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用于器件级真空封装的MEMS加速度传感器的设计与制作
被引量：
2
1
作者
蔡梅妮
林友玲
+3 位作者
车录锋
苏荣涛
周晓峰
黎晓林
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2012年第12期107-110,113,共5页
设计了一种可用于器件级真空封装的三明治电容式MEMS加速度传感器。该传感器被设计为四层硅结构,其中上下两层为固定电极,中间两层为硅—硅直接键合的双面梁—质量块结构的可动电极。利用自停止腐蚀工艺在中间质量块键合层上腐蚀出2个...
设计了一种可用于器件级真空封装的三明治电容式MEMS加速度传感器。该传感器被设计为四层硅结构,其中上下两层为固定电极,中间两层为硅—硅直接键合的双面梁—质量块结构的可动电极。利用自停止腐蚀工艺在中间质量块键合层上腐蚀出2个深入腔内的V型抽气槽,使得MEMS器件在后续的封装中能够实现内部真空。为防止V型抽气槽在划片中被水或硅渣堵塞,采用双面划片工艺。划片后,器件的总尺寸为6.8 mm×5.6 mm×1.72 mm,其中,敏感质量块尺寸为3.2 mm×3.2 mm×0.86 mm,检测电容间隙2.1μm。对器件级真空封装后的MEMS加速度传感器进行了初步测试,结果表明:制作的传感器的谐振频率为861 Hz,品质因数Q为76,灵敏度为1.53V/gn,C-V特性正常,氦气细漏<1×10-9atm-cm3/s,粗漏无气泡。
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关键词
三明治电容式MEMS加速度传感器
自停止腐蚀
品质因数
器件级真空封装
双面划片
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职称材料
题名
用于器件级真空封装的MEMS加速度传感器的设计与制作
被引量：
2
1
作者
蔡梅妮
林友玲
车录锋
苏荣涛
周晓峰
黎晓林
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室
中国科学院研究生院
出处
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2012年第12期107-110,113,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(41074129)
文摘
设计了一种可用于器件级真空封装的三明治电容式MEMS加速度传感器。该传感器被设计为四层硅结构,其中上下两层为固定电极,中间两层为硅—硅直接键合的双面梁—质量块结构的可动电极。利用自停止腐蚀工艺在中间质量块键合层上腐蚀出2个深入腔内的V型抽气槽,使得MEMS器件在后续的封装中能够实现内部真空。为防止V型抽气槽在划片中被水或硅渣堵塞,采用双面划片工艺。划片后,器件的总尺寸为6.8 mm×5.6 mm×1.72 mm,其中,敏感质量块尺寸为3.2 mm×3.2 mm×0.86 mm,检测电容间隙2.1μm。对器件级真空封装后的MEMS加速度传感器进行了初步测试,结果表明:制作的传感器的谐振频率为861 Hz,品质因数Q为76,灵敏度为1.53V/gn,C-V特性正常,氦气细漏<1×10-9atm-cm3/s,粗漏无气泡。
关键词
三明治电容式MEMS加速度传感器
自停止腐蚀
品质因数
器件级真空封装
双面划片
Keywords
sandwich type capacitive MEMS acceleration sensor
self-stopped etching
quality factor
device-level vacuum package
double-sided dicing
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用于器件级真空封装的MEMS加速度传感器的设计与制作
蔡梅妮
林友玲
车录锋
苏荣涛
周晓峰
黎晓林
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2012
2
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