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题名反偏二极管的计算机辅助设计
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作者
萧敬勋
杨庆新
孙以材
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机构
河北工业大学动力系
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出处
《河北工学院学报》
1995年第3期1-6,共6页
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基金
河北省科委资助
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文摘
利用有限元法解泊松方程，可以得到反偏二极管中的二维电位分布和最大电场强度．模拟结果指出：正斜角二极管中的电场强度小于负斜角二极管中的电场强度，前者的最大电场强度处于反偏二极管的中心，而后者的最大电场强度则处于表面．因此，正斜角二极管可以达到高的反向击穿电压．
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关键词
反偏二极管
电位分布
有限元法
CAD
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Keywords
Reverse bias diodes, Potential distribution, Finite element Method.
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分类号
TN312
[电子电信—物理电子学]
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题名一种利用前馈电容改善瞬态响应的LDO
被引量：1
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作者
任国栋
王永顺
汪再兴
王道斌
冯有才
武钢
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机构
兰州理工大学理学院
兰州交通大学电子与信息工程学院
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期144-147,共4页
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基金
甘肃省科技支撑计划项目(097GKCA052)
甘肃省自然科学基金项目(0960RJ2A091)
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文摘
LDO具有高的纹波抑制和低噪声特点,在低输入输出压差以及RF领域应用广泛。在负载电流变化范围大的情况下,动态补偿成为必然选择。基于CSMC 0.5μm CMOS工艺,设计了一种利用MOS栅源电容实现动态补偿的LDO。采用反偏二极管模拟了寄生阱电容对系统稳定性的影响,并提出减小系统带宽、优化系统稳定性的方案。为了实现快速动态响应,设计前馈电容优化了系统。实验表明,设计的电路具有高PSRR和快速响应能力,适用于便携式设备供电。
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关键词
阱电容
反偏二极管
前馈电容
低压差线性稳压器
带宽
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Keywords
well capacitance
reverse-bias diode
feed-forward capacitance
low dropout regulator（LDO）
bandwidth
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名基于BL0939的天线效应分析
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作者
王锁成
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机构
上海贝岭股份有限公司
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出处
《集成电路应用》
2019年第10期11-13,共3页
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基金
上海市科学技术委员会集成电路研发基金(15511107100)
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文摘
随着半导体工艺技术的发展,栅的特征尺寸越来越小,然而金属走线却越来越长,这就造成了与之相关的天线效应(PAE)越来越显著。分析在芯片制造过程中产生天线效应的原因,并在此基础上提出了四种消除天线效应的方法。其方法应用于BL0939的后端设计,证明了它的切实可行性。
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关键词
集成电路设计
天线效应
天线比率
反偏二极管
深亚微米
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Keywords
IC design
process antenna effect
antenna ratio
anti-bias diode
deep submicron
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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