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基于双面布局的低寄生电感SiC功率模块
1
作者
马浩浩
杨媛
+2 位作者
郭孙毓
Santiago Cobreces
李言
《电工技术学报》
北大核心
2025年第16期5092-5105,共14页
碳化硅(SiC)功率模块的高开关速度导致其对寄生电感更加敏感,大的寄生电感使器件承受更大的电气应力,增加开关损耗。为降低模块寄生电感,该文提出一种双面布局SiC功率模块结构。该结构通过在直接覆铜陶瓷基板(DBC)上对称布置功率器件和...
碳化硅(SiC)功率模块的高开关速度导致其对寄生电感更加敏感,大的寄生电感使器件承受更大的电气应力,增加开关损耗。为降低模块寄生电感,该文提出一种双面布局SiC功率模块结构。该结构通过在直接覆铜陶瓷基板(DBC)上对称布置功率器件和功率端子,并利用穿孔实现三维电流流动,显著减少了空间占用和寄生电感,从而提升了模块的整体性能。此外,通过仿真和实验测试对该模块进行了系统分析,仿真结果显示,与传统二维键合线封装相比,双面布局结构将寄生电感降低了95%;实验测试进一步验证了该结构在动态特性方面的优势,与商用模块相比,该模块的电压超调减少了37%,开关损耗降低了14%。这些结果表明,双面布局结构在提高电气性能和优化开关特性方面具有显著优势。
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关键词
双面布局功率模块
功率
模块
封装设计
低寄生电感封装
碳化硅
功率
模块
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职称材料
题名
基于双面布局的低寄生电感SiC功率模块
1
作者
马浩浩
杨媛
郭孙毓
Santiago Cobreces
李言
机构
西安理工大学自动化与信息工程学院
阿尔卡拉大学电子工程学院
西安理工大学机械与精密仪器工程学院
新疆工程学院
出处
《电工技术学报》
北大核心
2025年第16期5092-5105,共14页
基金
国家自然科学基金项目(62174134)
陕西省科技创新能力支撑计划项目(2021TD-25)
+2 种基金
西安市重点产业链关键核心技术攻关项目(23LLRH0044)
西班牙授予的行政管理项目(PID2021-125628OB-C22,TED2021-130610B-C21)
卡斯蒂利亚-拉曼恰自治区政府和欧盟通过欧洲研发基金项目(ERDF)(SBPLY/21/180501/000147)资助。
文摘
碳化硅(SiC)功率模块的高开关速度导致其对寄生电感更加敏感,大的寄生电感使器件承受更大的电气应力,增加开关损耗。为降低模块寄生电感,该文提出一种双面布局SiC功率模块结构。该结构通过在直接覆铜陶瓷基板(DBC)上对称布置功率器件和功率端子,并利用穿孔实现三维电流流动,显著减少了空间占用和寄生电感,从而提升了模块的整体性能。此外,通过仿真和实验测试对该模块进行了系统分析,仿真结果显示,与传统二维键合线封装相比,双面布局结构将寄生电感降低了95%;实验测试进一步验证了该结构在动态特性方面的优势,与商用模块相比,该模块的电压超调减少了37%,开关损耗降低了14%。这些结果表明,双面布局结构在提高电气性能和优化开关特性方面具有显著优势。
关键词
双面布局功率模块
功率
模块
封装设计
低寄生电感封装
碳化硅
功率
模块
Keywords
Double-sided layout power module
power module packaging design
low-inductance packaging
silicon carbide power module
分类号
TM23 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于双面布局的低寄生电感SiC功率模块
马浩浩
杨媛
郭孙毓
Santiago Cobreces
李言
《电工技术学报》
北大核心
2025
0
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