而优化了变换器的控制方法,提出了一种通过合理选择电感电流纹波系数确保变换器工作在CCM模式下的方法,给出了各元器件的设计规则,并通过仿真和实验加以验证,结果与理论分析相吻合. 展开更多
关键词 升降压变换器 二极管反向恢复 Z源 电感电流连续模式
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340GHz四次谐波混频器的研制 被引量:3
13
作者 李凯 《微波学报》 CSCD 北大核心 2015年第1期88-91,共4页
太赫兹波是电磁波谱中最后一个未被全面研究开发的频率窗口,它的开发和利用具有重大的科学价值。介绍了一种太赫兹频段内340GHz基于肖特基势垒二极管的四次谐波混频器设计。应用高频场仿真软件(HFSS)以及谐波平衡仿真软件(ADS),对反向... 太赫兹波是电磁波谱中最后一个未被全面研究开发的频率窗口,它的开发和利用具有重大的科学价值。介绍了一种太赫兹频段内340GHz基于肖特基势垒二极管的四次谐波混频器设计。应用高频场仿真软件(HFSS)以及谐波平衡仿真软件(ADS),对反向并联二极管对进行3D建模及阻抗频率特性分析,并在此基础上对混频器进行优化。最后,对该混频器进行加工和测试,结果表明,在327~343GHz频带范围内,变频损耗小于15dB,最优值为12.7dB。 展开更多
关键词 太赫兹 四次谐波混频 变频损耗 反向并联二极管对
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一种使用一维电磁带隙结构的高性能Ka频段四次谐波混频器 被引量:4
14
作者 周密 徐军 +1 位作者 罗慎独 薛良金 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期147-149,共3页
介绍了一种全集成微带四次谐波混频器,该混频器采用了一种新型电磁带隙结构,可获得很低的变频损耗指标.阐述了一般的谐波混频理论,并用谐波平衡软件对整个电路进行优化仿真.实测得到射频在34~36GHz的频带内.固定中频为100MHz,... 介绍了一种全集成微带四次谐波混频器,该混频器采用了一种新型电磁带隙结构,可获得很低的变频损耗指标.阐述了一般的谐波混频理论,并用谐波平衡软件对整个电路进行优化仿真.实测得到射频在34~36GHz的频带内.固定中频为100MHz,该混频器最小变频损耗7.67dB,最大变频损耗〈10dB。 展开更多
关键词 谐波混频 电磁带隙结构 反向并联二极管对
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针对车载24V系统抛负载瞬态现象的过压保护电路设计 被引量:4
15
作者 唐含涵 谭廷庆 周亚棱 《汽车技术》 北大核心 2014年第12期40-44,共5页
针对体现车载24V系统抛负载瞬态现象的测试波形,从能量吸收角度,根据测试波形的不同参数配置设计了电子设备电源输入端口过压保护电路中的关键器件,以确保电子设备的可靠运行。试验结果表明,该方法能有效指导过压保护电路的设计。
关键词 车载24V系统 抛负载瞬态现象 过压保护电路 TVS二极管 反向二极管
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Ka频段微带四次谐波混频器 被引量:6
16
作者 赵霞 徐军 薛良金 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期14-17,共4页
介绍了一种Ka频段的微带四次谐波混频器的混频原理和设计方法.该混频器主要由波导-微带过渡,输入、输出滤波器以及匹配网络和反向并联混频二极管对组成.根据计算机辅助设计软件的仿真结果,在介电常数为2.22,厚度为0.254 mm的RF-Duroid 5... 介绍了一种Ka频段的微带四次谐波混频器的混频原理和设计方法.该混频器主要由波导-微带过渡,输入、输出滤波器以及匹配网络和反向并联混频二极管对组成.根据计算机辅助设计软件的仿真结果,在介电常数为2.22,厚度为0.254 mm的RF-Duroid 5880介质基片上制作了电路.当射频频率为34.2~35.2 GHz,本振频率为8.525~8.775GHz,中频频率为100MHz时,测得的变频损耗小于10.5 dB,其中最佳值为8.5 dB. 展开更多
关键词 KA频段 微带集成电路 谐波混频器 变频损耗 毫米波测量 反向并联混频二极管对
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220GHz次谐波混频器设计 被引量:3
17
作者 韩鹏 张勇 王云飞 《微波学报》 CSCD 北大核心 2014年第S1期536-539,共4页
本文介绍了一种基于平面肖特基势垒二极管的220GHz次谐波混频器的设计。该混频器采用Teratech公司的反向并联二极管对,安装在0.05mm厚的石英基片悬置微带上。采用HFSS和ADS联合仿真,使得混频器在射频频率为215GHz^225GHz范围内仿真所得... 本文介绍了一种基于平面肖特基势垒二极管的220GHz次谐波混频器的设计。该混频器采用Teratech公司的反向并联二极管对,安装在0.05mm厚的石英基片悬置微带上。采用HFSS和ADS联合仿真,使得混频器在射频频率为215GHz^225GHz范围内仿真所得变频损耗低于8d B,并在219GHz时取得最佳变频损耗6.75d B。该混频器具有结构简单,易于加工,变频损耗低的优点。 展开更多
关键词 反向并联二极管对 次谐波混频器 太赫兹
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8mm波段四次谐波混频器的设计与仿真 被引量:1
18
作者 王宇星 雷志勇 《电子测量技术》 2018年第4期55-60,共6页
毫米波探测技术解决了红外探测系统易受强光源及热源干扰的问题,并且由于大气窗口的存在,毫米波的探测能力不会因雾、霾、湿度等自然天气条件而受限。作为毫米波探测系统中必不可少的器件,混频器能将高频的毫米波信号与本振信号混频,使... 毫米波探测技术解决了红外探测系统易受强光源及热源干扰的问题,并且由于大气窗口的存在,毫米波的探测能力不会因雾、霾、湿度等自然天气条件而受限。作为毫米波探测系统中必不可少的器件,混频器能将高频的毫米波信号与本振信号混频,使之下变频为更易处理的中频信号。但是制造高频率低噪声的本振信号难度较大,为了解决这一问题,介绍了谐波混频器的原理与一般设计方法,它能够有效的降低本振信号的工作频率,并使用ADS射频仿真软件设计了8mm波段四次谐波混频器,该谐波混频器使用反向并联二极管对和微带电路结构,仿真结果表明当射频频率为34.5GHz,本振频率为8.6GHz,中频频率为100 MHz时,变频损耗为11.5dB。 展开更多
关键词 谐波混频 反向并联二极管对 ADS
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0.825 THz砷化镓单片集成二次谐波混频器(英文) 被引量:2
19
作者 刘锶钰 张德海 +4 位作者 孟进 纪广玉 朱皓天 侯晓翔 张青峰 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期749-753,共5页
基于国内的GaAs单片集成电路产线,研制了一款中心频率在0.825 THz的二次谐波单片混频器。针对肖特基二极管在太赫兹频段的高频效应详细分析了反向并联肖特基二极管的寄生参数以完善单片电路的设计。单片电路集成度高和装配误差小的特性... 基于国内的GaAs单片集成电路产线,研制了一款中心频率在0.825 THz的二次谐波单片混频器。针对肖特基二极管在太赫兹频段的高频效应详细分析了反向并联肖特基二极管的寄生参数以完善单片电路的设计。单片电路集成度高和装配误差小的特性更适用于太赫兹频段器件的设计。梁氏引线形式电路设计既可以降低介质基板带来的损耗,减小安装的位置偏移。实测结果表明,0.825 THz单片混频器最佳单边带的插损值为28 dB,0.81到0.84 THz频率范围内插损小于33 dB。 展开更多
关键词 反向并联肖特基二极管 插入损耗 集成单片电路 太赫兹混频器
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