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SOI高g值压阻式加速度传感器与工艺实现
1
作者
许高斌
陈兴
+2 位作者
马渊明
卢翌
汪祖民
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第7期674-677,共4页
基于SOI技术,利用电感耦合等离子体硅深加工,设计制备了一种新型平面内振动高g值压阻式加速度计。该加速度计包括X轴向与Y轴向单元,采用扇形敏感质量块平板内振动结构。对称的布局方式,有效地消除了灵敏度的交叉干扰,提高了传感器的测...
基于SOI技术,利用电感耦合等离子体硅深加工,设计制备了一种新型平面内振动高g值压阻式加速度计。该加速度计包括X轴向与Y轴向单元,采用扇形敏感质量块平板内振动结构。对称的布局方式,有效地消除了灵敏度的交叉干扰,提高了传感器的测量精度。测试系统分析出加速度传感器的灵敏度是1.170μV/g。研究表明该加速度传感器可实现对量程高达25×104g加速度的测量。
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关键词
高G值
压阻式加速度传感器
SOI
扇形敏感质量块
双u型压敏电阻
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职称材料
题名
SOI高g值压阻式加速度传感器与工艺实现
1
作者
许高斌
陈兴
马渊明
卢翌
汪祖民
机构
合肥工业大学电子科学与应用物理学院安徽省微电子机械系统工程技术研究中心
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第7期674-677,共4页
基金
国家"863"计划(2013AA041101)
安徽省科技攻关计划(10120106005)
中央高校基础业务费资助项目(2010HGZY0004)
文摘
基于SOI技术,利用电感耦合等离子体硅深加工,设计制备了一种新型平面内振动高g值压阻式加速度计。该加速度计包括X轴向与Y轴向单元,采用扇形敏感质量块平板内振动结构。对称的布局方式,有效地消除了灵敏度的交叉干扰,提高了传感器的测量精度。测试系统分析出加速度传感器的灵敏度是1.170μV/g。研究表明该加速度传感器可实现对量程高达25×104g加速度的测量。
关键词
高G值
压阻式加速度传感器
SOI
扇形敏感质量块
双u型压敏电阻
Keywords
High g
Piezoresistive accelerometer
SOI wafer
Sector proof mass
D
u
al
u
-shape piezoresistance
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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作者
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1
SOI高g值压阻式加速度传感器与工艺实现
许高斌
陈兴
马渊明
卢翌
汪祖民
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
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