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^(201)Pb经电子俘获衰变的反冲子体^(201)Tl氧化态的研究
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作者 李太华 刘正浩 +2 位作者 孙兆祥 金昱泰 刘伯里 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS 1988年第4期81-83,共3页
描述了母体^(201)Pb原子在不同介质和化学环境,经电子俘获衰变后生成的反冲子体^(201)T1原子的化学价态。结果表明,^(201)Pb在所选择的化学环境中衰变生成的子体^(201)T1主要以^(201)T1^+态存在。
关键词 201Pb 电子俘获 反冲原子 201Tl 氧化态
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质子和中子在硅中位移损伤等效性计算 被引量:5
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作者 王园明 郭晓强 +10 位作者 罗尹虹 陈伟 王燕萍 郭红霞 张凤祁 张科营 王忠明 丁李利 闫逸华 赵雯 肖尧 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期1803-1806,共4页
基于蒙特卡罗软件Geant4,探讨质子与硅的库仑散射和核反应及中子与硅的核反应产生反冲原子沉积非电离能量的过程,建立质子和中子在硅中的非电离能量阻止本领计算方法。在此方法中,描述了原子间库仑散射的物理过程,模拟带电粒子与晶格原... 基于蒙特卡罗软件Geant4,探讨质子与硅的库仑散射和核反应及中子与硅的核反应产生反冲原子沉积非电离能量的过程,建立质子和中子在硅中的非电离能量阻止本领计算方法。在此方法中,描述了原子间库仑散射的物理过程,模拟带电粒子与晶格原子之间的屏蔽库仑散射。计算得到不同能量质子和中子在硅中因库仑散射和核反应产生反冲原子的非电离能量沉积及阻止本领的等效性,计算结果与中子ASTM标准及文献计算得到的质子数据符合很好。 展开更多
关键词 中子 质子 反冲原子 非电离能量阻止本领
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