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针对新型HfO_2栅介质改进的四元件电路模型
被引量：
4
1
作者
刘红侠
蔡乃琼
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期1051-1055,共5页
针对超薄HfO2栅介质MOS电容,提出改进的四元件小信号等效电路模型,修正了双频C-V法,增加了串联寄生电阻和串联电感两个参数.结合双频测量结果计算出修正的C-V曲线,消除了高频时的频率色散现象,而且曲线更加接近理想C-V曲线.通过实验结...
针对超薄HfO2栅介质MOS电容,提出改进的四元件小信号等效电路模型,修正了双频C-V法,增加了串联寄生电阻和串联电感两个参数.结合双频测量结果计算出修正的C-V曲线,消除了高频时的频率色散现象,而且曲线更加接近理想C-V曲线.通过实验结果提取了寄生参数值并拟合出各元件值与MOS电容面积和反型层厚度的解析表达式.实验测量和理论计算表明该方法可提高通常C-V法的测量精度.
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关键词
二氧化铪
双频c-v法
四元件电路模型
频率色散
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职称材料
题名
针对新型HfO_2栅介质改进的四元件电路模型
被引量：
4
1
作者
刘红侠
蔡乃琼
机构
西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
出处
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期1051-1055,共5页
基金
美国应用材料创新基金资助(XA-AM-200701)
教育部新世纪优秀人才计划资助(681231366)
教育部高等学校科技创新工程重大项目培育资金资助
文摘
针对超薄HfO2栅介质MOS电容,提出改进的四元件小信号等效电路模型,修正了双频C-V法,增加了串联寄生电阻和串联电感两个参数.结合双频测量结果计算出修正的C-V曲线,消除了高频时的频率色散现象,而且曲线更加接近理想C-V曲线.通过实验结果提取了寄生参数值并拟合出各元件值与MOS电容面积和反型层厚度的解析表达式.实验测量和理论计算表明该方法可提高通常C-V法的测量精度.
关键词
二氧化铪
双频c-v法
四元件电路模型
频率色散
Keywords
HfO2
two-frequency
c-v
measurement
four-element model
frequency dispersion
分类号
TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
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被引量
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1
针对新型HfO_2栅介质改进的四元件电路模型
刘红侠
蔡乃琼
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
4
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